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公开(公告)号：CN101172184B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710046885.9
申请日：2007-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种三维柔性神经微电极及其制作方法，该微电极利用柔性聚合物作为基底材料，通过金属种子层的环状图案设计，进行递进式电镀，形成具有圆滑三维凸起特征的电极位点结构，该结构既可保证电极位点与神经细胞的良好接触，同时又可避免现有三维神经微电极中凸起电极位点的锐利棱角对神经组织的损伤。另外，在电镀过程中通过复合电镀工艺，即电镀液中添加纳米级分散剂，使电极表面形成亚微米级的微孔结构，增加电极位点的表面积，从而增强电极的电流输出能力，保证神经微电极在生物安全性条件限制下的有效刺激。本发明提供的三维柔性神经微电极可广泛应用于神经疾病治疗、神经康复、神经生物学基础研究等领域。
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公开(公告)号：CN100563748C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710040830.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中形成金属连接结构，实现位于隔离绝缘层上下电极刺激位点或记录位点与其连接导线的连接；其中电镀工艺后，采用化学抛光的方法对上层表面进行抛光，保证电镀金属柱与上层溅射金属层良好的电连接。本发明提供的制作方法可以在单位面积上制作比常规单层布线设计更高密度的阵列微电极，实现植入式阵列微电极更高选择性刺激或记录。
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公开(公告)号：CN101659391A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910195109.4
申请日：2009-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种圆滑曲面微结构的制作方法，其特征在于所述的方法以负性化学放大光刻胶(chemically amplified photoresist)为圆滑曲面微结构的制作材料，首先在基片上旋涂第一层负性化学放大光刻胶，并软烘、曝光，然后直接在第一层负性化学放大光刻胶上旋涂第二层负性化学放大光刻胶，并进行后烘；利用后烘过程中第一层光刻胶曝光后产生的光酸各向同性扩散，催化曝光区域及其相邻扩散区域光刻胶分子交联，显影后制得具有圆滑曲面特征的微结构。本发明提出的圆滑曲面微结构的制作方法相对于传统的灰阶掩膜技术和光刻胶回流方法，具有加工简便、成本低廉、结构稳固等特点。
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公开(公告)号：CN100505159C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710045107.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/28 , H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势，然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面，接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层，并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层，然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶，最后去除下层金属牺牲层，并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层，再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层，如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。
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公开(公告)号：CN101172185A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710046237.3
申请日：2007-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离(Lift－off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片，实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电极高一倍的刺激或记录分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101110355A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710045107.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/28 , H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势，然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面，接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层，并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层，然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶，最后去除下层金属牺牲层，并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层，再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层，如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。
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公开(公告)号：CN101172185B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710046237.3
申请日：2007-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离(Lift-off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片，实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电极高一倍的刺激或记录分辨率。
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公开(公告)号：CN101599609A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910055102.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柔性器件的互连方法及所用的柔性连结器。其特征在于柔性器件的互连方法包括步骤：a)按照柔性器件的尺寸制作具有通孔特征焊接位点的柔性连接器；b)将柔性连接器的通孔焊接位点与待连接柔性器件的焊接位点对准并贴合，于焊接位点处点涂导电胶实现连接导通；c)于焊接位点处涂覆或者沉积聚合物将连接处绝缘封装。所述的柔性连接器为长条形薄膜，具有聚合物－金属－聚合物层三层结构；两端为金属层暴露的焊接位点或连接位点，中间为包埋的金属连接线。提供的基于柔性聚合物材料的微电极连接器具有与传统的微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点。保证柔性器件与设备或者柔性器件之间的有效连接与信号传输，解决柔性器件连接的可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN101073687A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710040830.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中形成金属连接结构，实现位于隔离绝缘层上下电极刺激位点或记录位点与其连接导线的连接；其中电镀工艺后，采用化学抛光的方法对上层表面进行抛光，保证电镀金属柱与上层溅射金属层良好的电连接。本发明提供的制作方法可以在单位面积上制作比常规单层布线设计更高密度的阵列微电极，实现植入式阵列微电极更高选择性刺激或记录。
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公开(公告)号：CN100466381C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710045109.7
申请日：2007-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种与植入式器件柔性互连的方法，首先在具有牺牲层的基片上制作一聚合物基底层，并根据待连接的植入式器件的需要在所述聚合物基底层相应位置制作通孔，接着在所述聚合物基底层上制作一金属层，并使金属层不覆盖通孔，接着在金属层上形成一隔离绝缘层，并在隔离绝缘层相应位置形成开口，以暴露所述通孔，接着采用腐蚀法腐蚀牺牲层以将夹心式柔性互连膜从基片上释放下来，接着将待连接的植入式器件的焊盘点金属层贴合柔性互连膜的表面并对准所述通孔，再在通孔中通过电镀生长导通金属柱，如此可实现与待连接的植入式器件的柔性连接，有效避免现有技术中互连易出现虚焊的缺点，同时由于柔性互连膜体积小、重量轻、易于集成，可大大减小植入损伤。
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