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公开(公告)号：CN102585516B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110425397.5
申请日：2011-12-16
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L83/14 , C08G77/54 , H01L21/31 , H01L27/108
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。
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公开(公告)号：CN103911115A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310744039.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J183/07 , C09J183/05 , C09J183/06 , H01L33/56 , H01L51/54
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/06 , C09J183/10 , H01L2224/48091 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于密封剂的组合物和包含所述密封剂的电子装置，所述用于密封剂的组合物包括下面的化学式1表示的并具有约2.0至约5.0mmol/g的环氧基团的粘合促进剂，至少一种在它的末端包含与硅键合的氢（Si-H）的第一聚硅氧烷，至少一种在它的末端包含与硅键合的烯基（Si-Vi）的第二聚硅氧烷，通过固化所述用于密封剂的组合物获得密封剂。[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6SiO3/2)T1(R7SiO3/2)T2(SiO4/2)Q1在上面的化学式1中，R1至R7、M1、D1、T1、T2和Q1与详细的说明书中的定义相同。
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公开(公告)号：CN102569060B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110430768.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , B05D5/00 , B05D5/12 , B32B9/00 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08L83/14 , C08L83/16 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103911115B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310744039.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J183/07 , C09J183/05 , C09J183/06 , H01L33/56 , H01L51/54
Abstract: 公开了用于密封剂的组合物和包含所述密封剂的电子装置，所述用于密封剂的组合物包括下面的化学式1表示的并具有约2.0至约5.0mmol/g的环氧基团的粘合促进剂，至少一种在它的末端包含与硅键合的氢（Si‑H）的第一聚硅氧烷，至少一种在它的末端包含与硅键合的烯基（Si‑Vi）的第二聚硅氧烷，通过固化所述用于密封剂的组合物获得密封剂。[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(R6SiO3/2)T1(R7SiO3/2)T2(SiO4/2)Q1在上面的化学式1中，R1至R7、M1、D1、T1、T2和Q1与详细的说明书中的定义相同。
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公开(公告)号：CN102569060A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110430768.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , B05D5/00 , B05D5/12 , B32B9/00 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08L83/14 , C08L83/16 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
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公开(公告)号：CN104981517A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201380072559.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08L83/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C08L83/14 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物，该组合物包含至少一种类型的由以下化学式1表示的第一硅氧烷化合物、至少一种类型的在其末端上具有硅键合的氢(Si-H)的第二硅氧烷化合物、和至少一种类型的在其末端上具有硅键合的烯基(Si-Vi)的第三硅氧烷化合物；通过固化用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物获得的封装材料；以及包括封装材料的光学器件。[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(L1-O)D2(L2-O)D3(R6R7SiO2/2)D4(L3-O-L4-O)D5(R8SiO2/2-Y1-SiO2/2R9)D6(R10R11Si-Y2)D7(R12SiO3/2)T1(R13SiO3/2)T2(SiO3/2-Y3-SiO3/2)T3(SiO4/2)Q1。在化学式1中，R1至R13、Y1至Y3、M1、D1至D7、T1至T3以及Q1如在说明书中所定义的。
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公开(公告)号：CN102585516A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110425397.5
申请日：2011-12-16
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08L83/14 , C08G77/54 , H01L21/31 , H01L27/108
CPC classification number: C08G77/54 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。
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公开(公告)号：CN104981517B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201380072559.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08L83/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , C08L83/14 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及：一种用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物，该组合物包含至少一种类型的由以下化学式1表示的第一硅氧烷化合物、至少一种类型的在其末端上具有硅键合的氢(Si‑H)的第二硅氧烷化合物、和至少一种类型的在其末端上具有硅键合的烯基(Si‑Vi)的第三硅氧烷化合物；通过固化用于光学器件的可固化的聚硅氧烷组合物获得的封装材料；以及包括封装材料的光学器件。[化学式1](R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO2/2)D1(L1‑O)D2(L2‑O)D3(R6R7SiO2/2)D4(L3‑O‑L4‑O)D5(R8SiO2/2‑Y1‑SiO2/2R9)D6(R10R11Si‑Y2)D7(R12SiO3/2)T1(R13SiO3/2)T2(SiO3/2‑Y3‑SiO3/2)T3(SiO4/2)Q1。在化学式1中，R1至R13、Y1至Y3、M1、D1至D7、T1至T3以及Q1如在说明书中所定义的。
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