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公开(公告)号：CN118034443A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410291009.6
申请日：2024-03-14
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种自偏置结构的PTAT电流产生电路，涉及开关电源技术领域，用以提高参考电流源的抗干扰能力。该电路在自偏置电路上，加入了4个三极管，Q1、Q2的集电极分别连接到自偏置电路，Q1的基极与Q2的基极相连，Q2的基极和集电极相连；Q1的发射极分别连接Q3的集电极和Q4的基极，Q2的发射极分别连接Q4的集电极和Q3的基极；Q3的发射极经电阻R1接地，Q4的发射极接地；电流源由自偏置电路输入；PMOS管M1镜像自偏置电路的电流。相较于传统参考电流源，本发明结构更简单、性能更好且与电源电压、温度无关，并改进了电流源的自偏置结构，从而进一步提高了参考电流源的精度。
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公开(公告)号：CN117910426A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410088567.2
申请日：2024-01-22
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/398 , G16C10/00
摘要： 一种利用二维查找表耦合注入评估锗硅工艺模拟电路单粒子效应的方法、系统、设备及介质，方法包括：搭建器件模型、搭建模拟电路、验证模拟电路、选择入射粒子、设定偏压选择范围、构建二维查找表、模拟耦合注入电路；系统、设备及介质：用于实现一种利用二维查找表耦合注入评估锗硅工艺模拟电路单粒子效应的方法；本发明能够实现SiGe HBT模拟电路单粒子效应的仿真评估，相比于目前的二维查找表应用，可以在模拟电路层面实现SiGe HBT电路的耦合注入，并进行下一步的分析；相比于实验室级的单粒子瞬态效应SET注入实验，具有节省时间、经费，便于初步验证等优点。
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公开(公告)号：CN116404990A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310301720.0
申请日：2023-03-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种误差放大器输出高低钳位电路，通过利用了基准电压VREF受温度工艺电压影响小、MOS管VGS与ID的关系以及比较器的特性，将误差放大器的输出与钳位电压的最小值进行比较，当误差放大器的输出低于最小钳位电压时，比较器输出翻转将误差放大器的输出拉高，保证误差放大器的输出不小于最小值VGS；当误差放大器的输出高于最大钳位电压时，通过下拉电流将误差放大器的输出拉低，保证了整体环路的稳定性，给系统提供准确的信号处理与环路控制。
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公开(公告)号：CN110968960B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201911282086.0
申请日：2019-12-13
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明实施例公开了一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置。该总剂量效应缺陷模型的确定方法包括：构建晶体管三维结构模型；获取初始空穴陷阱电荷参数至晶体管三维结构模型，形成初始辐射缺陷损伤模型；基于晶体管三维结构模型中设定的物理模型和数值求解方法，计算初始辐射缺陷损伤模型的初始归一化过剩基极电流；确定初始归一化过剩基极电流为预设初始归一化过剩基极电流时，根据初始空穴陷阱电荷参数以及预设的每相邻两个辐射剂量点的归一化过剩基极电流之间的比例关系确定不同辐射剂量点对应的空穴陷阱电荷参数，形成不同辐射剂量点下的总剂量效应缺陷模型。
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公开(公告)号：CN114679040A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210306579.9
申请日：2022-03-25
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种限流保护电路，功率开关单元用于根据功率管电流大小切换于电阻模式和/或恒流源模式，并包括第一输入端、第二输入端和第一输出端；电流检测单元用于检测功率管电流，并将功率管电流传输至误差放大器单元，并包括第三输入端、第四输入端、第五输入端和第二输出端；误差放大器单元用于根据功率管电流形成的电压和基准电压对功率开关单元进行驱动，并包括第六输入端、第七输入端、第八输入端和第三输出端；第一输入端、第五输入端和第八输入端同时连接输入电压，第三输出端同时连接第二输入端和第四输入端，第一输出端同时连接第三输入端和输出电压，第六输入端连接第二输出端，第七输入端连接基准电压。
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公开(公告)号：CN111565372A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010342221.2
申请日：2020-04-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种有向传感器网络优化部署系统和方法，解决了现有有向传感器网络计算量大、搜索速度慢，复杂度高的不足。部署系统由初始化随机部署模块、加权离散化模块、最小曝光路径搜索模块和优化部署模块依次首尾相连，实现对部署区域的覆盖质量的提高。部署方法包括：确定部署区域并随机初始部署传感器，设最小曝光度目标值；用粒子群算法搜索最小曝光路径；确定最优部署点并部署有向传感器；得到最优部署方案。本发明使用粒子群算法搜索最小曝光路径，找到最优部署点并部署有向传感器，有效改善最小曝光路径，提高部署区域覆盖率，搜索速度快，计算简便，效率高，用于有向传感器网络的优化部署。
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公开(公告)号：CN111555924A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010422274.5
申请日：2020-05-18
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于智慧公路系统的网关设备优化部署方法，主要解决系统中网关设备部署不合理导致网络可靠性和运行效率低的问题。其方案是：针对网关数量、网关负载均衡和数据传输代价构建网关设备部署优化模型；对网关设备的备选部署位置进行初始化；在备选部署位置中选择若干个位置作为网关设备的实际部署位置，形成一个网关设备的部署方案；循环执行多次，形成由多个设备部署方案组成的网关设备部署方案集E；根据优化目标构建适应度函数，以适应度函数值作为寻优指标，对设备部署方案集E进行迭代寻优和方案更新，得到网关设备的最优化部署方案。本发明提高了系统网络的稳定性、可靠性和运行效率，可用于智慧公路系统的信息化、网络化建设。
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公开(公告)号：CN107222900B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710254446.0
申请日：2017-04-18
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本申请公开了一种基于动态链的无线传感器网络节点协作方法。所述方法的一具体实施方式包括：在目标周围建立跟踪链来跟踪目标，随着目标的移动，跟踪链逐渐增加或者删除其中的节点；跟踪链的每个节点接收来自上游节点发送的感应数据，并把该数据和自己所观测到的数据进行融合处理后生成新的数据发送给下游节点，直至链头节点，链头节点把接收到的所有感应数据和自己节点所观测到的数据进行融合后发送给汇聚节点；跟踪链上的每个节点轮流担任链头节点。该方法一方面很好的解决了目前基于动态簇或树结构中当目标位置改变时，簇或树需要被重新建立而产生较大开销的问题，另一方面使跟踪节点的感应数据可以在局部被融合，从而提高网络的数据传输效率。
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公开(公告)号：CN110927553A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911284061.4
申请日：2019-12-13
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法。包括：对多个待测晶体管进行初始电学特性测试；多个待测晶体管组成多个待测晶体管组；每个待测晶体管组包括第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组；对多个待测晶体管组分别设定不同的偏置电压；选择第一和第二剂量率分别对设定于不同偏置电压的第一子待测晶体管组和第二子待测晶体管组进行n次60Co伽马射线辐照；每次60Co伽马射线辐照后分别对第一子待测晶体管组中的待测晶体管和第二子待测晶体管组中的待测晶体管进行辐照电学特性测试；根据每个待测晶体管的初始电学特性测试以及辐照电学特性测试获得每个待测晶体管的缺陷分布。以达到准确分析其总剂量效应的损伤机理的效果。
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公开(公告)号：CN108267679A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711248623.0
申请日：2017-12-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2637
摘要： 本发明提供一种基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法，主要解决现有技术无法直接表征损伤机制并精确定位敏感区域的问题。其实现方案是：选择锗硅异质结晶体管样品，测试其电学性能；制作并检验用于辐照的印刷电路PCB测试板，并对锗硅异质结晶体管器件进行试验前的去封装处理；装配辐照平台；设置重离子微束辐照试验的测试条件；进行重离子微束辐照装置的出束位置定位；设置入射重离子的种类与能量；开展重离子微束辐照试验；记录并处理全部的试验数据，获得单粒子效应敏感区域。本发明能精确定位锗硅异质结晶体管单粒子效应敏感区域，提高了实验精度，降低测试成本，可用于针对微电子器件进行宇航抗辐射能力的评估。
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