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公开(公告)号：CN106847891B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710099683.4
申请日：2017-02-23
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及RC‑IGBT，属于半导体功率器件领域，包括从上至下设置的阴极层、N‑漂移区、N缓冲层和集电区，集电区包括同层设置的N集电区和P集电区，阴极层内间隔设置有若干多晶硅栅电极，每个栅电极被SiO2栅氧化层包围；RC‑IGBT器件从左到右为有源区、过渡区和结终端区，结终端区底层完全由N集电区构成。本发明利用结终端区集成了体二极管，结终端的场限环P‑ring作为二极管的阳极，结终端区底层的N集电区作为二极管的阴极，其导通状态受集成在过渡区的MOSFET的控制。本发明所提出的RC‑IGBT器件在正向导通IGBT模式下能彻底消除snapback现象，且正向导通压降降低了19.4%，这种结构大大提高了RC‑IGBT的性能。
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公开(公告)号：CN109742090A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910023563.5
申请日：2019-01-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N-Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P-Collector对电流的阻挡作用，复合型RC-LIGBT的反向导通能力优于传统RC-LIGBT。本发明的复合型RC-LIGBT工艺与传统RC-LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。
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公开(公告)号：CN117525129B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311650492.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔离分为三个部分，其中靠近源极和靠近漏极部分的p‑GaN与栅极形成肖特基接触，中间部分的p‑GaN与栅极形成欧姆接触。本发明提供的p‑GaN HEMT器件利用靠近漏极的栅极的屏蔽作用，使得靠近源极的栅极与中间栅极的电势稳定，不会受到外部漏极偏置应力的影响；与此同时，中间部分p‑GaN与栅极形成的欧姆接触为释放高漏压偏置下产生的电荷提供了路径，从而提高了器件阈值电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN119542907A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411644079.1
申请日：2024-11-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01S5/026
Abstract: 本发明涉及一种基于混合集成的绿光半导体激光器，属于光电子集成技术领域。该激光器包括通过BCB键合层键合的氮化硅芯片和氮化镓芯片，其中氮化镓芯片用于产生激光并耦合进入氮化硅芯片中。氮化硅芯片中设置有接收单元、选模单元和反射输出单元。接收单元用于接收氮化镓芯片耦合进入的激光；选模单元用于实现激光的纵模选模压窄；反射输出单元用于实现激光的反射增强，并输出经过选模和线宽压窄的激光。本发明可以实现高质量的基于混合集成的绿光半导体激光器，可以避免氮化镓波导制备难度大，激光器线宽窄、与硅基光子芯片集成难等难题，为生物监测和可见光通信等应用提供一种绿光半导体激光器实现方案。
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公开(公告)号：CN119519443A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411653422.9
申请日：2024-11-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M7/00 , H01R25/14 , H02M1/00 , H02M1/32 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/538 , H01L25/07 , H10D80/20
Abstract: 本发明属于功率模块封装技术领域，具体涉及一种半导体功率模块封装结构，包括绝缘基板、金属铜层、功率端子、信号端子和功率芯片；所述金属铜层设置在所述绝缘基板表面，所述功率端子、信号端子、功率芯片均设置在所述绝缘基板上且与所述金属铜层电连接。本发明在功率回路中，采用连接铜夹的方式来代替传统键合线的方式可提高模块在高温工作下的热力可靠性；采用上桥芯片连接铜夹将上桥中功率芯片的源极与交流端子母排进行电连接方式；采用下桥芯片连接铜夹将功率芯片与直流负极端子母排直接电连接的方式，解决了半导体功率模块的寄生参数过高引起的电压过高以及高温工作下的热力可靠性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118677218B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410721980.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。
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公开(公告)号：CN118712222A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410744959.X
申请日：2024-06-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件，属于微电子领域。该器件通过在电流阻挡层内嵌入了InGaN/AlN/InGaN复合电流阻挡层，由靠近源极的InGaN层、AlN层和靠近电流孔径层的InGaN层组成。本发明由于电流阻挡层采用InGaN/AlN/InGaN复合结构，嵌入的InGaN层通过形成次沟道有效提升了器件的输出特性；与此同时，引入的GaN/AlN异质结加速了沟道二维电子气的耗尽，从而抑制了次沟道引起的阈值电压负漂，极大增强了器件的栅控能力。
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公开(公告)号：CN118677218A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410721980.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。
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公开(公告)号：CN118263322A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410349902.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种集成嵌入式源沟道低势垒二极管的非对称沟槽SiC‑MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在传统非对称沟槽SiC‑MOSFET器件的P+屏蔽区中刻蚀一个源极沟槽多晶硅和源极N+区，同时在沟槽源极旁引入低势垒的P‑base沟道，P‑base耗尽层电荷使能带发生弯曲，从而在SiC/SiO2界面处形成由JFET区指向N+源区的LBD。LBD开启压降为1.9V，约为PN结体二极管的2/3。通过LBD对空穴的抑制作用消除双极退化效应。此外，本发明将部分沟槽栅变为虚拟栅，减小栅极覆盖漂移区的面积，降低栅漏电荷和反馈电容，提高了器件的开关速度，降低了开关损耗。
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公开(公告)号：CN117747591A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311659962.3
申请日：2023-12-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , B82Y40/00 , C25D11/04 , C25D11/24 , C25D3/46 , C25D5/00
Abstract: 本发明涉及垂直纳米银棒阵列芯片互连材料及其制备方法和互连方法，属于电力电子器件封装技术领域。互连材料的制备方法包括：(1)在金属化陶瓷基板表面上依次沉积制备银膜和铝膜；(2)在铝膜表面涂敷屏蔽剂，留出互连材料的生长区域；(3)对互连材料生长区域对应的铝膜进行阳极氧化，腐蚀出氧化铝通道模板；(4)碱液宽化氧化铝通道；(5)在氧化铝通道模板中电化学沉积出纳米银棒；(6)去除屏蔽剂和氧化铝通道模板。该方法将制备的直径、高度、间距、面积均可调节的垂直纳米银棒阵列用于芯片和基板的连接中，避免了有机溶剂介入和焊膏印刷过程，可简化芯片互连工艺流程，实现芯片大面积均匀互连，以及芯片和基板间垂直热‑电导通。
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