公开(公告)号：CN109742090A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910023563.5

申请日：2019-01-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军 ,  秦窈

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N-Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P-Collector对电流的阻挡作用，复合型RC-LIGBT的反向导通能力优于传统RC-LIGBT。本发明的复合型RC-LIGBT工艺与传统RC-LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。

公开(公告)号：CN109742090B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201910023563.5

申请日：2019-01-10

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军 ,  秦窈

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N‑Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P‑Collector对电流的阻挡作用，复合型RC‑LIGBT的反向导通能力优于传统RC‑LIGBT。本发明的复合型RC‑LIGBT工艺与传统RC‑LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。