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公开(公告)号：CN102064134A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010572456.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，并使用机械减薄和化学腐蚀的方法实现低温下薄膜材料层转移；然后沉积电阻转换存储材料和导电薄膜，再经过光刻、刻蚀以及化学机械抛光等工艺，获得立体的选通管-电阻存储单元阵列。重复实施上述过程即可实现立体多层结构的电阻存储阵列，本发明中利用等离子体活化室温键合技术可以避免已有电路结构以及下层电阻存储单元因高温而产生的性能退化，因而该工艺适用于高速高密度存储芯片的开发。
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公开(公告)号：CN101924069A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010172878.5
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的薄膜转移到衬底晶圆上。随后在转移后的晶圆上进行刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光等工艺得到所需的二极管单元、加热电极、电阻转换存储单元及上电极等。本发明中二极管结构层薄膜的转移可以重复实施，从而可集成得到多层1D1R结构存储单元，多层结构中的垂直互连可以有效减少互连线的RC延迟，因此本发明制备三维电阻变换存储结构的方法可以适用于高密度、高速存储芯片设计。
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公开(公告)号：CN101892453A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010237976.2
申请日：2010-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。在靶材部分消耗后，还可通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用，提高利用率。本发明可方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN101459129B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810207298.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN101477987B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910045084.X
申请日：2009-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属-半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834152A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010152466.5
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。
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公开(公告)号：CN101770188A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910044949.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种去除冷压印残留胶层的方法，属于纳米制造领域。其特征在于：在透光模板图形表面选择性覆盖不透光材料，将图案表面进行修饰后直接用作模板压印，能够使光敏压印胶复型结构选择性的固化，最后用化学溶剂将未固化区域的压印胶直接清洗去除，实现压印后清除压印残留胶层的目的。
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公开(公告)号：CN101546810A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910050392.1
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。
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公开(公告)号：CN101478030A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045870.X
申请日：2009-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的厚度小于10nm。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：①单质金属夹层位于下电极层和相变材料层之间；②单质金属夹层位于相变材料层和上电极层之间；③单质金属的第一夹层位于下电极层和相变材料层之间，单质金属的第二夹层位于相变材料层和上电极层之间，且第一夹层和第二夹层的单质金属组分和厚度可相同或不相同，由于夹层的引入能够提高相变材料的结晶速度、降低相变材料的熔点，与传统的相变存储器结构相比，包含夹层的相变存储器具有较高编程速度和较低的编程功耗。
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公开(公告)号：CN101436614A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810207453.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管，其包括：轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂的半导体层紧密接触的金属层，其中所述金属层含锑。此外，本发明还提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触进而制造出肖特基二极管阵列。
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