研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法

    公开(公告)号:CN1550288A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410043098.5

    申请日:2004-04-09

    CPC classification number: B24B37/205 B24D18/0009

    Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫,一种制造该研磨垫的方法,一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1,2-聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β-环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元,研磨垫在使用期间,浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。

    抛光垫
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1498723A

    公开(公告)日:2004-05-26

    申请号:CN200310120349.0

    申请日:2003-11-05

    CPC classification number: B24B37/24 B24D3/32 B24D3/344 C09K3/1436

    Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料,该材料含有交联聚合物如交联的1,2-聚丁二烯,和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%,当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05-50重量%。另外,在本发明所涉及的抛光垫中,水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1-10重量%,并且在25℃,pH值为3-11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50%以内。另外,这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液,该抛光垫具有良好的浆液保留能力,同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平滑性。

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