发明公开
- 专利标题: 一种自偏置结构的PTAT电流产生电路
-
申请号: CN202410291009.6申请日: 2024-03-14
-
公开(公告)号: CN118034443A公开(公告)日: 2024-05-14
- 发明人: 王辉 , 吴龙好梦 , 叶强 , 王浩哲 , 陈琪 , 田野 , 吕雨若
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 封浪
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
本发明公开了一种自偏置结构的PTAT电流产生电路,涉及开关电源技术领域,用以提高参考电流源的抗干扰能力。该电路在自偏置电路上,加入了4个三极管,Q1、Q2的集电极分别连接到自偏置电路,Q1的基极与Q2的基极相连,Q2的基极和集电极相连;Q1的发射极分别连接Q3的集电极和Q4的基极,Q2的发射极分别连接Q4的集电极和Q3的基极;Q3的发射极经电阻R1接地,Q4的发射极接地;电流源由自偏置电路输入;PMOS管M1镜像自偏置电路的电流。相较于传统参考电流源,本发明结构更简单、性能更好且与电源电压、温度无关,并改进了电流源的自偏置结构,从而进一步提高了参考电流源的精度。
IPC分类: