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公开(公告)号：CN117255842A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202280032412.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C09J183/10
Abstract: 本发明涉及一种显示装置，其在构件间具有压敏粘接剂层，该压敏粘接剂层的25℃、100～300Hz的频率f(Hz)下的损耗角正切tanδ(f)的最大值为0.9以上，并且通过特定的方法测定的粘合力为500gf/inch以上。本发明的显示装置能改善具备触觉功能的显示装置的操作性和可靠性，并且对所述显示装置赋予实用上充分的构件间的密合性，能充分改善其可靠性和耐久性。
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公开(公告)号：CN111448274B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201880078048.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理作业性优异的电子装置用部件，其即使是包含在物理上脆弱的介电性聚合物硬化物的介电性片材，也不会对其平坦性及性能(柔软性及介电性)造成任何损害。本发明是一种层叠体及其用途，所述层叠体包含(L1)单层或多层的包含具有介电性官能团的聚合物硬化物的高介电性片材及至少1个(L2)压敏粘接层，还可以进一步具有选自(L3)电极层及(L4)非硅酮系热塑性树脂层中的一种以上的层。
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公开(公告)号：CN109196025B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201780033235.2
申请日：2017-04-12
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜、其用途和制造方法，所述高介电性薄膜的特征在于，介电常数高，并且薄膜的宽度方向实质上平坦且均匀。一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜，其中，薄膜宽度方向上末端的厚度与中央的厚度之差为5.0％以内，薄膜中央的厚度在50μm～1000μm的范围内。这样的薄膜可以具有底漆层和平坦化层，可以通过压延工序获得，另外也可以通过在具有剥离层的隔板间的固化而获得。
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公开(公告)号：CN112673056A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980054220.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种聚有机硅氧烷固化物膜、其用途以及制造方法，所述聚有机硅氧烷固化物膜可薄膜化，膜的表面和内部的缺陷的个数极少，示出相对于荷电压高的介质击穿强度。本发明的聚有机硅氧烷固化物膜的平均厚度在1～200μm的范围内，所述聚有机硅氧烷固化物膜在膜的任意部位中以15mm×15mm为单位面积的范围内使用光学单元测定其表面缺陷的个数的情况下，表面缺陷的个数优选为0～1个的范围，内部缺陷的个数优选为0～20个的范围。这样的膜可以在净化间等中通过压制工序来得到，此外，也可以通过在具备适当的剥离层的隔离件之间的固化来得到。
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公开(公告)号：CN113631281B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202080023802.8
申请日：2020-02-14
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: B05C13/02 , B05D1/26 , B05D3/00 , B05D7/00 , B05D7/24 , B29C41/28 , B29C41/36 , B29K83/00 , B29L7/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08K5/56 , C08L83/05 , C08L83/07 , C08J5/18 , B05C5/02 , C08K3/08
Abstract: 本发明的目的在于，提供有机聚硅氧烷固化物膜、其用途以及制备方法，该有机聚硅氧烷固化物膜为薄膜且具有优异的平坦性，优选地，膜的表面非常平滑且具有优异的平坦性，可预期相对于负载电压的高介质击穿强度。一种膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm且膜中心的平均厚度在1～20μm的范围内的有机聚硅氧烷固化物膜。这种膜可优选地使用包括在一对支撑辊之间通过张力支撑方式支撑的连续移动的基材上使用狭缝模头涂布固化性有机聚硅氧烷组合物的模头涂布工序的制备方法来获得。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113631281A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023802.8
申请日：2020-02-14
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: B05C13/02 , B05D1/26 , B05D3/00 , B05D7/00 , B05D7/24 , B29C41/28 , B29C41/36 , B29K83/00 , B29L7/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08K5/56 , C08L83/05 , C08L83/07 , C08J5/18 , B05C5/02 , C08K3/08
Abstract: 本发明的目的在于，提供有机聚硅氧烷固化物膜、其用途以及制备方法，该有机聚硅氧烷固化物膜为薄膜且具有优异的平坦性，优选地，膜的表面非常平滑且具有优异的平坦性，可预期相对于负载电压的高介质击穿强度。一种膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm且膜中心的平均厚度在1～20μm的范围内的有机聚硅氧烷固化物膜。这种膜可优选地使用包括在一对支撑辊之间通过张力支撑方式支撑的连续移动的基材上使用狭缝模头涂布固化性有机聚硅氧烷组合物的模头涂布工序的制备方法来获得。
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公开(公告)号：CN113348211A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980090348.5
申请日：2019-12-06
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能实现均匀且薄膜化的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物的聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法。一种膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物的聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法，该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物包含：固化反应性聚有机硅氧烷；固化剂；以及选自(D1)有机系极性溶剂、(D2)低分子硅氧烷系溶剂以及(D3)卤素系溶剂中的一种以上的有机溶剂或它们的混合溶剂，在25℃下，以剪切速率0.1(s‑1)测定出的组合物整体的粘度为100000mPa·s以下，以剪切速率10.0(s‑1)测定出的组合物整体的粘度在5～10000mPa·s的范围内，其触变比为25.0以下。
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公开(公告)号：CN111448274A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880078048.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理作业性优异的电子装置用部件，其即使是包含在物理上脆弱的介电性聚合物硬化物的介电性片材，也不会对其平坦性及性能(柔软性及介电性)造成任何损害。本发明是一种层叠体及其用途，所述层叠体包含(L1)单层或多层的包含具有介电性官能团的聚合物硬化物的高介电性片材及至少1个(L2)压敏粘接层，还可以进一步具有选自(L3)电极层及(L4)非硅酮系热塑性树脂层中的一种以上的层。
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公开(公告)号：CN115038757B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080093861.2
申请日：2020-12-21
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 作为用于换能器设备的电活性聚合物材料所需的性能，可列举出介质击穿强度、杨氏模量、介电常数、厚度以及电机械的不稳定性，它们存在相关关系，但至今为止尚未定义它们的相关关系，因此，为了选择最佳的电活性聚合物材料，需要反复试验来探索优异的材料，因此要求大量劳动力，并且无法提供满足所有要求的电活性聚合物材料。本发明通过包含具有高介电性官能团的化合物、固化物满足下述式的固化性弹性体组合物来实现。[数学式1]#imgabs0#(式中，E为50V/μm～200V/μm的范围的介质击穿强度，α为0.4～0.9的范围的常数，Y为0.001MPa～10MPa的范围的杨氏模量，εγ为100以下的相对介电常数，ε0表示真空的介电常数)。
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公开(公告)号：CN116194294A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180061316.X
申请日：2021-06-21
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: B32B27/00
Abstract: 本发明提供一种层叠体、其用途以及制造方法，该层叠体是将由于如电介质层和电极层那样所要求的功能不同，因此其组成相互不同的固化性聚有机硅氧烷组合物固化而得到的两层以上的聚有机硅氧烷固化物膜层叠而成的层叠体，在构成所述层叠体的固化物膜的界面处不易产生其粘接强度和随动性的不足带来的剥离、缺陷的问题。一种层叠体，其具有将组成不同的聚有机硅氧烷固化物膜层叠两层以上的结构，并且层叠后的固化物膜在其界面处具有化学键合而成的结构，两层以上的该聚有机硅氧烷固化物膜的参与固化反应的官能团的至少一部分共同。优选的是，所述组合物都包含氢化硅烷化反应性基团，并且其组合物中的SiH/Vi比不同，层叠后的固化物膜在其界面处具有通过氢化硅烷化反应而化学键合而成的结构。
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