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公开(公告)号：CN110416075B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910332423.6
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极，在将规定对下部电极施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到下部电极的时间所占的比例。
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公开(公告)号：CN117378286A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280036616.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明的等离子体监控系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。控制装置基于由多个分光器分别取得的发光强度而取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。
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公开(公告)号：CN113808989A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110630640.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的课题在于提供一种导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。作为解决本发明课题的方法为提供一种载置台，其具有：由密度为5.0g/cm3以下的材料形成的第1构件；与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0×10‑6/K以下，并且导热率为100W/mK以上的材料形成的第2构件；以及在上述第1构件和上述第2构件的至少任一者的内部形成的温度调节介质的流路。
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公开(公告)号：CN110010437B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN112670153A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011071885.6
申请日：2020-10-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , B22F3/105 , B22F3/24 , B22F1/00 , C25D11/04 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/10 , B33Y80/00
Abstract: 本发明提供部件、部件的制造方法和基片处理装置，能够提高覆盖含硅的铝材的氧化膜的均匀性。所提供的部件是用于基片处理装置的部件，上述部件由含硅的铝形成，硅粒径为1μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112614770A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011544996.4
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。
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公开(公告)号：CN111095499A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004518.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN110010437A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN101154569B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN103247511A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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