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公开(公告)号：CN118367019A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410463874.4
申请日：2024-04-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高注入能量的热电子晶体管及其制备方法，该热电子晶体管包括衬底、外延结构和金属电极；外延结构包括由下自上堆叠的缓冲层、n+GaN集电极欧姆接触层、UID‑GaN集电极层、第一AlGaN集电极势垒层、第二AlGaN集电极势垒层、n型GaN基区层、ScAlN隧穿势垒层、AlGaN发射极势垒层和GaN发射极帽层；集电极堆叠在n+GaN集电极欧姆接触层上；基极堆叠在ScAlN隧穿势垒层上；发射极堆叠在GaN发射极帽层上。本发明通过设计发射‑基极势垒，提高发射极注入电子能量，减小从发射到基极的低能电子泄露，减小基区弛豫电子比例，提高了集电极收集效率，提高了器件的电流密度和电流增益。
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公开(公告)号：CN117673185B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410149750.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/05 , H01L31/048 , H01L31/18 , H10K39/15 , H10K39/18 , H10K30/88 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/00 , D03D15/50 , D03D15/533
Abstract: 本发明公开了一种包芯纱工艺封装的叠层电池组件，包括叠层子电池、导电纤维芯线和外包透明纤维，其中，叠层子电池通过导电纤维芯线依次串联，得到叠层电池组件，前一个叠层子电池的阴极通过导电纤维芯线与后一个叠层子电池的阳极连接；外包透明纤维以包芯纱工艺，包覆在叠层电池组件的外部，以对叠层电池组件进行封装；位于叠层电池组件两端的导电纤维芯线从外包透明纤维两端伸出。本发明通过包芯纱工艺，将微型的叠层子电池串联后，利用外包透明纤维直接封装成一定长度的可纺纱线，可以将光伏发电集成于可穿戴织物的纱线，实现光伏组件的高效可穿戴集成。
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公开(公告)号：CN102306381B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110148499.7
申请日：2011-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T5/50
Abstract: 本发明公开了一种结合小波与Beamlet变换的图像融合方法，克服了现有技术基于小波变换的图像融合方法在图像边缘和细节位置模糊的不足，实现的步骤为：(1)输入源图像；(2)小波分解；(3)低频子带系数融合；(4)提取图像边缘；(5)计算边缘密度及差值；(6)高频系数融合；(7)一致性校验；(8)图像重构；(9)输出融合图像。本发明利用Beamlet变换有效的提取图像的边缘信息，并将其参与到图像的融合中，减少了噪声对于融合结果的干扰，最终得到边缘细节特征更为明显的融合图像。
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公开(公告)号：CN113823736A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110982658.7
申请日：2021-08-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种易失型忆阻式PUF器件及其制备方法、装置和PUF加密芯片，使用水溶性惰性金属材料，在衬底上制备底电极，在底电极上沉积活性金属材料，得到底层活性金属层，使用水溶性介质材料，在底层活性金属层上制备阻变转换层，以与底电极呈十字交叉的方向，在阻变转换层上沉积活性金属材料，得到顶层活性金属层，使用水溶性惰性金属材料，在顶层活性金属层上制备顶电极，得到易失型忆阻式PUF器件。可以按照实际需求便捷地控制PUF器件的功能自销毁，对于PUF密钥的安全防护具有广泛适用性。另外，材料溶解后的水解产物具有良好的生物兼容性，绿色环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113809232A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110984127.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置，使用惰性金属材料，在衬底上制备底电极，将聚乙烯醇溶液滴在所述底电极上，以使聚乙烯醇溶液覆盖所述底电极的面积大于所述底电极表面积的一半，使用旋涂机进行旋涂，以使聚乙烯醇溶液分散于所述底电极表面，得到阻变功能层，使用活性金属材料，在所述阻变功能层上制备顶电极，得到物理瞬态阈值开关器件。该方法绿色环保，且适用于大面积旋涂，制备过程较为简洁，有助于大面积、高质量的物理瞬态阈值开关器件的制备。另外，物理瞬态阈值开关器件可以在溶液环境中实现触发式自销毁，保障了数据的安全存储。
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公开(公告)号：CN107863291B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711091798.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/28
Abstract: 一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，包括以下步骤：在GaN异质结平面材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤；二号光刻胶采用PMMA‑MAA胶，PMMA‑MAA胶的灵敏度高于PMAA，光刻剂量低于PMMA；再在二号光刻胶上涂覆三号光刻胶并烘烤；三号光刻胶仍采用PMMA‑MAA胶；三号光刻胶的烘烤温度低于二号光刻胶的烘烤温度；随后经过电子束光刻、显影以及剥离工艺，最终形成带有undercut结构的T型栅结构。本发明能够更加便捷和可靠的制备T型栅。
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公开(公告)号：CN107863291A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711091798.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/0272 , H01L21/0277 , H01L29/401
Abstract: 一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，包括以下步骤：在GaN异质结平面材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤；二号光刻胶采用PMMA-MAA胶，PMMA-MAA胶的灵敏度高于PMAA，光刻剂量低于PMMA；再在二号光刻胶上涂覆三号光刻胶并烘烤；三号光刻胶仍采用PMMA-MAA胶；三号光刻胶的烘烤温度低于二号光刻胶的烘烤温度；随后经过电子束光刻、显影以及剥离工艺，最终形成带有undercut结构的T型栅结构。本发明能够更加便捷和可靠的制备T型栅。
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公开(公告)号：CN118645526A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410794620.0
申请日：2024-06-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种以ScAlN为势垒层的多沟道MOSHEMT器件及制备方法，包括：层叠设置的衬底、成核层和缓冲层；多沟道势垒层，位于缓冲层上方，多沟道势垒层包括层叠设置的第一单元和多个第二单元；第一单元包括层叠设置的第一GaN层和第一势垒层；第一势垒层包括AlN层和第一ScxAl1‑xN层；第二单元包括层叠设置的第二GaN层和第二势垒层；第二势垒层包括AlN层和第二ScxAl1‑xN层；第一ScxAl1‑xN层和第二ScxAl1‑xN层具有极化强度高、以及第一ScxAl1‑xN层和第二ScxAl1‑xN与GaN晶格匹配特征；极化强度高可以产生更高密度的二维电子气，从而减小开态电阻和开态损耗；晶格匹配可以避免应变弛豫，从而实现更多的沟道，进而通过沟道数目的增加减小开态电阻和开态损耗。
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公开(公告)号：CN115483347A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211038115.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法，可重构型忆阻器包括：衬底、底电极、阻变功能层和若干顶电极，底电极位于衬底上，底电极的材料采用水溶性金属材料；阻变功能层包括第一水溶性介质层和第二水溶性介质层，第一水溶性介质层位于底电极上，第二水溶性介质层位于第一水溶性介质层上，第一水溶性介质层的材料包括第一水溶性介质材料，第二水溶性介质层的材料包括第二水溶性介质材料；若干顶电极阵列分布在第二水溶性介质层上。该可重构型忆阻器可溶于水溶液中，当存内计算芯片的应用环境受到威胁，只需将其暴露在水溶液的触发式环境中就可保障存储在忆阻器阵列中的信息不被泄漏，赋予其特定环境中的应变能力从而保障信息安全。
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