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公开(公告)号：CN104269441B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104505403A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410833251.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层，在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有源层接触的表面面积的50％-75％,高浓度固定电荷区电荷的浓度为1×1017～1×1018/cm2。本发明生产工艺简单，固定电荷掺杂浓度工艺容差比较大，受高温工艺影响小，与常规CMOS/SOI工艺完全兼容。应用本发明的功率器件，其耐压由于介质埋层电场的增强而大幅提高。
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公开(公告)号：CN104269441A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0603 , H01L29/7393
Abstract: 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104218088A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410333042.7
申请日：2014-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L29/404 , H01L29/407
Abstract: 本发明公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本发明通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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公开(公告)号：CN103077891A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293397B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202010217484.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋开槽Y型结构的人工磁局域表面等离激元功分器，包括至少三个螺旋形开槽结构的第一中心连线与介质基板水平线平行，至少三个螺旋形开槽结构的第二中心连线和第三中心连线与第一中心连线呈Y型。通过螺旋形开槽结构支持人工磁局域表面等离激元的传输。由于磁模式具有角向均匀性，人工局域表面等离激元能在螺旋形开槽结构上发生大角度弯曲传输，解决了目前研究现状中，基于螺旋形开槽结构只能直线和直角传输的弊端；同时螺旋形开槽结构的直径为10.6mm，远远小于其工作波长，为深度亚波长器件的设计提供了思路；适当地对功分器进行比例缩减，还可以工作于不同的频段，从而提高了人工局域表面等离激元的应用。
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公开(公告)号：CN112099311B
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN117595674A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311606094.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种隔离型恒流转恒压开关电源电路，电路主要由分流稳压电路、储能滤波电路、隔离DC转DC电路、电压探测电路、PID反馈控制电路组成。分流稳压电路连接输入的恒流电流，其输出连接到储能滤波电路的输入；储能滤波电路的输出连接到隔离DC转DC电路；隔离DC转DC电路的输出信号连接到整个电路系统的电压输出端子，并且连接到电压探测电路；电压探测电路用于监控输出电压值并将反馈信号连接到PID反馈控制电路；PID反馈控制电路的输出连接到分流稳压电路。整个电路采用新型的开关电源拓扑结构和新型的电路反馈方式，实现了将恒流电流转换成隔离的恒压电压输出的功能，具有信号隔离、效率高、多个模块并联均流的特点。
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公开(公告)号：CN117525144A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311484567.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种具有倾斜嵌入槽的功率器件，在传统的LDMOS器件的漂移区中倾斜嵌入嵌入槽，该嵌入槽的倾斜程度可改变，且其内部既可以填充介质和/或半导体材料。本发明易于工艺制造，能够提高漂移区掺杂浓度，改善电场分布，提高器件的击穿电压，同时降低器件的比导通电阻，可发挥出类似于超级结结构的功能。
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公开(公告)号：CN107612514B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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