公开(公告)号：CN103025478B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180036884.0

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K26/402 ,  B23K26/064 ,  B23K26/073 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  H01L21/306

CPC分类号： B23K26/064 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

摘要： 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN102623373B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210103660.3

申请日：2008-05-23

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 坂本刚志 ,  下井英树 ,  内山直己

IPC分类号： H01L21/67 ,  B23K26/53 ,  B23K101/40

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78

摘要： 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN103025472B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201180036024.7

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/046 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/362

CPC分类号： H01L21/30608 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827

摘要： 一种激光加工方法，包含通过使激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），在加工对象物（1）的内部形成改质区域（71~73）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物（1）薄化至目标厚度，并且沿着改质区域（71~73）使蚀刻选择性地进展，以将相对于加工对象物（1）的厚度方向倾斜的贯通孔（24）形成于加工对象物（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，在加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分，形成作为改质区域（71~73）的第1改质区域（72），并且在加工对象物（1）中通过利用各向异性蚀刻处理的薄化所除去的部分，形成与厚度方向平行地延伸且与第1改质区域（72）相连的作为改质区域的第2改质区域（71,73），在蚀刻处理工序中，一边使加工对象物（1）薄化，一边沿着第2改质区域（71,73）使蚀刻选择性地进展后，沿着第1改质区域（72）使蚀刻选择性地进展，当加工对象物（1）到达目标厚度时完成贯通孔（24）的形成。

公开(公告)号：CN102918624B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280001327.X

申请日：2012-05-28

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  井上圭祐

IPC分类号： H01J43/10

CPC分类号： H01J43/22

摘要： 本发明涉及即使在小型化了的情况下也有效地抑制发光噪声的电子倍增部等，各级的倍增极具备分别具有物理分离的外周面的多个柱状部，各个柱状部被加工成平行于配置有电子倍增部的设置面的截面的面积或者外周长在该柱状部的外周面上的任意一个的位置上成为最小的形状。

公开(公告)号：CN103025478A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036884.0

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  H01L21/306

CPC分类号： B23K26/064 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

摘要： 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN103025477A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036874.7

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  H01L23/473

CPC分类号： B23K26/55 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。

公开(公告)号：CN103025473A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036058.6

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  H01L21/306

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

摘要： 一种用来将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，其具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），沿着线（12）在硅基板（11）的内部形成多个改质点（S），从而形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，从而在硅基板（11）形成空间的第2工序，在第1工序中，以激光（L）相对于硅基板（11）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），并以沿着线（12）排成一列的方式来形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN103025472A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036024.7

申请日：2011-07-19

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40

CPC分类号： H01L21/30608 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827

摘要： 一种激光加工方法，包含通过使激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），在加工对象物（1）的内部形成改质区域（71~73）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物（1）薄化至目标厚度，并且沿着改质区域（71~73）使蚀刻选择性地进展，以将相对于加工对象物（1）的厚度方向倾斜的贯通孔（24）形成于加工对象物（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，在加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分，形成作为改质区域（71~73）的第1改质区域（72），并且在加工对象物（1）中通过利用各向异性蚀刻处理的薄化所除去的部分，形成与厚度方向平行地延伸且与第1改质区域（72）相连的作为改质区域的第2改质区域（71,73），在蚀刻处理工序中，一边使加工对象物（1）薄化，一边沿着第2改质区域（71,73）使蚀刻选择性地进展后，沿着第1改质区域（72）使蚀刻选择性地进展，当加工对象物（1）到达目标厚度时完成贯通孔（24）的形成。

公开(公告)号：CN102918624A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201280001327.X

申请日：2012-05-28

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  井上圭祐

IPC分类号： H01J43/10

CPC分类号： H01J43/22

摘要： 本发明涉及即使在小型化了的情况下也有效地抑制发光噪声的电子倍增部等，各级的倍增极具备分别具有物理分离的外周面的多个柱状部，各个柱状部被加工成平行于配置有电子倍增部的设置面的截面的面积或者外周长在该柱状部的外周面上的任意一个的位置上成为最小的形状。

公开(公告)号：CN102623373A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210103660.3

申请日：2008-05-23

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 坂本刚志 ,  下井英树 ,  内山直己

IPC分类号： H01L21/67 ,  B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78

摘要： 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。