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公开(公告)号：CN115003760A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080092658.3
申请日：2020-12-23
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C08L83/07 , C08K5/54 , C08L83/05 , C09D183/07 , C09J183/05 , C09J183/07 , C09D183/05 , C09K3/10
Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，其单液形态的保存稳定性优异，即使在较低的温度下也具有良好的固化性和粘接性，并且具有适当的可使用时间。特别是，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，其即使在80℃以下的温度下固化性也优异，对聚酯、聚苯硫醚等树脂的粘接性优异。此外，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，在根据需要要求迅速固化的情况下，能通过设为高温来实现短时间内的固化。一种单液型的固化性聚有机硅氧烷组合物，其包含以下的(A)～(F)成分：(A)一分子中具有至少两个烯基的聚有机硅氧烷；(B)一分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的聚有机硅氧烷；(C)光活性型氢化硅烷化反应用催化剂；(D)缩合反应用催化剂；(E)固化抑制剂；以及(F)具有至少一个末端三烷氧基硅烷基的增粘剂。
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公开(公告)号：CN106459102B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580034092.8
申请日：2015-05-29
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C07F7/08 , C08G59/10 , C08G77/388 , C08K5/544 , C08L83/05 , C08L83/07 , C08L83/08 , C09J11/06 , C09J183/07 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: C08K5/5442 , C07D405/14 , C07F7/08 , C08G59/10 , C08G77/388 , C08K5/544 , C08L83/08 , C08L2203/206 , C08L2205/025 , C09J11/06 , H01L23/29 , H01L23/296 , H01L23/31 , H01L33/56 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及由通式表示的有机硅氧烷；至少包含(A)一分子中具有至少2个烯基的有机聚硅氧烷、(B)一分子中具有至少2个与硅原子结合的氢原子的有机氢化聚硅氧烷、(C)包含所述有机硅氧烷的粘合促进剂、及(D)氢化硅烷化反应用催化剂的固化性有机硅组合物；以及一种通过所述组合物的固化物对半导体元件密封而成的半导体装置。本发明提供：新型的有机硅氧烷；固化性有机硅组合物，其含有该有机硅氧烷作为粘合促进剂、对于各种基材形成粘合性优异的固化物；以及使用该组合物而成的可靠性优异的半导体装置。
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公开(公告)号：CN116601252A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180080411.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C09J11/06
Abstract: 本发明提供保存稳定性和应力松弛特性优异、没有切割加工时的芯片飞散、崩裂、龟裂等问题、生产效率优异的一体型切割芯片接合用片以及使用其的半导体装置(特别是包含MEMS器件)的制造方法。一种一体型切割芯片接合用片及其使用，其特征在于，具备基膜以及具有与半导体晶片粘合的粘合面的有机硅粘合片，在所述半导体晶片的切割后且加热前的阶段，能够将基膜从有机硅粘合片进行界面剥离，且在将粘合面在50～200℃的范围加热后，从该粘合面的其他非粘合性基材的剥离模式变化为凝聚破坏，显示永久粘合性。
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公开(公告)号：CN114945634A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202080092842.8
申请日：2020-12-23
Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，该固化性聚有机硅氧烷组合物单液形态的保存稳定性优异，即使在较低的温度下也具有良好的固化性和粘接性，并且具有适当的可使用时间。特别是，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，该固化性聚有机硅氧烷组合物即使在80℃以下的温度下固化性也优异，对聚酯、聚苯硫醚等树脂的粘接性优异。一种单液型的固化性聚有机硅氧烷组合物，该单液型的固化性聚有机硅氧烷组合物包含以下的(A)～(E)成分：(A)一分子中具有至少两个烯基的聚有机硅氧烷；(B)一分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的聚有机硅氧烷；(C)氢化硅烷化反应用催化剂；(D)选自由四叔丁氧基钛、二(异丙氧基)双(乙酰乙酸乙酯)钛以及螯合铝络合物构成的组中的缩合反应用催化剂或其缩合反应物；和(E)固化抑制剂，通过固化提供具有5以上的JIS A硬度的硅橡胶组合物。该组合物可以任选地大量包含(H)无机填料等。
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公开(公告)号：CN111433307A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880077845.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C09J7/35 , B32B27/00 , B81C3/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/52
Abstract: 课题本发明提供一种表面具有微粘着性，能够将所切割的半导体芯片等容易地暂时固定至半导体基材上，并且通过二次固化形成对于被粘接体的永久接着性的有机硅系接着片、含有其的积层体、使用其的半导体装置、以及半导体装置的制造方法。解决方法加热前接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式为界面剥离，在50至200℃的范围加热所述接着面后，所述接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式变为凝集破坏，并具有永久接着性的有机硅系接着片；对于所述半导体用晶片粘结膜等的使用；以及具有通过所述有机硅系接着片的固化物将半导体芯片或半导体用晶片固定至基材上的构造的MEMS装置等的半导体装置。
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公开(公告)号：CN106459101B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201580033523.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及通式表示的有机硅化合物、含有该有机硅化合物作为粘合促进剂的氢化硅烷化反应固化性有机硅组合物、以及通过所述组合物的固化物对半导体元件密封而成的半导体装置。本发明提供：新型的有机硅化合物；固化性有机硅组合物，其含有该有机硅化合物作为粘合促进剂、对于有机树脂等基材的初期粘合性及粘合耐久性是优异的并形成高光透过性的固化物；以及使用该组合物而成的可靠性优异的半导体装置。
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公开(公告)号：CN115836112A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180048815.5
申请日：2021-06-21
Applicant: 陶氏东丽株式会社
IPC: C08K9/10
Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，其即使是一液型组合物，也保持良好的适用期，显示出以紫外线等高能量射线的照射和加热为触发的灵敏且迅速的固化反应性，并且即使是难以照射高能量射线的遮光部分，也不易产生固化不良的问题，具有良好的固化特性。一种固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用其的聚有机硅氧烷固化物的形成方法，该固化性聚有机硅氧烷组合物含有：(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的聚有机硅氧烷；(B)有机氢聚硅氧烷；(C)通过照射高能量射线而显示活性的第一氢化硅烷化催化剂；以及(D)通过软化点在50～200℃的温度范围内的热塑性树脂而微胶囊化而成的第二氢化硅烷化催化剂，优选实质上无需(E)氢化硅烷化反应抑制剂。
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公开(公告)号：CN112805335A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980064816.1
申请日：2019-10-15
Applicant: 陶氏东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用该固化性聚有机硅氧烷组合物的图案形成方法，所述固化性聚有机硅氧烷组合物具有适合通过喷射点胶机等微细液滴涂布装置进行精密涂布和微细图案形成的流变特性。本发明优选如下固化性聚有机硅氧烷组合物、使用该固化性聚有机硅氧烷组合物的图案形成方法以及电子器件等，所述固化性聚有机硅氧烷组合物的特征在于，其为氢化硅烷化反应固化性，通过喷射点胶机等进行精密涂布的、应变速率1000(1/s)下的粘度为2.0Pa·s以下且应变速率0.1(1/s)下的粘度成为应变速率1000(1/s)下的粘度的50.0倍以上的值，并且组合物中的硅原子键合芳香族官能团的含量在1.0～6.0质量％的范围内。
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