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公开(公告)号：CN102412297A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110241746.8
申请日：2011-08-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域。基于衬底偏压技术的硅基功率器件是通过导电类型相反的复合衬底结构形成反向偏置的PN结，衬底电场调制体内电场分布，降低纵向电场峰值，而且使器件纵向由常规功率器件的承担全部阻断电压变为仅承担阻断电压的一部分，二者使得器件耐压提高，改善功率器件在导通电阻和击穿电压间的折中关系。利用本发明提供的硅基衬底偏压技术，可灵活结合多种表面终端技术设计器件结构。利用本发明可制作各类性能优良高耐压器件，例如横向双扩散场效应晶体管、PN二极管和横向绝缘栅双极型功率晶体管等功率器件。
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公开(公告)号：CN104218088A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410333042.7
申请日：2014-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L29/404 , H01L29/407
Abstract: 本发明公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本发明通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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公开(公告)号：CN104218088B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410333042.7
申请日：2014-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本发明通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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公开(公告)号：CN203941904U
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201420386839.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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