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公开(公告)号：CN102158552A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110078979.0
申请日：2011-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种食品中细菌、重金属和农兽药残留的无线监控网络，包括客户端、数据处理与控制平台、互联网访问平台和短信访问平台，采用生物发光或化学发光的原理利用传感器终端可以同时检测细菌总量、致病菌数量、总金属包括(汞、铅、镉、类金属砷)含量、农兽药(有机磷农药)含量，并将这些数据与无线定位数据通过自身集成的无线通讯模块结合无线网络传输到远程服务器，企业质量部门或政府监管部门可以通过互联网平台或短信平台访问该服务器，进行数据分析，一旦发现数据异动，可以对食品流通环节进行控制，真正意义上在食品流通的整个环节都进行监测，而且能及时反馈控制手段。
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公开(公告)号：CN102147414A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010617918.2
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/68 , G01N33/532 , G01N33/543 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米探针的微流体芯片检测微量蛋白的方法，其特征在于采用标准的光刻工艺实现微结构的制作，用玻璃片(点有DNA探针)与微结构封接制备了所需的微流体芯片；在纳米金颗粒上同时标记单克隆二抗及信号放大作用的Barcode DNA，并在磁珠上标记单克隆一抗；在微流体芯片管道内，通过抗原抗体免疫反应以及信号的逐级放大、银染显色，从而达到对微量目标蛋白的检测。所述的方法将生物样品的富集、分离和检测连接为一体，具有特异、快速和高灵敏的特点，可望应用于临床检验医学中微量蛋白(抗原或抗体)的诊断和检测。灵敏度可达pg/ml，比临床中普通的LEISA法提高了1000倍。
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公开(公告)号：CN101182578B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710170613.X
申请日：2007-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米金探针的基因芯片的高灵敏度的DNA检测方法，其特征在于首先将纳米金通过低温离心浓缩富集，用无菌去离子水或TE(PH7.4)按一定浓度重悬，再在纳米金里加一定量的巯基修饰的DNA信号探针，大大节约了巯基修饰DNA的用量；标记完后，与待测目的分子一起置于芯片上采用一步法杂交，将待测DNA与芯片上的捕捉探针及标记纳米金的信号探针同时杂交上，杂交完后再进行清洗，晾干，加改进的银染试剂于芯片上进行银染显色，使杂交信号强度大大提高，以提高检测灵敏度，肉眼观测或用CCD扫描拍照。本发明提供的检测方法具有大大降低DNA探针用量、灵敏度高和信号检测方便等优点。
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公开(公告)号：CN101000290B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710036415.4
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于微纳米结构的样品富集芯片、制作方法及富集方法，其特征在于所述的富集芯片是以石英玻璃为基底材料，由富集纳米沟道和微米级样品传输管道组成，富集纳米沟道架在两微米级管道间。首先应用MEMS工艺在石英玻璃表面加工出纳米沟道及样品运输通道，严格控制纳米沟深度，使其符合离子陷落要求；利用低温键合方法，将打好样品孔的基片与盖片低温键合。然后在芯片管道中灌入需要富集的样品，在样品池间加直流电压，在纳米沟中形成电场；由于纳米沟道内德拜层的叠加，而在纳米沟旁形成离子陷落带；在电场作用下运动的样品由于无法通过离子陷落带而在纳米沟旁富集，形成样品富集带。具有芯片体积小和富集过程中不破坏富集成分的特点。
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公开(公告)号：CN101182579B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710170616.3
申请日：2007-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明涉及的是一种无需扩增基因组DNA的纳米探针芯片及检测方法。其特征在于：未标记靶核酸的检测是通过两步连续的与等位特异地固定在芯片表面的捕捉探针以及标记纳米金颗粒的特异寡核苷酸探针的三明治杂交反应，经过银染增强的纳米金信号放大效应产生高灵敏的识别信号，然后直接用显微镜进行观察或者用普通光学扫描仪进行扫描直接得到相应的杂交结果，也可通过相关软件进行分析，得出检验报告。与传统的基于荧光信号检测的方法相比，本方法大大提高了检测的灵敏度和特异性，能够检测未扩增的基因组DNA样品中的靶基因及单碱基突变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101148324B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710045997.2
申请日：2007-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法及其应用，制备：以ITO玻璃为基质材料；在ITO玻璃未溅射ITO薄膜的一侧甩涂AZ4620光刻胶，曝光、显影；将PDMS单体、固化剂混合，浇注在ITO薄膜一侧，加热固化；将ITO玻璃置于腐蚀液中，刻蚀；剥离ITO薄膜上的PDMS；制备PDMS薄膜；PDMS薄膜和已刻蚀微管道的ITO玻璃在氧等离子体作用下键合得到细胞培养芯片；再在ITO玻璃未键合PDMS薄膜的一侧连入外部温度控制系统。该芯片克服PDMS芯片的疏水性问题和玻璃材质芯片的加工工艺复杂问题，并且便于直接控制芯片温度，可应用于细胞迁移、细胞分化、细胞之间相互作用研究。
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公开(公告)号：CN101659391A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910195109.4
申请日：2009-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种圆滑曲面微结构的制作方法，其特征在于所述的方法以负性化学放大光刻胶(chemically amplified photoresist)为圆滑曲面微结构的制作材料，首先在基片上旋涂第一层负性化学放大光刻胶，并软烘、曝光，然后直接在第一层负性化学放大光刻胶上旋涂第二层负性化学放大光刻胶，并进行后烘；利用后烘过程中第一层光刻胶曝光后产生的光酸各向同性扩散，催化曝光区域及其相邻扩散区域光刻胶分子交联，显影后制得具有圆滑曲面特征的微结构。本发明提出的圆滑曲面微结构的制作方法相对于传统的灰阶掩膜技术和光刻胶回流方法，具有加工简便、成本低廉、结构稳固等特点。
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公开(公告)号：CN101654715A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910195689.7
申请日：2009-09-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点共振能量转移检测HBV DNA及单碱基突变的方法，包括：MPA包裹的CdSe/ZnS核/壳结构量子点的制备；HBV DNA检测探针的设计及合成；QDs-DNA探针交联物的制备；互补的靶HBV DNA及单碱基突变的高通量检测。该方法操作简单，可以与多种仪器兼容，不需要对杂交体系中未联接的DNA进行分离；由于Cy5在485nm光激发下不会直接产生荧光信号，因此背景干扰小，信号强；该方法还具有特异、快速、高分辨率、高灵敏度和高通量的特点，可应用于临床医学中HBV靶DNA及单碱基突变的检测。
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公开(公告)号：CN101486004A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200810207350.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种微流体自动定量分配的方法及装置，所述方法利用微米尺度下占主导地位的液体表面张力结合另一互不相溶流体的流动剪切作用，使样品液体充满并坐落于一定体积微腔中，从而实现样品液体的定量分配；实施上述方法的装置由包含至少一条微通道和一组微腔的微流控芯片构成，其中微腔位于微通道侧并与其相通，微通道中样品液体通过表面张力进入并充满微腔，然后利用另一互不相溶流体的流动剪切作用移除通道中多余样液，恰留微腔中充满样品液体，从而实现样品液滴的定量和分配。本发明提供了一种简单、快速、高通量的微流体自动定量分配方法和装置，可应用于微生化反应器和芯片实验室。
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公开(公告)号：CN100505159C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710045107.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/28 , H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势，然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面，接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层，并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层，然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶，最后去除下层金属牺牲层，并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层，再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层，如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。
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