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公开(公告)号：CN116344605A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310562730.X
申请日：2023-05-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑CS区、P‑shield区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑shield区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑CS区作为衬底。其中自偏置PMOS的栅极和漏极通过金属电极短接在一起从而实现了自偏置功能，栅氧化层与普通NMOS的栅氧化层处于同一平面无需额外制造工艺，便于集成。本发明关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了24％，大幅改善了器件的关断损耗与通态压降之间的折中关系；同时本发明的抗短路性能优异，在外加短路电压为150V时，器件短路工作时间为14.8μs。
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公开(公告)号：CN113097310B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110362550.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低Ron,sp，最终提高了Baliga优值FOM。
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公开(公告)号：CN111326576B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010092899.X
申请日：2020-02-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种具有纵向分离阳极结构的SALIGBT器件，属于半导体功率器件领域。本发明将传统SA‑LIGBT的N+阳极和P+阳极分离，将N+阳极设置在器件内部，通过增加N+阳极的纵向深度，延长单极性导电模式下电子的流动路径；N+阳极下方P型浮空层可以增大器件的阳极分布电阻，通过调节N+阳极的纵向深度和P型浮空层的掺杂浓度，完全消除snapback效应。本发明利用了器件的纵向长度减少芯片面积；正向导通时，新结构LIGBT的正向导通压降为0.91V，相比于分离阳极短路型LIGBT和常规阳极短路LIGBT分别减少了6.2％和24％；关断时，N+阳极可以快速抽取漂移区中的电子，其关断时间为370ns，相比于传统LIGBT和介质隔离型LIGBT减少了82％和23％。
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公开(公告)号：CN115276864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210621336.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于LoRa技术的DMB终端状态信息接收系统，属于无线信号技术领域。针对DMB广播系统只能单向完成数据信息的传输，无法反馈运行错误或播报信息错误的问题，提出一种基于LoRa的数字多媒体广播(Digital Multimedia Broadcasting)状态检测系统和一种基于轮询的LoRa自组网方式。其中，在节点终端和网关设备增加了LoRa射频模块，可以将DMB终端运行的信息传输至中控端，实现终端在无法正常工作时能及时反馈到后台，为DMB应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN113517942B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110797001.3
申请日：2021-07-14
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种面向应急通信的多通道数字短波发射基带系统，属于通信技术领域。包括数据输入转换模块、FPGA部分、ARM硬核部分以及AD9957部分；实现多路数字短波发射机基带信号调制以提高信息传输速率，采用SoC架构来搭建这个信号传输的发射系统，提高了系统集成度，同时结合设计的上变频电路实现基带信号的上变频，将基带信号调制到合适的短波波段发送，达到数字短波发射机的基本功能。本发明可同时实现多任务，多通道的数据业务的传送，即在一套发射机板上完成多套节目的发送。发射机的节目传输数量可由控制电路灵活配置以满足不同的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114781607A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210410697.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及基于FPGA自适应数据加载的卷积神经网络加速方法，属于计算机技术领域。该方法通过从DDR中读取到的param判断卷积层的硬件资源利用率是否充足，如果判断利用率不够，则在该卷积层的计算过程中自适应地从DDR读取出倍数关系的权重；读取数据以及权重完成之后，分别用读取的权重数据与相同的输入数据进行卷积运算，得到数据量翻倍的输出。本发明更有效地利用FPGA上的RAM硬件资源，可在少量增加RAM资源且不增加额外DSP资源的情况下，起到提高算子硬件利用率，减少加速器输入数据所用时间并提升整体加速效率。
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公开(公告)号：CN112506029B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011460350.8
申请日：2020-12-11
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明涉及一种采用多个环形延迟链的TDC电路系统，属于时间精密测量领域。该系统包括延迟器、与门电路和D触发器，且该系统通过将START信号同时引入环形结构的延迟线，然后在STOP信号来临时也同时引入各个延迟线上D触发器的时钟端口对延迟线状态进行采样，计算通过延迟单元的个数。本发明通过将每个环形延迟线的首个延迟单元以及末位的延迟单元用与门以及反相器代替，但延迟时间通过设计与其他延迟单元一致，这样此结构在不耗费其他资源的条件下，减少使用延迟单元以及触发器就达到了传统结构所达到的测量效果。
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公开(公告)号：CN112653479B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011486707.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明涉及一种支持单频网功能的DMB基带SoC，属于芯片系统设计领域。该Soc包括GPS模块、LCD屏幕、LCD驱动电路、以太网控制器、单频网适配器、RISC‑V处理器、COFDM编码器、RAM、Flash、SPI接口和成型滤波器。本发明有助于提高发射机的集成度，缩小发射机的体积，降低发射机的功耗，同时DMB基带SoC中单频网适配器电路模块优化了电路结构，使用自适应校准方法，使得电路在降低电路规模的同时，提高频率校准精度。
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公开(公告)号：CN110995395B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201911228528.3
申请日：2019-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种用于DMB文件传输的信道编码方法，属于数字多媒体广播领域。该方法包括：编码过程：首先将待传输数据进行改进的TPEG编码；然后将经过改进的TPEG编码后的数据依次经过RS编码、数据交织和LDPC编码；再经过OFDM调制后发送至信道传输；译码过程：将从信道接收的编码后的数据依次经过OFDM解调、LDPC译码、解交织、RS译码和TPEG译码，最后得到接收数据的译码结果，从而计算出误码率。本发明能够支持大文件的传输，根据传输的文件类型和信号强度选择不同的编码方式，并且能够支持对终端的简单管理。并且使用RS和LDPC级联作为其纠错码，提高纠错性能增加编码增益。
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公开(公告)号：CN113540224A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110812047.8
申请日：2021-07-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上，从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。
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