一种在薄壁防护罩表面制备陶瓷涂层的方法和带有涂层的防护罩

    公开(公告)号:CN115305434A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210959815.7

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 本发明提供了一种在薄壁防护罩表面制备陶瓷涂层的方法和带有涂层的防护罩,属于防护涂层技术领域。本发明首先采用46~120目刚玉砂对防护罩进行喷砂粗化,再等离子喷涂镍铬合金打底层和氧化铝面层,刚玉砂的粒径较小,在提高防护罩表面粗糙度的同时不会使其产生明显变形,先喷涂镍铬合金打底层再喷涂氧化铝面层,能够提高氧化铝陶瓷涂层与防护罩的结合强度,使其不易脱落。实施例的结果显示,本发明制备方法制备的陶瓷涂层的结合强度达到15.2MPa,且防护罩无明显形变。

    一种三氧化二铝-TiOx靶材及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110257790A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910688134.X

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 本发明提供了一种Al2O3-TiOx靶材及其制备方法和应用,属于靶材制备技术领域。本发明提供的Al2O3-TiOx靶材包含以下百分含量的组分:30wt%~50wt%TiOx和50wt%~70wt%Al2O3;所述TiOx中x为1.8~1.98。本发明通过在Al2O3-TiOx靶材中掺杂百分含量为30wt%~50wt%的TiOx,使Al2O3-TiOx靶材具有半导体材料的特性,有效地提高了Al2O3-TiOx靶材的导电性能,可实现采用中频磁控溅射Al2O3-TiOx靶材的方法制得Al2O3-TiOx薄膜,用于替代Al2O3薄膜,实现工业化生产。

    一种超细纳米晶银合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN116815089A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310802151.8

    申请日:2023-07-03

    Abstract: 本发明提供了一种超细纳米晶银合金及其制备方法,属于超细晶制备技术领域。本发明提供的超细纳米晶银合金的制备方法,先对银合金进行轧制,通过轧制使银合金中原本的晶粒破碎,然后通过退火处理,使破碎的晶粒转变为等轴晶,接着在超低温下进行交叉挤压,通过超低温来抑制恢复再结晶,通过交叉挤压,使等轴晶破碎为超细等轴晶,再利用超低温轧制使晶粒进一步细化,最后通过退火处理使轧制完破碎的晶粒再结晶,从而得到了晶粒尺寸为纳米级的超细纳米晶银合金;超细纳米晶银合金的微观组织均匀,强度提升明显,且导电性和延展性好,同时制备方法简单,易于大型推广,在工业中拥有广泛的应用前景。

    一种靶材的修复方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116676575A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310799763.6

    申请日:2023-07-03

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的修复方法,包括如下步骤:在待修复靶材的修复区的沟槽内浇铸与靶材成分相同的合金熔体,得到一次修复靶材;对所述一次修复靶材的修复区进行摩擦处理,得到摩擦处理的靶材;对所述摩擦处理的靶材进行去应力退火处理,得到修复的靶材。本发明采用浇铸法,利用与待修复靶材成分相同的合金熔体进行修复,能够保证修复区与原靶材的界面为焊接态的冶金结合,不会出现脱层等现象,能够实现废弃靶材的反复使用,大幅度提高了靶材的利用率;为了消除浇铸修复区的缺陷,细化其晶粒,对修复区进行摩擦处理,并随后进行去应力退火,有效解决了靶材修复区晶粒粗大的问题,保证了溅射靶材的均匀性。

    一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN112899628A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110060541.3

    申请日:2021-01-18

    Inventor: 林志河

    Abstract: 本发明提供了一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法,属于硅靶材技术领域。本发明提供的可均匀溅射旋转硅靶材自内而外包括衬管、位于所述衬管外表面的自粘结层、位于所述自粘结层表面两端的第一磁性材料层和第二磁性材料层、以及硅外层;所述第一磁性材料层靠近自粘结层的第一端口且距离自粘结层的第一端口外缘3~5mm,所述第二磁性材料层靠近自粘结层的第二端口且距离自粘结层的第二端口外缘3~5mm。本发明通过在自粘结层表面两端设置磁性材料层,能够抵消在磁控溅射过程中磁棒两端产生的磁场,从而降低两端溅射速率,使硅靶材两端使用程度和中间保持一致。

    一种靶材的制作方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109023269B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201811146501.5

    申请日:2018-09-29

    Abstract: 本发明公开一种靶材的制作方法。所述制作方法包括:采用电刷镀方式在靶坯的接触面制作第一膜层;采用电刷镀方式在背板的接触面制作第二膜层;所述第二膜层与所述第一膜层材质相同;用自来水将所述靶坯和所述背板冲净、吹干;将所述靶坯和所述背板叠合固定在加热平台上;叠合时所述靶坯的接触面的第一膜层与所述背板的接触面的第二膜层接触;打开所述加热平台,调节温度范围,所述温度范围为高于所述第一膜层和第二膜层的熔点,且小于所述靶坯和所述背板的熔点的温度范围;保温保压1小时后关闭所述加热平台;冷却后,完成所述靶坯与所述背板的结合,完成靶材的制作。采用本发明靶材的制作方法,可以提高靶材的结合率,提高靶材的质量。

    一种平面靶材的绑定方法

    公开(公告)号:CN110923643A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911389867.X

    申请日:2019-12-30

    Abstract: 本发明涉及靶材绑定技术领域,具体涉及一种平面靶材的绑定方法。本发明提供的平面靶材的绑定方法,包括以下步骤:将背板、绑定材料和靶坯依次叠层放置,进行真空绑定,得到绑定后的平面靶材。本发明利用绑定材料与背板之间,绑定材料与靶坯之间的毛细和扩散作用,进行真空绑定,使得靶坯与背板粘接牢固;本发明采用真空绑定,无需定制高功率的加热平台,无需专业的钎焊炉,相比于普通绑定技术效率高,成本低。实施例结果表明,采用本发明提供的绑定方法,有效绑定面积高达97%以上,无明显的孔洞;能够在500~700℃的高温环境中使用。

    一种从硅残靶中回收得到热喷涂硅靶用硅粉的方法

    公开(公告)号:CN115196637A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210959876.3

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 本发明涉及靶材回收技术领域,提供了一种从硅残靶中回收得到热喷涂硅靶用硅粉的方法,本发明利用金属单质和氧化物和酸反应生成盐的特点,将硅残靶浸泡于酸中,使金属转化为可溶性的盐,将硅残靶中的大部分金属进行去除;然后通过水洗将大部分金属的硅残靶中残余的酸去除;经干燥后先进行150目或160目筛分,将过大的硅粉颗粒筛除,再经过250目或270目筛分,将过小的硅粉颗粒筛除,最后得到中位径的硅粉颗粒;再通过对筛分后的硅粉颗粒进行酸洗,将硅粉颗粒中残留的金属杂质进一步去除,再进行水洗将酸洗时残留的酸去除后干燥,得到热喷涂硅靶用硅粉。

    一种金属旋转靶材及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110394603A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910690077.9

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 本发明提供了一种金属旋转靶材及其制备方法和应用,属于集成电路和平面显示制造技术领域。本发明提供的金属旋转靶材的制备方法,包括以下步骤:将金属板坯依次进行铣削、轧制、再结晶处理和车铣,得到金属靶坯;将所述金属靶坯依次进行弯曲变形和对焊,得到金属管状靶坯;将所述金属管状靶坯与不锈钢管绑定后,得到金属旋转靶材。本发明提供的制备方法能够有效地提高靶材的组织均匀性,极大地提高靶材利用率,且靶材致密度高,内部无缺陷,成品率高,制造成本低。

    一种溅射靶材及其制备方法和装置

    公开(公告)号:CN110295365A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910688578.3

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 本发明提供了一种溅射靶材及其制备方法和装置,属于溅射靶材制造领域。本发明提供的制备方法,包括以下步骤:在惰性气氛下,将金属粉末同步送粉至激光光斑处进行激光金属熔覆处理后进行冷却,得到溅射靶材。本发明采用激光金属熔覆工艺,利用激光光斑将同步送给的金属粉末进行逐层熔化,并结合冷却处理实现快速凝固、逐层沉积,使制备得到的溅射靶材具有晶粒细小,含氧量低,致密度高的特点,靶材品质高。且本发明提供的制备方法工艺简单,成形速度快,加工成本低,可实现金属零件的直接制造,适用范围广,可以制备目前市面存在的大部分金属靶材。

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