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公开(公告)号：CN105181621A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510528726.7
申请日：2015-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，提出了一种全集成红外气体传感器，由微型气室与集成模块键合构成，其中，集成模块包括硅衬底以及硅衬底上的红外光源、红外探测器和信号处理电路；微型气室由上、下硅片键合构成，所述上硅片开设气孔，所述下硅片开设V型微槽、与上硅片及其气孔组合形成光腔，V型微槽两端开设红外光源窗口和红外敏感元窗口；所述红外光源、红外探测器分别与红外光源窗口、红外敏感元窗口对应设置。本发明微型气室采用上、下硅片键合的结构设计，有效减小气室体积；且蛇形的V型微槽能够增加光程长度、提高测量精度；即本发明提供全集成红外气体传感器具有体积小、测量精度高、制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN102842530A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210290315.5
申请日：2012-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 厚膜材料电子元器件，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极，在上电极和底电极之间，设置有隔离层，上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极，连接到热释电材料。本发明可以有效防止电极间的短路，使热释电厚膜探测器获得良好的性能，且提高了探测器的成品率。
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公开(公告)号：CN102820421A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210290319.3
申请日：2012-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 硅杯凹槽结构热释电厚膜探测器，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括上表面设有凹槽的硅衬底、底电极和上电极，凹槽内填充有热释电厚膜材料，底电极通过凹槽侧壁引出，所述硅衬底上表面与设置有底电极的凹槽侧壁的夹角为钝角。本发明有利于提高厚膜的质量和探测器的成品率，使热释电厚膜探测器获得良好的性能。
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公开(公告)号：CN115605026B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211288678.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
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公开(公告)号：CN118157622A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410366776.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种嵌入式的声表面波谐振器；该谐振器包括：衬底、压电材料、第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器；压电材料设置在衬底上，第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器设置在压电材料表面或部分嵌入压电材料中，声反射器均设置在压电材料上；压电材料上表面为一斜坡；本发明可提升声表面波谐振器的功率耐受程度，降低叉指电极带来的质量负载效应程度，同时能一定程度提升机电耦合系数、品质因数，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116306433A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294020.3
申请日：2023-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种声学谐振器的拟合方法、拟合装置以及计算机设备，用于解决现有技术中的声学谐振器拟合方法难以考虑到谐振器杂散谐振对应的谐振模态的技术问题。其中的一种声学谐振器的拟合方法，包括：获取所述声学谐振器的实际频域阻抗参数；基于所述实际频域阻抗值，确定出对应主谐振的第一实际频域阻抗值和对应杂散谐振的第二实际频域阻抗值；对所述第一实际频域阻抗值进行拟合，得到第一拟合频域阻抗值；基于所述第一拟合频域阻抗值，对所述第二实际频域阻抗值进行拟合，得到第二拟合频域阻抗值；基于所述第一拟合频域阻抗值和所述第二拟合频域阻抗值得到所述声学谐振器的拟合频域阻抗值。
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公开(公告)号：CN109657787B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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公开(公告)号：CN114614792A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210231010.0
申请日：2022-03-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请提供的一种声波谐振器及滤波器，用于提高谐振器及滤波器的品质因数Q值，其中一种声波谐振器，包括：衬底；声反射结构，设置在所述衬底的上表面；压电层，设置在所述声反射结构的上表面；电极结构，设置在所述压电层的上表面；其中，在所述压电层的谐振区域以外设置有沟道，所述沟道的深度小于所述压电层的厚度，所述沟道的宽度大于零且小于或等于从所述谐振区域的边界至所述压电层的边界的垂直距离，所述谐振区为所述压电层上与所述电极结构对应的区域。
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公开(公告)号：CN114239654A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111548498.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及热释电检测的温度识别分类领域，具体为一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法。本发明根据双波段热释电器件输出的双波段特性，利用目标黑体不同温度可映射不同双波段比值的特点，将双波段比值作为该信号的主要特征，再额外加上时域和频域的一部分特征作为该信号的特征集，从而对信号的主要特征提取完毕；并与机器学习相结合，进而达到良好的温度识别分类效果。本发明易于实现且能达到良好的分类效果，有效解决了现有的温度识别分类方法受限于各自类别使得普适性较低的问题，且可以应用于其他领域，为其他领域的发展提供新的思路。
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公开(公告)号：CN113465635A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110646862.1
申请日：2021-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D5/16
Abstract: 本发明为一种信号转换装置，具体涉及一种传感器与神经网络计算单元信号转换的装置，基于忆阻器可编程负微分电阻效应。本发明中，通过由传感器输出信号引起的忆阻器中导电离子状态变化对忆阻器输出的负微分电阻信号进行编程，进而基于可编程的负微分电阻效应实现对传感信号直接且定量的转换。在纳米尺度上，通过单一器件连接的方式，无源的忆阻器直接将传感器信号转换成模拟状态的电流信号，不再需要进行模拟信号与数字信号之间的转换。一方面，可以提高信号转换接口的集成度；另一方面，能够通过省去模数转换(A/D)和数模转换(D/A)过程降低能量消耗和信号延迟。
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