公开(公告)号：CN102844839B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180020284.5

申请日：2011-04-11

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  渡边由雄 ,  畑中诚

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种激光退火方法、装置以及微透镜，能够以不同于非晶硅膜中的晶体管形成预定区域的间距的较大间距来构成微透镜阵列，又能够以小于微透镜阵列的排列间距的间距来形成通过对非晶硅膜进行激光退火而产生的微小多晶硅膜区域。第1组（11）、第2组（12）以及第3组（13）的微透镜在各组内3列以同一间距P排列，在各组间微透镜则以P＋P/3隔离。在第1工序中，从第1组的3列微透镜照射第一次激光，在第2工序中，在使衬底（20）移动了3P的时刻从2×3列微透镜（5）照射第二次激光，以后同样地以P/3间距形成激光退火区域。

公开(公告)号：CN103189801B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201180053457.3

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: G03F9/00 ,  G03F7/2002 ,  H05K3/0008 ,  H05K2201/09918 ,  H05K2203/0557

Abstract: 在膜曝光装置（1）设有引入标记形成部（13），所述引入标记形成部（13）在所供给的膜（2）的前端部形成作为掩模（12）的初始位置的基准的引入标记（2a），利用检测部（15）来检测相对膜的移动方向而言在垂直的方向上的引入标记的位置。而且，根据该检测结果来调整掩模的位置。引入标记例如利用YAG激光来形成。检测部例如是在掩模的下方配置的线阵CCD相机。由此，膜曝光装置能够在开始膜的曝光时精度良好地设定掩模的位置，以高曝光精度对膜进行稳定地曝光。

公开(公告)号：CN104781443A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059305.3

申请日：2013-10-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/03 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  C23C14/042

Abstract: 本发明提供一种成膜掩模的制造方法以及成膜掩模。该成膜掩模的制造方法进行以下步骤：形成使磁性金属部件与树脂制造的膜片密接了的掩模用部件的步骤，其中所述磁性金属部件在与基板上的多个薄膜图案以及多个基板侧对准标记对应的位置设置有多个第一贯通孔以及第二贯通孔；在框状的框架的一端面架设上述掩模用部件并在该框架的一端面接合上述磁性金属部件的周缘部的步骤；以及向上述第一贯通孔内的膜片部分照射激光而形成形状尺寸与薄膜图案相同的开口图案并且向上述第二贯通孔内的上述膜片部分照射激光而形成掩模侧对准标记的步骤。

公开(公告)号：CN102414795B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201080018835.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社V技术

Inventor： 大津元一 ,  八井崇 ,  川添忠 ,  山崎俊辅 ,  梶山康一 ,  水村通伸 ,  伊藤圭一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/48

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C14/548 ,  C23C16/303 ,  C23C16/52 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的沉积方法，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。本发明涉及一种使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其中，在使化合物半导体向基板(13)上沉积的同时，对该基板(13)上照射比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小的能量的传播光，使在基板(13)上沉积的化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。

公开(公告)号：CN102869474B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201180021536.6

申请日：2011-04-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: B23K26/382 ,  B23K26/067 ,  B23K26/402

CPC classification number: B23K26/38 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种向印刷配线基板(9)照射激光(L)而在印刷配线基板(9)上的预定的多个位置分别加工孔(22)的激光加工装置，在激光(L)的光路上，从该光路的上游侧依次具备：第二复眼透镜(6)，该第二复眼透镜(6)使激光(L)的强度分布均匀化；第二聚光透镜(7)，第二聚光透镜(7)使从第二复眼透镜(6)射出的激光(L)形成为平行光；微透镜阵列(8)，该微透镜阵列(8)与印刷配线基板(9)对置配置，并与印刷配线基板(9)上的上述多个位置对应地形成多个微透镜(19)。由此，提高多个开孔加工的位置精度，并且缩短开孔加工的生产节拍。

公开(公告)号：CN104206016A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016813.3

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 工藤修二 ,  水村通伸 ,  梶山康一 ,  哈尼·马赫·阿齐兹 ,  梶山佳敬

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01M4/00 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0016

Abstract: 本发明是薄膜图案形成方法，在基板(1)的表面形成具有规定形状的薄膜图案(14)，基板(1)在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述薄膜图案形成方法构成为包含：使透射可见光的树脂制成的膜(2)紧贴在上述基板(1)上的步骤；对上述基板(1)上的薄膜图案形成区域(11)照射激光(L)，在上述膜(2)中形成与薄膜图案(14)相同形状的开口图案(21)的步骤；通过上述膜(2)的开口图案(21)，在上述基板(1)上的上述薄膜图案形成区域(11)形成薄膜图案(14)的步骤；以及剥离上述膜(2)的步骤。由此，能在电极预先形成于薄膜图案形成区域的基板的表面容易形成高精细的薄膜图案。

公开(公告)号：CN102640058B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201080054737.1

申请日：2010-11-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  桥本和重 ,  畑中诚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70275

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，其具有：光掩模（10、24），该光掩模形成有与被曝光在TFT用基板（4）的表面上的曝光图案相同形状的掩模图案，该TFT用基板（4）被保持在载物台（8）上；透镜组装体（11、25），该透镜组装体将多个单元透镜组（15、29）排列在与光掩模（10、24）以及被保持在载物台（80）上的TFT用基板（4）的表面平行的面内，单元透镜组（15、29）是在光掩模（10、24）的法线方向上配置多个凸透镜（14、28）而构成的，能够将形成在所述光掩模（10、24）上的掩模图案的等倍正立像成像在TFT用基板(4)表面上；和移动单元（12、26），该移动单元使得该透镜组装体（11、25）在与光掩模（10、24）以及载物台（8）上的TFT用基板（4）的表面平行的面内移动。

公开(公告)号：CN102197340B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980142622.5

申请日：2009-10-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/38

CPC classification number: G03F7/70791 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，其为在一个方向上搬送TFT用基板(8)，隔着光掩膜(3)对TFT用基板(8)间歇地照射光源光(24)，对应于形成于所述光掩膜(3)的多个掩膜图案在所述TFT用基板(8)上形成曝光图案的曝光装置，所述光掩膜(3)的一表面形成要求分辨率不同的电极布线图案(14)和信号布线图案(17)，在TFT用基板(8)的搬送方向的前后形成有多个电极布线图案(14)构成的电极布线图案群(16)和多个信号布线图案(17)构成的信号布线图案群(18)。在另一表面对应于要求分辨率高的电极布线图案(14)形成将该图案缩小投影于所述TFT用基板(8)的微透镜(19)，配置该光掩膜(3)使得该微透镜侧(19)侧作为TFT用基板(8)侧。这样，要求分辨率不同的两种曝光图案在同一曝光步骤中同时形成，提高曝光处理效率。

公开(公告)号：CN103415810A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011253.8

申请日：2012-02-02

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  畑中诚

IPC: G03F7/20 ,  G02B13/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G02B3/0056 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70358

Abstract: 在曝光装置中，设置有射入透过了光源和掩模的曝光用光，并以具有规定的规则性配置的使正立等倍像在基板上成像的多个微透镜的微透镜阵列。进而，在基板到达了规定位置时，从光源脉冲地照射激光，将基板依次曝光，在基板的曝光对象区域的全域被曝光之后，将微透镜阵列与掩模的相对位置关系，仅以微透镜的行间距，在列方向依次切换，进行下一个顺序的曝光。由此，能以短曝光行程进行高精度且高分辨率的曝光。

公开(公告)号：CN103081060A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042029.0

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  新井敏成

IPC: H01L21/027 ,  G02B3/00 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F1/42 ,  G02B3/0056 ,  G02B3/0068 ,  G03F1/38 ,  G03F9/7038 ,  G03F9/7096

Abstract: 本发明提供一种能够防止异物进入到微透镜阵列与基板之间并且能够防止由于基板的异常接近和上述异物导致对微透镜造成伤痕的曝光装置和光学构件。在透明基板（1）的上方配置有形成了多个微透镜（3a）的微透镜阵列（3），该微透镜阵列（3）在其端面（6）与掩模（4）接合。在掩模（4），在微透镜阵列（3）的两侧接合有对准标记台（12），在该对准标记台（12）的与基板（1）的相向面形成有对准标记（11）。对准标记台（12）与基板（1）之间的间隔小于微透镜阵列（3）与基板（1）的间隔。