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公开(公告)号：CN105483628B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510978711.0
申请日：2015-12-24
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高纯高密硅锆合金靶材，所述高纯高密硅锆合金靶材按原子百分比计，合金组成为：Si 88‑98at％，Zr 2‑15at％，硼粉余量，各组分原子百分比是百分百；硅酸锆球则与硅锆原料重量配比为1:1。本发明还公开了一种高纯高密硅锆合金靶材的制备方法，其制备的硅锆合金靶材，通入气体反应溅射成膜后发现其比用纯硅靶材反应溅射成膜后的耐摩擦性能提高4‑6倍，且在其它方面的性能基本上与纯硅靶材相同，甚至更为突出，大大提高了薄膜的实用性。
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公开(公告)号：CN105506564B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510978709.3
申请日：2015-12-24
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种旋转硅镁合金靶材，其纯度大于99.9%，镁含量分别为30wt%、40wt%、50wt%，硅余量。本发明还公开一种制备旋转硅镁合金靶材的方法，工艺如下：预处理：对不锈钢背管进行预处理，其中包括清洗，喷砂粗化；喷涂粘结层：即利用电弧喷涂，在不锈钢背管喷涂一层0.2‑0.5mm厚的镍铝合金涂层，所述涂层起连接不锈钢背管和后续喷涂的靶材材料作用；等离子喷涂沉积硅镁涂层：利用等离子喷涂设备将配置好的硅镁粉熔射沉积在不锈钢背管上面形成硅镁涂层。本发明的靶材安全性能高，而且均匀性好。
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公开(公告)号：CN105382404A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510978707.4
申请日：2015-12-24
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
IPC: B23K20/12 , B23K20/24 , B23K103/18
CPC classification number: B23K20/1245 , B23K20/1225 , B23K2103/18
Abstract: 本发明涉及一种搅拌摩擦焊接靶材的装置及其方法，包括铟绑定装置和封装结构，所述搅拌摩擦焊接靶材的方法包括以下依次进行的步骤：1)在陶瓷靶材和金属基板的粘结面分别采用热涂覆法涂布焊接层；2)将步骤(1)中涂布完焊接层的陶瓷靶材和金属基板，水平放置在水平台上；3)调整高速旋转的金属丝，使其位置正好位于陶瓷靶材和金属基板的粘结面的两焊接层的缝隙处；4)开始绑定粘合焊接工作，调整好可控电机转速，并调整好水平台的移动速度，向金属丝的径向水平移动水平台。该方法可以有效克服传统电阻加热法焊接陶瓷靶材与金属基板热膨胀系数差异较大所引起的焊接后变形开裂。
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公开(公告)号：CN105112850A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510569377.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学蒸镀用一氧化钛的制备方法，其选取符合要求的钛与二氧化钛，并按1:0.98～1.02的摩尔比进行混合搅拌，将所得混合物取出，并利用干燥制粒机通过13Mpa的等静压处理，将反应完全的材料进行成型，过筛得半成品；之后进行抽真空及加热反应操作，最终冷却后出炉即得颗粒状的一氧化钛；所制得的颗粒状一氧化钛可直接作为光学蒸镀镀膜的材料，而且避免了因副产物的产生而导致的不易分离提纯的问题。
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公开(公告)号：CN118145965A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410217607.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/628 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种氧化铟/氢氧化锡复合物、ITO靶材的制备方法，属于ITO靶材领域。本发明提供了一种氧化铟/氢氧化锡复合物的制备方法，包括以下步骤：将纳米氧化铟、锡盐溶液、含氢氧根的无机碱和水混合进行沉淀反应，将所得沉淀反应产物进行造粒，得到所述氧化铟/氢氧化锡复合物；所述纳米氧化铟中铟元素与锡盐溶液中锡元素的摩尔比为20～100：1。本发明将纳米氧化铟采用直接引入的方式，避免了需要大量沉淀的操作，而微量掺杂的氢氧化锡采用沉淀的方式获得，可以保证氢氧化锡在氧化铟表面的均匀分布，使得其制备得到的ITO靶材中的氧化锡分布均匀，进而提高了ITO靶材致密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117512511A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311633735.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在难熔金属基底上生长AlN缓冲层的方法，常见的五种难熔金属有W、Mo、Nb、Ta、Re，这里以纯金属Mo为例。以金属Mo做基底，运用射频溅射技术，生长AlN缓冲层。此种方法具有以下优点：Mo具有优异的导电性、导热性和化学稳定性，做基底可使得制造的器件更加稳定可靠；成本低、易剥离、易清洗；射频溅射技术工艺简单，易操作等。旨在提供一种简单有效的方法，用于高质量的AlN缓冲层生长。
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公开(公告)号：CN110394603B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201910690077.9
申请日：2019-07-29
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属旋转靶材及其制备方法和应用，属于集成电路和平面显示制造技术领域。本发明提供的金属旋转靶材的制备方法，包括以下步骤：将金属板坯依次进行铣削、轧制、再结晶处理和车铣，得到金属靶坯；将所述金属靶坯依次进行弯曲变形和对焊，得到金属管状靶坯；将所述金属管状靶坯与不锈钢管绑定后，得到金属旋转靶材。本发明提供的制备方法能够有效地提高靶材的组织均匀性，极大地提高靶材利用率，且靶材致密度高，内部无缺陷，成品率高，制造成本低。
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公开(公告)号：CN110257786B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910688910.6
申请日：2019-07-29
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掺杂银的氧化锡靶材及其制备方法和应用，属于靶材制备技术领域。由包括Ag粉体和SnO2粉体制得，所述Ag粉体和SnO2粉体的质量比为1:50～1:100。本发明在氧化锡靶材中掺杂Ag，不仅能改善SnO2基靶材的烧结特性，而且能提高靶材的密度，靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好，能更好地承受溅射过程中的热应力。此外，还能提高靶材的抗氧化性，增加薄膜的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110284111B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910687597.4
申请日：2019-07-29
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属靶材的制备系统，包括：中控台、冷水机组、真空室以及设置在真空室内的工作台、旋转机构、背管、移动机构、送料器和电子枪；工作台两端设置有旋转机构，旋转机构用于安装并固定背管的端部，中控台控制旋转机构带动背管沿圆周方向旋转；移动机构安装在背管的上方或一侧，且沿背管轴向方向来回移动，移动机构上设置有送料器和电子枪，中控台控制移动机构的运动；中控台控制电子枪发射电子束，电子束朝向背管表面；中控台控制送料器给背管表面进行送料；冷水机组通过连接管与背管连通；中控台利用冷水机组向背管内提供循环冷却水。本发明通过上述系统能够制备高纯度、高密度及晶粒均匀的金属靶材。
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公开(公告)号：CN110257785B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910688136.9
申请日：2019-07-29
Applicant: 福建阿石创新材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种旋转金属靶材及其制备方法和装置，属于靶材制备领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：在真空条件下，对金属管材进行高能电子束区域重熔处理后进行冷却，得到旋转金属靶材。本发明利用高能电子束对金属管材进行区域重熔，同时结合冷却处理，使旋转金属靶材具有高纯度，靶材内部无杂质，旋转金属靶材的晶粒尺寸细化。且提供的制备方法工艺简单，工艺过程易控制，加工设备便宜，成本低。
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