公开(公告)号：CN111433307A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880077845.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 户田能乃 ,  須藤学

IPC: C09J7/35 ,  B32B27/00 ,  B81C3/00 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/52

Abstract: 课题本发明提供一种表面具有微粘着性，能够将所切割的半导体芯片等容易地暂时固定至半导体基材上，并且通过二次固化形成对于被粘接体的永久接着性的有机硅系接着片、含有其的积层体、使用其的半导体装置、以及半导体装置的制造方法。解决方法加热前接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式为界面剥离，在50至200℃的范围加热所述接着面后，所述接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式变为凝集破坏，并具有永久接着性的有机硅系接着片；对于所述半导体用晶片粘结膜等的使用；以及具有通过所述有机硅系接着片的固化物将半导体芯片或半导体用晶片固定至基材上的构造的MEMS装置等的半导体装置。

公开(公告)号：CN114945634A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080092842.8

申请日：2020-12-23

Applicant: 陶氏东丽株式会社 ,  美国陶氏有机硅公司

Inventor： 户田能乃 ,  須藤学 ,  J·桑德兰 ,  J·R·索思曼 ,  S·T·克鲁格 ,  N·E·谢泼德

IPC: C08L83/07 ,  C08K5/057 ,  C08L83/05

Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，该固化性聚有机硅氧烷组合物单液形态的保存稳定性优异，即使在较低的温度下也具有良好的固化性和粘接性，并且具有适当的可使用时间。特别是，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，该固化性聚有机硅氧烷组合物即使在80℃以下的温度下固化性也优异，对聚酯、聚苯硫醚等树脂的粘接性优异。一种单液型的固化性聚有机硅氧烷组合物，该单液型的固化性聚有机硅氧烷组合物包含以下的(A)～(E)成分：(A)一分子中具有至少两个烯基的聚有机硅氧烷；(B)一分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的聚有机硅氧烷；(C)氢化硅烷化反应用催化剂；(D)选自由四叔丁氧基钛、二(异丙氧基)双(乙酰乙酸乙酯)钛以及螯合铝络合物构成的组中的缩合反应用催化剂或其缩合反应物；和(E)固化抑制剂，通过固化提供具有5以上的JIS A硬度的硅橡胶组合物。该组合物可以任选地大量包含(H)无机填料等。

公开(公告)号：CN115836112A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180048815.5

申请日：2021-06-21

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 田中尚子 ,  户田能乃 ,  須藤学

IPC: C08K9/10

Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，其即使是一液型组合物，也保持良好的适用期，显示出以紫外线等高能量射线的照射和加热为触发的灵敏且迅速的固化反应性，并且即使是难以照射高能量射线的遮光部分，也不易产生固化不良的问题，具有良好的固化特性。一种固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用其的聚有机硅氧烷固化物的形成方法，该固化性聚有机硅氧烷组合物含有：(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的聚有机硅氧烷；(B)有机氢聚硅氧烷；(C)通过照射高能量射线而显示活性的第一氢化硅烷化催化剂；以及(D)通过软化点在50～200℃的温度范围内的热塑性树脂而微胶囊化而成的第二氢化硅烷化催化剂，优选实质上无需(E)氢化硅烷化反应抑制剂。