公开(公告)号：CN118946238A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410996356.9

申请日：2024-07-24

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 冯欣 ,  周佳俊 ,  张苇杭 ,  吴银河 ,  董鹏飞 ,  周弘 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H10N19/00 ,  H10N10/01 ,  H10N10/817 ,  H01L21/77 ,  C23C28/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/20 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22

摘要： 本发明公开了一种集成有热电材料的强散热氧化镓器件，旨解决现有氧化镓器件自热效应严重、可靠性降低、输出功率减小的问题。其技术关键是通过热电效应提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的衬底和传热界面层之间增设依次串联的热电制冷模块，其外围包裹有绝缘支撑材料，其上下表面设置图形化金属电极层，以实现模块之间的隔离，并通过向热电材料上施加电压形成电流，使得衬底一侧的温度显著下降，加快衬底到传热界面层的热传递。对于垂直氧化镓二极管，是在其阴极电极与热界面层之间增设该热电制冷单元，通过施加电压使其产生热电效应，增加阴极电极到热界面层的热传递。本发明能缓解器件自热效应，提高器件的可靠性，可用作微波功率器件和电力电子器件。

公开(公告)号：CN118943186A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410738963.5

申请日：2024-06-07

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

发明人： 贾护军 ,  苏琪钰 ,  赵淋娜 ,  曹伟涛 ,  杨万里 ,  韦星语 ,  曹震 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种基于圆柱型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，生物传感器包括圆柱型结构的沟道，沟道的两侧分别设置有源区和漏区，源区和漏区的外端分别覆盖有源电极和漏电极；沟道靠近源区和漏区的两侧段分别环设有第一低K栅介质层和第二低K栅介质层；第一低K栅介质层和第二低K栅介质层上分别覆盖有第一高K栅介质层和第二高K栅介质层，第一高K栅介质层和第二高K栅介质层上分别覆盖有第一栅金属层和第二栅金属层；与现有技术中的MOSFET器件相比，本发明制备的生物传感器，具有灵敏度高和栅控能力高的特点，且制备工艺简单，工艺成本较低。

公开(公告)号：CN113763225B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202110534856.7

申请日：2021-05-17

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学青岛计算技术研究院

发明人： 安玲玲 ,  杨哲荣 ,  于兆兴 ,  王政辉 ,  裴庆祺

IPC分类号： G06T1/00

摘要： 本发明属于图像处理技术领域，公开了一种图像感知哈希方法、系统、设备及信息数据处理终端，所述图像感知哈希方法包括：将尺寸大小为M×N的图像缩小为256×256的小图像；将得到的小图像灰度化处理；通过离散余弦变换DCT算法对灰度化的图片进行压缩处理，得到DCT的系数矩阵后缩小DCT；将缩小DCT后的92×92矩阵分割成若干个4×4的小块，进而生成最大量化器和最小量化器以及位图图像；根据生成的最大量化器和最小量化器以及位图图像构建颜色直方图特征CHF和位模式特征BPF；将CHF和BPF特征合并，并二值化得到图片指纹。本发明通过对比图像指纹有效地防止恶意用户盗取他人图片进行确权，在图像版权保护应用中具有重要的使用价值。

公开(公告)号：CN118825072A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410822935.1

申请日：2024-06-25

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

发明人： 贾护军 ,  赵淋娜 ,  苏琪钰 ,  曹伟涛 ,  杨万里 ,  韦星语 ,  曹震 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/10 ,  G01N27/414

摘要： 一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括十字形沟道，十字形沟道外侧四个拐角处交叉设有两个源极和两个漏极，十字形沟道的四臂表面均连接有栅极介质层和生物分子探测腔的一面，栅极介质层和生物分子探测腔另一面连接栅极；通过采用双源极和双漏极，源极和漏极内嵌在沟道的四个拐角处，且源极和漏极交叉放置，相比于在源极和漏极在沟道两端的传统结构，本发明增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率，因此增大了漏极电流；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN118822992A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410927851.4

申请日：2024-07-11

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

发明人： 高飞 ,  史嘉琦 ,  何立火 ,  王楠楠

IPC分类号： G06T7/00 ,  G06V10/82 ,  G06V10/40 ,  G06F40/284 ,  G06V10/80 ,  G06V10/764 ,  G06V10/766 ,  G06F18/25 ,  G06F18/241 ,  G06F18/27 ,  G06N3/045 ,  G06N3/048 ,  G06N3/047 ,  G06N3/096

摘要： 本发明公开了一种基于状态空间模型的通用图像美学评价方法，包括以下步骤；步骤1，根据数据集和任务类型，获取训练样本集Strain和测试集Stest；步骤2，构建通用图像美学评价框架的子模块：步骤3：从步骤2中不同的子模块进行构建，结合具体任务构建具体通用性或者个性化美学评价模型M；步骤4，对网络模型M进行迭代训练：步骤5，通过步骤4迭代训练后的模型。获取美学质量评价分数预测结果。本发明有效的解决了现有图像美学评价模型难以结合局部和全局图像特征、模型多任务训练的不平衡性、模型难以高效灵活设计的问题。

公开(公告)号：CN118821682A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410794597.5

申请日：2024-06-19

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 黄泽宇 ,  刘毅 ,  谢进 ,  徐长卿 ,  廖新芳

IPC分类号： G06F30/3308 ,  G06F111/08 ,  G06F117/02 ,  G06F119/02

摘要： 本发明涉及一种基于概率计算和查找表分析的门级单粒子软错误分析方法，包括以下步骤：接收文件；基于分析待测设计工艺库文件与待测设计网表文件，提取待测设计中寄存器及其前级逻辑锥，分析SET作用到标准单元中的逻辑门后的输出响应并建立查找表；结合多层次屏蔽以及采用概率计算方法，评估待测设计中不同寄存器前级逻辑锥对SET故障的屏蔽效果及逻辑锥上SET导致寄存器生成位翻转的概率；通过门级注错仿真技术，获取寄存器因SET或SEU导致的错误翻转对整个系统软错误的贡献，形成模块级的统计数据，评估SET和SEU对系统软错误的影响。本发明综合分析SEU和SET的影响，实现单粒子软错误分析方法性能的极大提升。

公开(公告)号：CN118782614A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410855907.X

申请日：2024-06-28

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 罗诗文 ,  何佳琦 ,  李晓燕 ,  董高峰 ,  冯欣 ,  杜航海 ,  侯松岩 ,  邢伟川 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/363

摘要： 本发明公开了一种基于还原技术实现的SnOx基反相器结构和制备方法。所述SnOx基反相器的器件结构包括:衬底；PMOS沟道层，NMOS沟道层，位于所述衬底上；PMOS漏电极，PMOS栅电极，PMOS源电极，位于所述PMOS沟道层上；NMOS漏电极，NMOS栅电极，NMOS源电极，位于所述NMOS沟道层上；保护介质层，位于所述NMOS沟道层、NMOS漏电极、NMOS源电极、NMOS栅电极上。所述制备方法包括在衬底层上淀积n型SnO2，对部分SnO2进行还原处理，形成SnO，呈现p型特性，进而基于所获得的n型SnO2和p型SnO进行栅、漏、源电极制备，获得SnOx基反相器。本发明的SnOx基反相器工艺步骤简单、制作成本低，性价比较高。

公开(公告)号：CN118738116A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411108868.3

申请日：2024-08-13

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 董高峰 ,  刘志宏 ,  唐从威 ,  许美 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上包括依次叠加设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层；III‑N势垒层上设有源电极、漏电极以及自其表面向内部延伸的凹槽，凹槽内覆盖有栅电极；GaN沟道层和III‑N势垒层形成异质结，GaN沟道层和III‑N势垒层形成的异质结界面且靠近GaN沟道层的一侧形成二维电子气沟道；源电极和漏电极均与二维电子气沟道形成欧姆接触，栅电极与二维电子气沟道形成肖特基接触；本发明通过采用槽栅结构，增大栅极与沟道的接触面积，增强栅极对二维电子气沟通的控制能力；通过采用数字刻蚀工艺成功制得表面平整度好的凹槽结构，实现对刻蚀深度的有效调控，避免刻蚀损伤，最终提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN118735942A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410767592.3

申请日：2024-06-14

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

发明人： 高飞 ,  施斯 ,  蒋依凡 ,  何立火 ,  王楠楠

IPC分类号： G06T7/11 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/048 ,  G06N3/084 ,  G06V10/26 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774

摘要： 本发明公开了基于广义类平衡损失的图像分割方法，包括以下步骤；步骤1：将图像输入到分割网络中；通过分割网络中的编码器提取图像特征，并通过解码器将所述图像特征恢复到原始分辨率，生成预测的分割图像；步骤2：将真实的分割图像作为真实标签，计算所述预测的分割图像和真实的分割图像之间的广义类平衡损失；步骤3：利用所述广义类平衡损失进行反向传播，并更新网络参数。本发明利用不同的调节因子，有效平衡了不同类别间的损失贡献。通过精确地分割小样本区域，进一步提升了整体的图像分割精度，实现了在保证总体性能的同时，特别增强了模型对不均衡数据分布的处理能力。

公开(公告)号：CN118688281A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410738966.9

申请日：2024-06-07

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

发明人： 贾护军 ,  韦星语 ,  赵淋娜 ,  苏琪钰 ,  曹伟涛 ,  杨万里 ,  曹震 ,  杨银堂

IPC分类号： G01N27/414

摘要： 一种基于插指型的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括倒T状的沟道层，沟道层垂直区域顶端设置有源极，源极与沟道层接触处为插指结构，沟道层的水平区域两端均设置有漏极，沟道层的垂直区域两侧及水平区域顶面均布设有栅极介质层，栅极介质层上布设有第一栅极，第一栅极的顶端设置有第二栅极，第二栅极与沟道层及源极形成生物分子探测腔；制备方法：刻蚀沟道层形成倒T状，在其水平区域两端进行离子注入，经过多次淀积刻蚀，得到顶端为手指状的垂直区域，并嵌入锑化镓，将氧化铪沉积，第一、二栅极的金属材料沉积到氧化铪上，进行抛光，对氧化铪进行干法刻蚀，得到最终的结构；具有功耗小、识别时间短及灵敏度高的特点。