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公开(公告)号：CN109196025B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201780033235.2
申请日：2017-04-12
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜、其用途和制造方法，所述高介电性薄膜的特征在于，介电常数高，并且薄膜的宽度方向实质上平坦且均匀。一种含氟烷基的有机聚硅氧烷固化物的高介电性薄膜，其中，薄膜宽度方向上末端的厚度与中央的厚度之差为5.0％以内，薄膜中央的厚度在50μm～1000μm的范围内。这样的薄膜可以具有底漆层和平坦化层，可以通过压延工序获得，另外也可以通过在具有剥离层的隔板间的固化而获得。
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公开(公告)号：CN107532002B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201680021170.5
申请日：2016-03-09
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电常数高、透明性也良好的固化性组合物、用于作为其固化物的显示器件的介电层、以及显示器件。本发明还提供一种含有(A)分子中具有至少2个烯基、硅原子上的所有取代基的10摩尔％以上为特定的氟烷基、平均聚合度小于150的、含氟烷基的有机聚硅氧烷；(B)分子中具有至少2个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷，相对于(A)成分的烯基的总量1摩尔，所述有机氢聚硅氧烷成分中的硅原子键合氢原子的量为0.1～1.0摩尔；(C)有效量的用于氢化硅烷化反应的催化剂；以及任意的(D)溶剂的含氟烷基的固化性有机聚硅氧烷组合物、由其构成的固化物及其用途。
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公开(公告)号：CN107207862B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201580074622.1
申请日：2015-12-11
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C08L83/08 , B32B27/00 , C08L83/05 , C08L83/07 , C09J7/38 , C09J7/40 , C09J7/25 , C09J11/06 , C09J183/05 , C09J183/07 , C09J183/08
Abstract: 本发明为含有(A)(R13SiO1/2)a(R22SiO)b(R3SiO3/2)c(SiO2)d{式中，取代基的10摩尔％以上为氟烷基；其他取代基为烷基等，a、b、c、d为满足下述关系式的数：0≤a≤0.5、0≤b≤0.7、0≤c≤1、0≤d≤0.7、0.3≤c+d≤1、a+b+c+d＝1}(B)R43Si(OSiR42)eOSiR43(II){式中，取代基的5摩尔％以上为氟烷基；其他R4中至少2个为烯基}(C)有机氢聚硅氧烷、(D)有效量的氢化硅烷化反应用催化剂、和(E)溶剂的含氟烷基的固化性有机聚硅氧烷组合物。根据本发明，可提供介电常数高、透明性也良好的固化性组合物、作为其固化物的压敏粘接剂、和显示设备。
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