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发明公开
一种具有倾斜嵌入槽的功率器件审中-实审

公开(公告)号：CN117525144A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311484567.6

申请日：2023-11-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 , 牛玉龙 , 陈永和 , 崔现文 , 程识 , 叶健 , 李佩 , 管理 , 潘鹏宇

IPC: H01L29/78 , H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种具有倾斜嵌入槽的功率器件，在传统的LDMOS器件的漂移区中倾斜嵌入嵌入槽，该嵌入槽的倾斜程度可改变，且其内部既可以填充介质和/或半导体材料。本发明易于工艺制造，能够提高漂移区掺杂浓度，改善电场分布，提高器件的击穿电压，同时降低器件的比导通电阻，可发挥出类似于超级结结构的功能。

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