公开(公告)号：CN104854507A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380064963.1

申请日：2013-07-08

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 权智慧 ,  权孝英 ,  南成龙 ,  吴世一 ,  禹昌秀 ,  李连洙 ,  李昌珉 ,  崔承集 ,  河京珍

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及：一种可光固化组合物，包含(A)可光固化单体和(B)包含磷和酰胺基团的单体；以及包括由所述组合物形成的阻挡层的设备。

公开(公告)号：CN101796101A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200780100521.2

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  成现芋 ,  裵镇希 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: C08G77/04

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14

Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。

公开(公告)号：CN104854507B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201380064963.1

申请日：2013-07-08

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 权智慧 ,  权孝英 ,  南成龙 ,  吴世一 ,  禹昌秀 ,  李连洙 ,  李昌珉 ,  崔承集 ,  河京珍

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及：一种可光固化组合物，包含(A)可光固化单体和(B)包含磷和酰胺基团的单体；以及包括由所述组合物形成的阻挡层的设备。

公开(公告)号：CN105143316B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201380075904.4

申请日：2013-12-18

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  张胜宇 ,  田桓承

IPC: C08G77/26 ,  C08G77/442 ,  C08L83/08 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及可光致固化组合物，包括(A)通过化学式1表示的含有氰基的硅类可光致固化单体和(B)引发剂，以及包括其的封装器件。

公开(公告)号：CN102695987A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN101770175A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215519.0

申请日：2009-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  禹昌秀 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。

公开(公告)号：CN102695987B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102816432A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210147546.0

申请日：2012-05-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 沙赫鲁赫·穆塔尔里比 ,  西纳·马克苏迪 ,  禹昌秀 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  安炫贞 ,  车承桓 ,  申峻乎

IPC: C08L83/04 ,  H01L33/56 ,  H01L31/048 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/52 ,  C08L83/14 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及一种树脂组合物和利用其形成的透明密封剂、以及电子装置。该树脂组合物包括聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包括由以下化学式1表示的部分：[化学式1]*-Si-AR-Si-*其中，在化学式1中，AR是取代或未取代的C6至C30亚芳基或者包括取代或未取代的C6至C30亚芳基。

公开(公告)号：CN105143316A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201380075904.4

申请日：2013-12-18

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  张胜宇 ,  田桓承

IPC: C08G77/26 ,  C08G77/442 ,  C08L83/08 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及可光致固化组合物，包括(A)通过化学式1表示的含有氰基的硅类可光致固化单体和(B)引发剂，以及包括其的封装器件。

公开(公告)号：CN102816432B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210147546.0

申请日：2012-05-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 沙赫鲁赫·穆塔尔里比 ,  西纳·马克苏迪 ,  禹昌秀 ,  金佑翰 ,  高尚兰 ,  安炫贞 ,  车承桓 ,  申峻乎

IPC: C08L83/04 ,  H01L33/56 ,  H01L31/048 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/52 ,  C08L83/14 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及一种树脂组合物和利用其形成的透明密封剂、以及电子装置。该树脂组合物包括聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包括由以下化学式1表示的部分：[化学式1]*-Si-AR-Si-*其中，在化学式1中，AR是取代或未取代的C6至C30亚芳基或者包括取代或未取代的C6至C30亚芳基。