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公开(公告)号:CN103186047B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201210331594.5
申请日:2012-09-07
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/0755 , G03F7/085 , Y10S430/107
Abstract: 本申请公开了一种正型光敏树脂组合物和使用其的显示器件及有机发光器件。该正型光敏树脂组合物,包括(A)选自聚苯并噁唑前体、聚酰亚胺前体及其组合的碱性可溶解树脂,(B)光敏性的二氮醌(diazoquinone)化合物,(C)下列化学式1代表的化合物,和(D)溶剂,以及使用其的显示器件和有机发光器件。化学式1与具体实施方式中的限定的是相同的。[化学式1]
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公开(公告)号:CN104641292A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201380048934.6
申请日:2013-04-09
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/105
Abstract: 本发明是有关于用于显示装置绝缘膜的一光敏树脂组成物、使用其的绝缘膜、及使用其的显示装置,所述组成物包括(A)一碱可溶树脂;(B)一光敏重氮醌化合物;(C)一有色材料,其具有400-550nm的最大吸收波长;及(D)一溶剂。
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公开(公告)号:CN104620326A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380044747.0
申请日:2013-08-16
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D3/0433 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅类绝缘层的组成物,其包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷,且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物,所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于形成氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布,由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
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公开(公告)号:CN102687075B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201080060219.0
申请日:2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物,包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物;和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收,并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号:CN104040430A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201280065652.2
申请日:2012-07-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03C1/61 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/0751 , G03F7/105
Abstract: 本发明公开了正性光敏树脂组合物,该正性光敏树脂组合物包含:(A)选自聚苯并噁唑前体、聚酰亚胺前体、以及它们的组合的碱溶性树脂;(B)光敏重氮醌化合物;(C)苯酚化合物;(D)有机染料以及(E)溶剂,其中,有机染料(D)包含至少一种具有590nm至700nm的吸收波长的红染料、至少一种具有550nm至590nm的吸收波长的黄染料、以及至少一种具有450nm至500nm的吸收波长的蓝染料。
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公开(公告)号:CN103146314A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201210518668.6
申请日:2012-12-06
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01L21/68 , H01L21/56
CPC classification number: C08L63/00 , C08G59/5033 , C08G59/56 , C08G59/621 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/2929 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了一种用于半导体的粘合剂组合物。所述粘合剂膜包括酚类固化剂、胺类固化剂、以及基于所述用于半导体的粘合剂膜的总固体含量的60wt%至80wt%的热塑性树脂,并在150℃固化20分钟之后具有2MPa或更高的储能模量和50%或更高的反应固化率。还公开了一种使用所述粘合剂组合物制备的用于半导体的粘合剂膜和半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号:CN102713758A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201080060221.8
申请日:2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物,包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂,其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此,本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号:CN102695987A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201080060384.6
申请日:2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
Abstract: 根据本发明的一个实施方式,一种光致抗蚀剂底层组合物,包括(A)下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和(B)溶剂。根据化学式1:{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f,所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性,并且具有可容易控制的表面特性,以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。
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公开(公告)号:CN102695770A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201080060217.1
申请日:2010-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 提供了一种用于封装材料的透光树脂组合物,包括通过将由化学式1表示的第一硅化合物和包含由化学式2表示的化合物的第二硅化合物共聚而获得的聚硅氧烷。还提供了包含通过将所述透光树脂组合物硬化而获得的封装材料的电子装置。
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公开(公告)号:CN102569060A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110430768.9
申请日:2011-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , B05D5/00 , B05D5/12 , B32B9/00 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08L83/14 , C08L83/16 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地,本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物,其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种,其中折算为聚苯乙烯时,重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt%。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时,缺陷显著减少,从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
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