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公开(公告)号：CN100451832C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200310120944.4
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·T·A·M·德克森 , S·N·L·当德斯 , C·A·胡根达姆 , J·洛夫 , E·R·鲁普斯特拉 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , T·F·森格斯 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/707 , G03F7/70341 , G03F7/70833 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F9/7088
Abstract: 在光刻投射装置中，液体供给系统将液体保持在投射系统最终元件与光刻投射装置的基底之间。在基底交换的过程中，提供一个遮光构件以代替基底将液体容纳在液体供给系统中。
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公开(公告)号：CN1700098A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510071348.0
申请日：2005-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70875 , B05C9/12 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置，其中供液系统可在投影系统的最后一个元件和基底之间提供浸液。提供一个主动干燥站，用于在浸没基底之后从基底W或其它目标主动去除浸液。
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公开(公告)号：CN1612053A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410095181.7
申请日：2004-10-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： C·A·胡根达姆 , B·斯特里克 , J·C·H·穆肯斯 , E·T·M·比拉亚特 , A·Y·科勒斯恩臣科 , E·R·鲁普斯特拉 , J·J·S·M·梅坦斯 , B·A·斯拉格赫科 , P·A·J·蒂内曼斯 , H·范桑坦
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 液体通过入口提供给投影系统最后元件和基底之间的贮液器。溢流口排出给定水平面上方的液体。该溢流口位于入口之上，这样液体就不断更新且液体压力保持基本恒定。
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公开(公告)号：CN1501173A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310120957.1
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , A·T·A·M·德克森 , C·A·胡根达姆 , A·科勒斯伊辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , T·M·默德曼 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085 , G03F9/7088
Abstract: 在光刻投射装置中，密封构件围绕投射系统的末端元件和光刻投射装置基底台之间间隙。气密封在所述密封构件和所述基底的表面之间形成，以容纳间隙中的液体。
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公开(公告)号：CN102200693B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201110070331.9
申请日：2011-03-21
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70566 , G03F7/70091 , G03F7/70116
Abstract: 本发明公开了一种照射系统和一种光刻设备。所述照射系统包括：偏振构件，和独立可控反射元件的阵列，所述偏振构件包括第一和第二偏振修改器，每一偏振修改器连接至致动器，所述致动器配置成将各个偏振修改器移动成与辐射束至少部分相交，使得所述偏振修改器将修改的偏振施加至所述辐射束的至少一部分，所述独立可控反射元件的阵列定位成在所述辐射束穿过所述偏振构件之后接收所述辐射束，所述照射系统还包括控制器，所述控制器能够控制所述致动器，使得所述第一和第二偏振修改器与所述辐射束的不同部分相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102147574B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110083335.0
申请日：2004-06-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
Abstract: 本发明公开了一种光刻装置和器件制造方法。在所述装置中，投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号：CN101520611B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910133537.4
申请日：2005-04-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·Y·科勒斯恩臣科 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多纳斯 , C·A·胡根达姆 , H·詹森 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , F·G·P·皮特斯 , B·斯特里科克 , F·J·H·M·特尤尼斯森 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , G03F7/70908
Abstract: 本发明公开一种湿浸式光刻装置的基底台，包括用于收集液体的阻挡构件。该阻挡构件环绕基底并与基底分隔开。按照这种方式，可以收集从供液系统溢出的任何液体，并降低光刻投影装置的精密部件受污染的危险。
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公开(公告)号：CN101713932B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910206096.6
申请日：2003-11-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·洛夫 , E·T·M·比拉亚尔特 , H·布特勒 , S·N·L·唐德斯 , C·A·胡格达姆 , A·科勒斯伊辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·J·S·M·默顿斯 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里夫克 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/7085 , G03F7/70866
Abstract: 本发明提供一种光刻装置和器件制造方法，其中光刻装置包括：用于支撑构图部件的支撑结构，构图部件用于根据理想的图案对辐射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统；以及用于用液体至少部分填充投射系统与基底、或与放置在基底台上的传感器、或者与基底和传感器两者之间的空间的液体供给系统；其中，基底台还包括边缘密封构件，边缘密封构件至少部分环绕基底的边缘、或传感器的边缘、或者基底和传感器两者的边缘，并且用于提供面向投射系统基本上与基底、或传感器、或基底和传感器两者的主表面共面的主表面，其中液体供给系统向传感器和/或边缘密封构件和/或基底的局部区域提供液体。
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公开(公告)号：CN1713075B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200510079476.X
申请日：2005-06-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 本发明公开了一种光刻投影装置。该装置包括一配置成调节辐射光束的照射系统和一配置成支撑构图部件的支撑结构。该构图部件用于在辐射光束的横截面将图案赋予给辐射光束。该装置还包括一配置成保持基底的基底台，一配置成将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统，以及一配置成将流体提供给一个容积的流体供给系统。该容积包括至少一部分投影系统和/或至少一部分照射系统。该装置还包括一配置成将流体供给系统连接到基底台、基底、支撑结构、构图部件、或其任何组合的连接部件。
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公开(公告)号：CN101520611A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910133537.4
申请日：2005-04-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·Y·科勒斯恩臣科 , J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多纳斯 , C·A·胡根达姆 , H·詹森 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , F·G·P·皮特斯 , B·斯特里科克 , F·J·H·M·特尤尼斯森 , H·范桑坦
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , G03F7/70908
Abstract: 本发明公开一种湿浸式光刻装置的基底台，包括用于收集液体的阻挡构件。该阻挡构件环绕基底并与基底分隔开。按照这种方式，可以收集从供液系统溢出的任何液体，并降低光刻投影装置的精密部件受污染的危险。
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