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公开(公告)号：CN107658201B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710893518.6
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
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公开(公告)号：CN106463613B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580024163.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备，所述刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。在检测溅射的物质时，可自动调整例如提取电压及RF功率等处理设备的控制设置以产生具有仍然较高离子能量及较高平均角的离子束。
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公开(公告)号：CN104067419B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380006196.9
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/0428 , Y02E60/12
Abstract: 揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含：产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。
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公开(公告)号：CN104508174B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380039732.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/046 , C23C14/3407 , C23C14/345 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3467 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。
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公开(公告)号：CN103109342B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103493172B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280012665.3
申请日：2012-02-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒
IPC: H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J37/32009 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/31711
Abstract: 一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。
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公开(公告)号：CN103155090B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使用多阶离子植入将图案化光阻改质的方法及其系统。使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法包括以下步骤。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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公开(公告)号：CN102439683B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN102422389B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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公开(公告)号：CN104067419A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006196.9
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/0428 , Y02E60/12
Abstract: 揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含：产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。
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