-
公开(公告)号：CN112673056A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980054220.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种聚有机硅氧烷固化物膜、其用途以及制造方法，所述聚有机硅氧烷固化物膜可薄膜化，膜的表面和内部的缺陷的个数极少，示出相对于荷电压高的介质击穿强度。本发明的聚有机硅氧烷固化物膜的平均厚度在1～200μm的范围内，所述聚有机硅氧烷固化物膜在膜的任意部位中以15mm×15mm为单位面积的范围内使用光学单元测定其表面缺陷的个数的情况下，表面缺陷的个数优选为0～1个的范围，内部缺陷的个数优选为0～20个的范围。这样的膜可以在净化间等中通过压制工序来得到，此外，也可以通过在具备适当的剥离层的隔离件之间的固化来得到。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
