-
公开(公告)号：CN105161398A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510394642.9
申请日：2015-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(111)衬底重复双氧水浸泡—去离子水清洗—盐酸浸泡—去离子水清洗步骤至少1次。本发明先用双氧水牺牲氧化GaAs(111)表面，得到规整的自然氧化层；再用盐酸腐蚀，由于GaAs表面的自然氧化层是规整的，因而可以有效去除表面质量不好的GaAs缺陷，使GaAs表面氧化物数量和粗糙度都大幅下降。采用该清洗方法配合硫化铵溶液钝化，可长时间的阻挡空气中氧气对洁净GaAs(111)表面的氧化。
-
公开(公告)号：CN105140155A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510414886.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
-
公开(公告)号：CN105018025A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510412159.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09J191/06
Abstract: 本发明公开了一种GaAs MMIC减薄工艺中粘片用的液态蜡，它是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明用Crystalbond 509强力粘合剂溶于丙酮中所得的液态蜡代替传统粘片工艺中使用的高温蜡，在液态蜡和光刻胶接触部分不会产生互溶问题，避免了因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，分离时只需要采用丙酮溶液浸泡即可，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，本发明所述液态蜡具有极强的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。
-
公开(公告)号：CN104362419A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410710470.7
申请日：2014-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/123
Abstract: 本发明公开一种超宽带人工表面等离子激元弯曲波导，主要由介质基板层和金属箔层构成。介质基板层和金属箔层均为直角弯板，金属箔层印制于介质基板的其中一侧表面上。金属箔层的表面蚀刻有波导结构，且波导结构的走向与金属箔层的中心线相一致。波导结构包括有表面等离子激元弯曲波导部分、2个转换部分和2个共面波导部分组成。第一共面波导部分经第一转换部分与表面等离子激元弯曲波导部分的一端相连，表面等离子激元弯曲波导部分的另一端经第二转转部分与第二共面波导部分相连。本发明不仅能够实现人工表面等离子激元的弯曲传输，而且能够有效降低介质损耗。
-
公开(公告)号：CN108110433B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201711176679.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯‑金属混合超表面的多功能THz极化转换器。自上而下由石墨烯‑金属混合超表面层、二氧化硅衬底层、硅介质基底层和金属地板层组成。石墨烯‑金属混合超表面层由多个石墨烯和金属超表面单元组成，这些石墨烯和金属超表面单元在二氧化硅衬底层的表面呈周期性排列。每个石墨烯和金属超表面单元由金属片和石墨烯片组成。金属片为蝶形，且金属片同时关于表面横向x轴对称和表面纵向y轴对称。本发明能够通过改变加载在石墨烯‑金属混合超表面层和硅介质基底层之间的偏置电压来达到调节石墨烯的费米能级的目的，从而实现本多功能极化转换器本体的线极化偏转和圆极化转换功能的切换。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106099366B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201610741404.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种加载石墨烯去耦网络的微带阵列天线，包括介质板、以及覆于介质板表面的金属地板和2个以上的相互独立的天线阵列单元；2个相邻的天线阵列单元之间设有石墨烯层；该石墨烯层覆于介质板上，且与天线阵列单元之间存在一定的间隙；石墨烯层与一外置直流偏置电压相连接。本发明能够有效降低微带阵列天线中辐射贴片之间的电磁耦合，从而实现阵列天线的紧凑型结构。
-
公开(公告)号：CN112467394A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202110078056.9
申请日：2021-01-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明适用于微波技术领域，提供了一种频率选择表面，包括：三层金属贴片；每层金属贴片均由多件呈周期性排列的金属贴片子单元组成；两层介质基板，分别设置在三层所述金属贴片阵列之间；其中，顶层的金属贴片子单元的和底层的金属贴片子单元均呈I形，I形金属贴片子单元的中心部位设有变容二极管；中间层的金属贴片子单元呈一字型。与现有技术相比，本发明属于有源器件，通过在I形金属贴片子单元的中心部位焊接有变容二极管，具有两个谐振点，能够实现超宽带频率选择；其次，本发明通过同时改变施加在变容二极管的偏置电压V，可以使其对电磁波的频率选择特性连续可调，改变其滤波性能，适用于更加复杂的电磁环境。
-
公开(公告)号：CN106847925B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710087033.8
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。
-
公开(公告)号：CN106803518B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710086446.4
申请日：2017-02-17
Abstract: 本发明公开一种基于场氧层电场调制的功率器件，通过在场氧层内引入同型变掺杂的同型固定界面电荷区电场分布与漂移区体电场相互调制，引入的新电场尖峰优化了漂移区的表面电场强度，使得表面电场分布更加均匀，从而提高器件的横向耐压特性。此外，变掺杂固定界面电荷区，不仅提高了器件的耐压特性，同时其固定电荷结构简单，受温度、应力影响较小，工艺容差高，与常用的漂移区内局部掺杂电荷的结构可同时使用，通过对引入的同型固定界面电荷区的面密度，分布区域，分布连续性进行优化，获取更佳的击穿电压，并提供更多的提高击穿电压的结构，可广泛运用于多种半导体功率器件。
-
公开(公告)号：CN107942220A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.039 seconds)
