公开(公告)号：CN1992168A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1906740A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001736.X

申请日：2005-12-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/04 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/02027 ,  B28D5/045 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/302 ,  H01L29/2003 ,  Y10T83/9292

Abstract: 本发明的目的在提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线(22)而构成的金属线列(21)切断结晶块(3)，该结晶块(3)包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块(3)及金属线(22)中至少一方在与金属线(22)延长方向B直交的方向上进行传送并且一边供给研磨液一边切断结晶块(3)的方式，切断结晶块(3)。切断结晶块(3)时，将金属线(22)的延长方向B相对于结晶块(3)的{1－100}面倾斜3°以上。

公开(公告)号：CN1870223A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610087785.6

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN1240304A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108644.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  西本达也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B25/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  Y10T428/26

Abstract: 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底。在GaAs(111)衬底上形成具有交错式窗或条纹窗的掩模,用HVPE法或MOC法,在低温下形成GaN缓冲层,用HVPE法在高温下形成厚的GaN外延层,将GaAs衬底除去。将GaN独立膜作为种晶,用HVPE法使GaN加厚,制成GaN晶锭。利用切片机切断晶锭,并研磨,制成透明无色、弯曲小的GaN晶片。

公开(公告)号：CN1237795A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99106909.9

申请日：1999-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  松岛政人

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种n型的GaN衬底。使原料气中含有氧，在GaAs衬底上使GaN外延生长，然后将GaAs衬底除去，获得具有与氧浓度成正比的n型载流子的n型GaN的独立膜。