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公开(公告)号：CN112180502A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600344.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。
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公开(公告)号：CN112180501A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600341.5
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的衬底硅中；第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中；第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。本申请能够提高光场的耦合效率。
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公开(公告)号：CN111834486A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1-xPbx，其中，0
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公开(公告)号：CN110957360A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811133445.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III-V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述势垒层与栅电极连接，所述盖层与源电极和漏电极连接。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。
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公开(公告)号：CN110896115A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112305671B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201910676834.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器及制备方法，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本发明器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。
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公开(公告)号：CN117673175A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211041274.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01T1/26
Abstract: 本发明提供一种硅基波导型锗探测器及其制备方法，硅基波导型锗探测器包括：SOI衬底，SOI衬底包括依次层叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅，顶层硅包含硅波导结构；锗基探测层，位于硅波导结构上；反射膜结构，覆盖于锗基探测层上，用于将波导结构传输进入锗基探测层且未被锗基探测层吸收的光线反射回锗基探测层内再进行吸收。本发明通过在锗基探测层四周设置反射膜结构，从而引入构建了小型的光学谐振腔，减小了光的损耗，可以让未被吸收的光线不断在锗中重复吸收，有效提升了锗的吸收，在同样的光吸收效果下，本发明的器件尺寸可以比传统的锗探测器大大减小，而且具有工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN111830627B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910328570.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种偏振分束器及其形成方法。所述偏振分束器包括：衬底；位于所述衬底表面且均沿第一方向延伸的第一波导、狭缝波导和第二波导；所述第一波导、所述狭缝波导与所述第二波导在沿与所述第一方向垂直的第二方向上平行排列，且所述狭缝波导位于所述第一波导与所述第二波导之间；所述第一方向为光线的传播方向，所述第一方向与所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；所述光线中的横磁偏振光能够自所述第一波导经所述狭缝波导耦合至所述第二波导。本发明实现了对光线中TM偏振模式与TE偏振模式的分离，在未来的偏振复用以及传感等方面有着诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN116247108A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111483805.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1)于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2)采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3)刻蚀第二氮化硅层，以至少去除第二氮化硅层的部分厚度；4)采用等离子体增强化学气相沉积工艺于SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层；5)刻蚀第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，高应力氮化硅层用于在形成氮化硅波导时使氮化硅波导达到应力平衡。本发明不仅解决了氮化硅波导应力不平衡的问题而且还保护了晶圆正面的器件，可广泛应用于硅光子技术中。
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公开(公告)号：CN115407452A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586775.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请提供一种光混频器及其制造方法，光混频器包括：基底层；输入波导，其为条状，输入波导的输入端接收输入光；多模干涉波导，其为矩形，多模干涉波导的输入端与输入波导的输出端耦接，接收从输入波导传输的光，多模干涉波导对接收的光进行混频处理；输出波导，其为条状，设置于基底层，输出波导的输入端与多模干涉波导的输出端耦接，接收从多模干涉波导的输出端输出的混频光，输出波导对接收的混频光进行传输，并从输出波导的输出端输出；以及覆盖层，其覆盖输入波导、多模干涉波导以及输出波导各自的上表面和侧面，输入波导、多模干涉波导以及输出波导的材料均为氮化硅，该输入波导的数量为3个，该输出波导的数量为3个。
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