抛光垫
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1498723A

    公开(公告)日:2004-05-26

    申请号:CN200310120349.0

    申请日:2003-11-05

    CPC classification number: B24B37/24 B24D3/32 B24D3/344 C09K3/1436

    Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料,该材料含有交联聚合物如交联的1,2-聚丁二烯,和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%,当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05-50重量%。另外,在本发明所涉及的抛光垫中,水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1-10重量%,并且在25℃,pH值为3-11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50%以内。另外,这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液,该抛光垫具有良好的浆液保留能力,同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平滑性。

    抛光垫
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100443263C

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200310120349.0

    申请日:2003-11-05

    CPC classification number: B24B37/24 B24D3/32 B24D3/344 C09K3/1436

    Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料,该材料含有交联聚合物如交联的1,2-聚丁二烯,和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1-10重量%,当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05-50重量%。另外,在本发明所涉及的抛光垫中,水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1-10重量%,并且在25℃,pH值为3-11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50%以内。另外,这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液,该抛光垫具有良好的浆液保留能力,同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平整度。

    抛光垫及抛光半导体晶片的方法

    公开(公告)号:CN1569398A

    公开(公告)日:2005-01-26

    申请号:CN200410038714.8

    申请日:2004-04-22

    CPC classification number: B24B37/205

    Abstract: 一种研磨垫,一种层合研磨垫以及半导体晶片抛光方法,它们都防止浆料从研磨基材和窗口元件之间的间隙中泄漏和因刮伤而造成的抛光效率降低,并能有效进行抛光终点光学检测。该研磨垫包含具有从前侧延伸向背侧的通孔的研磨基材以及安置于该通孔中的光透射元件,并且上述光透射元件的外壁和与该外壁相对的通孔的内壁用可光固化粘合剂(如聚氨酯(甲基)丙烯酸酯)粘合在一起,以在通孔中固定上述光透射元件。

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