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公开(公告)号：CN111448274A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880078048.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理作业性优异的电子装置用部件，其即使是包含在物理上脆弱的介电性聚合物硬化物的介电性片材，也不会对其平坦性及性能(柔软性及介电性)造成任何损害。本发明是一种层叠体及其用途，所述层叠体包含(L1)单层或多层的包含具有介电性官能团的聚合物硬化物的高介电性片材及至少1个(L2)压敏粘接层，还可以进一步具有选自(L3)电极层及(L4)非硅酮系热塑性树脂层中的一种以上的层。
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公开(公告)号：CN111433307A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880077845.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C09J7/35 , B32B27/00 , B81C3/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/52
Abstract: 课题本发明提供一种表面具有微粘着性，能够将所切割的半导体芯片等容易地暂时固定至半导体基材上，并且通过二次固化形成对于被粘接体的永久接着性的有机硅系接着片、含有其的积层体、使用其的半导体装置、以及半导体装置的制造方法。解决方法加热前接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式为界面剥离，在50至200℃的范围加热所述接着面后，所述接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式变为凝集破坏，并具有永久接着性的有机硅系接着片；对于所述半导体用晶片粘结膜等的使用；以及具有通过所述有机硅系接着片的固化物将半导体芯片或半导体用晶片固定至基材上的构造的MEMS装置等的半导体装置。
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公开(公告)号：CN111417687A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076379.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的硅橡胶组合物包含：(A)在分子中具有至少两个烯基的有机硅氧烷，(B)二氧化硅填料，(C)在分子中具有至少两个与硅原子键结的氢原子的有机聚硅氧烷，(D)硅氢化催化剂，和(F)粘着促进剂，其中所述(B)成分是通过在一些或全部的所述(A)成分存在下，用(E)表面处理剂对二氧化硅填料进行表面处理而获得的成分。本发明的硅橡胶组合物对在硬化期间与其接触的各种有机树脂具有极佳的粘着性，并且同时对于用于模塑的模具具有极佳的脱模性。
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公开(公告)号：CN111212876A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880067333.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Inventor： 吉武诚
Abstract: 本发明的课题在于提供一种使用在常温下具有充分的可使用时间并且能够在低温下高速硬化的组合物的硬化物及其制造方法、于层间配置有这些硬化物的叠层体及使用这些硬化物作为光学构件的光学装置。本发明是一种制造有机聚硅氧烷硬化物的方法，其包括如下工序：工序(i)：针对含有不照射高能量线而在本组合物中显示活性的第一硅氢化反应用催化剂，及如果不照射高能量线则不显示活性，但通过照射高能量线而在本组合物中显示活性的第二硅氢化反应用催化剂的组合物，不照射高能量线而使之进行硅氢化反应，获得在室温下具有流动性的稠化体或在室温下为非流动性但在100℃下显示流动性的热塑体；及工序(ii)：对所述工序(i)中所获得的稠化体或热塑体照射高能量线而获得硬化物。
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公开(公告)号：CN111148797A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201880063874.8
申请日：2018-10-30
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Inventor： 吉武诚
Abstract: 本发明提供一种硅氢化反应性组合物、以及使用其所获得的半硬化物及硬化物，该硅氢化反应性组合物在常温下具有充分的可使用时间，并且能够通过高能量射线照射而低温硬化，硬化中途的半硬化物稳定。本发明的组合物含有：(A)一分子中含有至少一个脂肪族不饱和一价烃基的化合物、(B)一分子中含有至少两个与硅原子键结的氢原子的化合物、(C)不照射高能量射线而在组合物中显示活性的第一硅氢化催化剂、及(D)若无高能量射线的照射便不显示活性但通过照射高能量射线而在组合物中显示活性的第二硅氢化催化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106459101B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201580033523.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及通式表示的有机硅化合物、含有该有机硅化合物作为粘合促进剂的氢化硅烷化反应固化性有机硅组合物、以及通过所述组合物的固化物对半导体元件密封而成的半导体装置。本发明提供：新型的有机硅化合物；固化性有机硅组合物，其含有该有机硅化合物作为粘合促进剂、对于有机树脂等基材的初期粘合性及粘合耐久性是优异的并形成高光透过性的固化物；以及使用该组合物而成的可靠性优异的半导体装置。
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公开(公告)号：CN110072697A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780077148.7
申请日：2017-10-26
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: B32B27/00 , B32B7/022 , B32B7/12 , C08L83/05 , C08L83/07 , C09J183/04 , H01L21/301
Abstract: 提供在衬底上具有能够在固化前的工业生产步骤中使用的各种类型的加工过程中保护衬底的凝胶层的层压体，所述凝胶层具有优异的耐热性、柔软性和柔韧性、低弹性模量、低应力、优异的应力缓冲特性和电子组件保持特性，并且所述凝胶层在固化前具有较高的形状保持性，但在固化后变为具有优异剥离特性的硬质层，所述层压体即使在固化层局部化时，也易于从衬底释放，并且提供其应用(如电子组件制造方法)。[解决方案]层压体，其包含层压的可反应固化的硅凝胶和通过粘合剂层层压在可反应固化的硅凝胶顶部的片状构件，及其用途。
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公开(公告)号：CN109963911A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780065370.5
申请日：2017-10-23
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的反应性热熔硅酮填充容器的特征在于：容器填充有可交联的硅酮组合物，所述组合物包括：(A)烯基键合的有机聚硅氧烷，其包括具有烯基且软化点为至少50℃的支链有机聚硅氧烷；(B)有机聚硅氧烷，其每分子具有至少两个硅原子键合的氢原子，和(C)氢化硅烷化反应催化剂；加热所述容器以使所述组合物B阶段交联，并且形成在25℃下不可流动且在120℃下熔融粘度为5,000Pa·s或更低的反应性热熔硅酮；施加热使得可能去除反应性热熔硅酮，所述硅酮具有优异间隙填充性能。
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公开(公告)号：CN106255728B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201580006763.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 陶氏东丽株式会社
CPC classification number: C08G77/44 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08G2190/00 , C08K3/32 , C08K5/49 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C09K11/025 , C09K11/7706 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明为一种硬化性硅组合物，其含有：(A)以平均単位式：(R13SiO1/2)x(R22SiO2/2)y(R3SiO3/2)z(R1为烷基、烯基、芳基、或者芳烷基，R2为烷基或者烯基，R3为烷基、芳基、或者芳烷基，其中，一分子中R1～R3的至少0.5摩尔百分比为烯基，R3的至少一个为芳基或者芳烷基，0.01≤x≤0.5、0.01≤y≤0.4、0.1≤z≤0.9、且x+y+z＝1)表示的有机聚硅氧烷；(B)一分子中具有至少2个烯基的直链状的有机聚硅氧烷；(C)一分子中具有至少2个与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷；以及(D)氢化硅烷化反应用催化剂。该硬化性硅组合物的荧光体的分散性良好、可形成具有耐裂性的硬化物。
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公开(公告)号：CN119908026A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067762.0
申请日：2023-10-24
Applicant: 陶氏东丽株式会社 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 在现有技术中，无法获得一种不使用光刻技术的半导体制造用导电柱模块，该半导体制造用导电柱模块可以用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDL优先)封装中形成再配置层(RDL)。本发明提供一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体或半导体前体及其制造方法，所述半导体制造用导电柱模块前体具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构，且具有对基板的足够的密合性、应力缓和性和耐久性。
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