公开(公告)号：CN114466703A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080069605.X

申请日：2020-08-13

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 北浦英二

IPC: B05D1/00 ,  B05D3/00 ,  B05C11/00 ,  B05C11/10 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种确定涂布图案的形成所需要的涂布量的方法。本发明中的涂布图案的形成方法包括：基于树脂的密度(D)和所述树脂均匀涂布于涂布面整体的情况下的涂布厚度(T)，确定所述树脂的涂布量的步骤；在所述涂布面中确定涂布图案的步骤；以及将确定出所述涂布量的所述树脂依据所述涂布图案涂布于所述涂布面上的步骤。

公开(公告)号：CN116601252A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080411.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 户田能乃 ,  北浦英二 ,  须藤学

IPC: C09J11/06

Abstract: 本发明提供保存稳定性和应力松弛特性优异、没有切割加工时的芯片飞散、崩裂、龟裂等问题、生产效率优异的一体型切割芯片接合用片以及使用其的半导体装置(特别是包含MEMS器件)的制造方法。一种一体型切割芯片接合用片及其使用，其特征在于，具备基膜以及具有与半导体晶片粘合的粘合面的有机硅粘合片，在所述半导体晶片的切割后且加热前的阶段，能够将基膜从有机硅粘合片进行界面剥离，且在将粘合面在50～200℃的范围加热后，从该粘合面的其他非粘合性基材的剥离模式变化为凝聚破坏，显示永久粘合性。