公开(公告)号：CN112805335A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980064816.1

申请日：2019-10-15

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 户田能乃 ,  须藤学

IPC: C08L83/07 ,  B05D1/26 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  C08K3/013 ,  C08L83/05

Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用该固化性聚有机硅氧烷组合物的图案形成方法，所述固化性聚有机硅氧烷组合物具有适合通过喷射点胶机等微细液滴涂布装置进行精密涂布和微细图案形成的流变特性。本发明优选如下固化性聚有机硅氧烷组合物、使用该固化性聚有机硅氧烷组合物的图案形成方法以及电子器件等，所述固化性聚有机硅氧烷组合物的特征在于，其为氢化硅烷化反应固化性，通过喷射点胶机等进行精密涂布的、应变速率1000(1/s)下的粘度为2.0Pa·s以下且应变速率0.1(1/s)下的粘度成为应变速率1000(1/s)下的粘度的50.0倍以上的值，并且组合物中的硅原子键合芳香族官能团的含量在1.0～6.0质量％的范围内。

公开(公告)号：CN116601252A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080411.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 户田能乃 ,  北浦英二 ,  须藤学

IPC: C09J11/06

Abstract: 本发明提供保存稳定性和应力松弛特性优异、没有切割加工时的芯片飞散、崩裂、龟裂等问题、生产效率优异的一体型切割芯片接合用片以及使用其的半导体装置(特别是包含MEMS器件)的制造方法。一种一体型切割芯片接合用片及其使用，其特征在于，具备基膜以及具有与半导体晶片粘合的粘合面的有机硅粘合片，在所述半导体晶片的切割后且加热前的阶段，能够将基膜从有机硅粘合片进行界面剥离，且在将粘合面在50～200℃的范围加热后，从该粘合面的其他非粘合性基材的剥离模式变化为凝聚破坏，显示永久粘合性。

公开(公告)号：CN115003760A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202080092658.3

申请日：2020-12-23

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 户田能乃 ,  须藤学

IPC: C08L83/07 ,  C08K5/54 ,  C08L83/05 ,  C09D183/07 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  C09D183/05 ,  C09K3/10

Abstract: 本发明提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，其单液形态的保存稳定性优异，即使在较低的温度下也具有良好的固化性和粘接性，并且具有适当的可使用时间。特别是，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，其即使在80℃以下的温度下固化性也优异，对聚酯、聚苯硫醚等树脂的粘接性优异。此外，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，在根据需要要求迅速固化的情况下，能通过设为高温来实现短时间内的固化。一种单液型的固化性聚有机硅氧烷组合物，其包含以下的(A)～(F)成分：(A)一分子中具有至少两个烯基的聚有机硅氧烷；(B)一分子中具有至少两个硅原子键合氢原子的聚有机硅氧烷；(C)光活性型氢化硅烷化反应用催化剂；(D)缩合反应用催化剂；(E)固化抑制剂；以及(F)具有至少一个末端三烷氧基硅烷基的增粘剂。

公开(公告)号：CN111051435A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058858.X

申请日：2018-09-11

Applicant: 陶氏东丽株式会社

Inventor： 须藤学

IPC: C08L83/07 ,  B05D1/26 ,  B05D7/24 ,  C08K3/36 ,  C08L83/05

Abstract: 本发明的课题在于提供一种硬化性有机聚硅氧烷组合物及使用其的图案形成方法，所述硬化性有机聚硅氧烷组合物具有适合通过喷射点胶器等微细液滴涂布装置进行精密涂布及微细图案形成的流变特性。本发明适宜的是如下硬化性有机聚硅氧烷组合物、及使用其的图案形成方法，所述硬化性有机聚硅氧烷组合物的特征在于：为硅氢化反应硬化性，通过喷射点胶器等进行精密涂布，应变速率1,000(1/s)下的粘度为2.0Pa·s以下，且应变速率0.1(1/s)下的粘度成为应变速率1,000(1/s)下的粘度的50.0倍以上的值。