-
公开(公告)号：CN105008085A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201380062649.X
申请日：2013-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/06 , B23K26/00 , B23K26/064 , B23K26/38 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/38 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , H01L21/67115
Abstract: 激光加工装置(1)是通过对加工对象物(S)照射激光(L)而在加工对象物(S)形成改质区域(R)的装置。激光加工装置(1)具备：激光光源(2)，其出射激光(L)；载置台(8)，其支撑加工对象物(S)；以及光学系统(11)，其使从激光光源(2)出射的激光(L)中包围包含该激光(L)的光轴的中央部的环状部，聚光于被载置台(8)支撑的加工对象物(S)的规定部。光学系统(11)根据加工对象物(S)中规定部的位置，调整激光(L)的环状部的内缘和外缘中的至少一者的形状。
-
公开(公告)号：CN103025478B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180036884.0
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/55 , B23K26/402 , B23K26/064 , B23K26/073 , B23K26/382 , B23K26/384 , H01L21/306
CPC classification number: B23K26/064 , B23K26/0006 , B23K26/0736 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/76898
Abstract: 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。
-
公开(公告)号：CN102623373B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210103660.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/67 , B23K26/53 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/67132 , H01L21/78
Abstract: 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。
-
公开(公告)号：CN103025472B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180036024.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/046 , B23K26/06 , B23K26/40 , B23K26/362
CPC classification number: H01L21/30608 , B23K26/0006 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/486 , H01L23/49827
Abstract: 一种激光加工方法，包含通过使激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），在加工对象物（1）的内部形成改质区域（71~73）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物（1）薄化至目标厚度，并且沿着改质区域（71~73）使蚀刻选择性地进展，以将相对于加工对象物（1）的厚度方向倾斜的贯通孔（24）形成于加工对象物（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，在加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分，形成作为改质区域（71~73）的第1改质区域（72），并且在加工对象物（1）中通过利用各向异性蚀刻处理的薄化所除去的部分，形成与厚度方向平行地延伸且与第1改质区域（72）相连的作为改质区域的第2改质区域（71,73），在蚀刻处理工序中，一边使加工对象物（1）薄化，一边沿着第2改质区域（71,73）使蚀刻选择性地进展后，沿着第1改质区域（72）使蚀刻选择性地进展，当加工对象物（1）到达目标厚度时完成贯通孔（24）的形成。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103025478A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036884.0
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/04 , H01L21/306
CPC classification number: B23K26/064 , B23K26/0006 , B23K26/0736 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/76898
Abstract: 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。
-
公开(公告)号：CN103025477A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036874.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , H01L23/473
CPC classification number: B23K26/55 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
-
公开(公告)号：CN103025473A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036058.6
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/04 , H01L21/306
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/0006 , B23K26/064 , B23K26/0736 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/76898
Abstract: 一种用来将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，其具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），沿着线（12）在硅基板（11）的内部形成多个改质点（S），从而形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，从而在硅基板（11）形成空间的第2工序，在第1工序中，以激光（L）相对于硅基板（11）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度为45°以上的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），并以沿着线（12）排成一列的方式来形成多个改质点（S）。
-
公开(公告)号：CN103025472A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036024.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L21/30608 , B23K26/0006 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/486 , H01L23/49827
Abstract: 一种激光加工方法，包含通过使激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），在加工对象物（1）的内部形成改质区域（71~73）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物（1）薄化至目标厚度，并且沿着改质区域（71~73）使蚀刻选择性地进展，以将相对于加工对象物（1）的厚度方向倾斜的贯通孔（24）形成于加工对象物（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，在加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分，形成作为改质区域（71~73）的第1改质区域（72），并且在加工对象物（1）中通过利用各向异性蚀刻处理的薄化所除去的部分，形成与厚度方向平行地延伸且与第1改质区域（72）相连的作为改质区域的第2改质区域（71,73），在蚀刻处理工序中，一边使加工对象物（1）薄化，一边沿着第2改质区域（71,73）使蚀刻选择性地进展后，沿着第1改质区域（72）使蚀刻选择性地进展，当加工对象物（1）到达目标厚度时完成贯通孔（24）的形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.033 seconds)
