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公开(公告)号：CN105070755A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510490489.X
申请日：2015-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/1079 , H01L29/165 , H01L29/66431 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种基于SiGeSn-GeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有基于IV族材料的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)和漏极(4)。沟道采用Sn组分为[0.05,0.12]的单晶GeSn材料；源极和漏极均采用Ge组分为[0.2,0.5]，Sn组分为[0.1，0.2]的SiGeSn复合材料；源极、沟道、漏极依次竖直分布，且沟道外部依次包裹有绝缘介质(5)与栅电极(6)。本发明通过源极SiGeSn与沟道GeSn两种材料相互接触，形成II型异质隧穿结，降低了隧穿势垒高度，增大了隧穿几率和器件的隧穿电流，可用于制作大规模集成电路。
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公开(公告)号：CN104538551A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410827270.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/441
Abstract: 本发明公开了一种基于FTO/c-TiO2阴极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，主要解决现有钙钛矿太阳能电池能级不匹配和界面特性差的问题。其自下而上包括：衬底(1)、阴极(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)、阳极(6)，其中阴极(2)，采用氟掺杂氧化锡FTO，用于收集电子，电子传输层采用致密二氧化钛c-TiO2，用于修饰界面，阻挡空穴，传输电子。本发明通过旋涂前驱体溶液制备c-TiO2电子传输层，降低了FTO电极的功函数，实现了FTO和CH3NH3PbI3之间的能级匹配，改善了界面特性，有效提高了平面结构钙钛矿太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN103928503A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410166259.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlGaN纳米线制备成本高，生长效率低的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层5-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlGaN纳米线。本发明具有制备成本低，生长速率快的优点，可用于制作高性能极性AlGaN纳米器件。
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公开(公告)号：CN103928501A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410165353.7
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L29/201 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InN纳米线。本发明具有成本低，生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InN纳米器件。
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公开(公告)号：CN103745993A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410030986.7
申请日：2014-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0634 , H01L29/402 , H01L29/42356 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上有源极、栅极、漏极、线性AlGaN层、柵源场板、P型GaN（或InGaN）层、基极，栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层。本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，达到了提高器件击穿电压的目的；栅源场板确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，提高了击穿电压；绝缘栅结构避免了栅极泄漏电流，提高了器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103745992A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410030942.4
申请日：2014-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/402 , H01L29/42356 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于复合漏极的AlGaN/GaN？MISHEMT高压器件及其制作方法，器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有：源极、栅极和复合漏极，栅极与AlGaN势垒层之间设置有绝缘介质层；在栅极与复合漏极之间的AlGaN势垒层上方依次外延有线性AlGaN层、P型GaN外延层、基极。本发明的有益之处在于：器件导通时，栅漏间第一区域和第二区域的2DEG浓度增加，电阻减小；器件截止时，第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，器件耗尽区的宽度增加，电场分布改变，器件击穿电压提高；复合漏极结构防止了漏极边缘出现电场峰值，提高了器件的击穿电压；绝缘栅结构避免了栅极泄漏电流，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN103745991A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410029857.6
申请日：2014-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0634 , H01L29/402 , H01L29/42356 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上依次有：源极、栅极和漏极，在源极与栅极之间、栅极与漏极之间还形成有线性AlGaN层、柵源场板、P型GaN（或InGaN）层、基极。本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布，达到了提高器件击穿电压的目的；本发明采用栅源场板，确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，达到了提高击穿电压的目的。
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公开(公告)号：CN117750849B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410185947.8
申请日：2024-02-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积柔性钙钛矿太阳电池的制备方法及电池，制备方法包括：将带有保护膜的柔性透明导电基底贴合在刚性基底上；通过激光划刻方式去除柔性透明导电基底上的部分导电层；依次制备电荷传输层、钙钛矿活性层和电荷传输层；通过激光划刻方式去除部分电荷传输层、钙钛矿活性层和电荷传输层；制备金属电极层；通过激光划刻方式去除部分金属电极层、电荷传输层、钙钛矿活性层和电荷传输层；将柔性透明导电基底与刚性基底分离得到大面积柔性钙钛矿太阳电池。本发明的三次激光划刻采用同一种波长激光，降低了生产成本；通过将柔性透明导电基底贴合在刚性基底上，解决了大面积柔性基底在制备太阳电池过程中易弯曲、难以进行激光划刻的问题。
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公开(公告)号：CN117673185B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410149750.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/05 , H01L31/048 , H01L31/18 , H10K39/15 , H10K39/18 , H10K30/88 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/00 , D03D15/50 , D03D15/533
Abstract: 本发明公开了一种包芯纱工艺封装的叠层电池组件，包括叠层子电池、导电纤维芯线和外包透明纤维，其中，叠层子电池通过导电纤维芯线依次串联，得到叠层电池组件，前一个叠层子电池的阴极通过导电纤维芯线与后一个叠层子电池的阳极连接；外包透明纤维以包芯纱工艺，包覆在叠层电池组件的外部，以对叠层电池组件进行封装；位于叠层电池组件两端的导电纤维芯线从外包透明纤维两端伸出。本发明通过包芯纱工艺，将微型的叠层子电池串联后，利用外包透明纤维直接封装成一定长度的可纺纱线，可以将光伏发电集成于可穿戴织物的纱线，实现光伏组件的高效可穿戴集成。
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公开(公告)号：CN117059674B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311328044.2
申请日：2023-10-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及一种复合终端结构的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，二极管包括：N型氧化镓衬底层、N型氧化镓外延层、第一金属层、P型材料层、介质层和第二金属层；第一金属层、N型氧化镓衬底层、N型氧化镓外延层自下而上依次层叠；P型材料层位于N型氧化镓外延层的部分表面上，且具有自N型氧化镓外延层的露出表面至两侧厚度逐渐增加的第一级斜面；介质层位于P型材料层的部分表面上，且具有自P型材料层的露出表面至两侧厚度逐渐增加的第二级斜面；第二金属层覆盖N型氧化镓外延层的露出表面、第一级斜面、P型材料层的露出表面和第二级斜面的部分表面。该二极管形成双斜面双台面器件结构，可以有效改善器件结边缘的电场集中效应。
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