-
公开(公告)号：CN101268420B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200680034934.0
申请日：2006-10-04
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G03F7/7035 , G02F1/133516 , G03F7/70058
Abstract: 本发明提供一种曝光装置，包括：承载并搬运滤色基板1的载物台5；以与滤色基板1邻接相对置的方式保持光掩膜14的掩膜载物台6；在曝光过程中持续点亮并对光掩膜14照射曝光用光的光源7；使照射在光掩膜14上的曝光用光的亮度分布均匀的光积分仪8；使照射在光掩膜14上的曝光用光成为平行光的聚光透镜9；在聚光透镜9的靠前侧形成光积分仪8的端面像的成像透镜10；设置在成像透镜10的成像位置附近，并与多个曝光区域2随着滤色基板1的移动而依次通过光掩膜14的下侧同步，进行曝光用光的照射及遮断切换的光闸11。由此，能够防止在被曝光体上沿其搬运方向设定的多个曝光区域的外部彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。
-
公开(公告)号：CN101273302A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035418.X
申请日：2006-09-25
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/0007 , G03F1/44
Abstract: 本发明是由透明基体材料2和形成在该透明基体材料2的一个面上的遮光膜3构成的光掩模1，该光掩模1设置了多个掩模图案4和观察孔5，所述多个掩模图案4单向排列形成在上述遮光膜3上，并使曝光用光透过，所述观察孔5形成在上述遮光膜3上，并且形成在上述多个掩模图案4的排列方向的一侧，可观察对置的滤色基板的表面。这样，提高曝光图案相对于涂敷了感光性树脂的基板的基准图案的重合精度。
-
公开(公告)号：CN103907061B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280038389.8
申请日：2012-07-27
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , G02B5/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0056 , G03F7/70275 , G03F7/70308 , G03F9/70
Abstract: 在微透镜阵列中，其反转成像位置的六边视野光圈的配置，即，微透镜的配置，在垂直于扫描方向的方向上配置有多个而构成微透镜列。而且关于其3列的微透镜列，微透镜列以使六边视野光圈的三角形部分在扫描方向上重叠的方式分别在垂直于扫描方向的方向上偏移长度S的量进行配置。进而，关于由该3列的微透镜列构成的微透镜列组，微透镜列组例如在垂直于扫描方向的方向上偏移微小移位量F而配置，例如，偏移2μm。由此，在使用微透镜阵列的曝光装置中，即使对于垂直于扫描方向的方向也能防止产生曝光不均。
-
公开(公告)号：CN101238416A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028831.3
申请日：2006-07-24
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70258 , G03F9/7003 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种曝光装置及被曝光体，承载在设定于表面的图案区域的一个边缘的规定位置形成有对准标记的彩色滤光基板6，并通过输送装置1，以形成有对准标记的一侧为最前侧，输送该彩色滤光基板6，通过拍摄装置3拍摄对准标记和像素，通过控制装置4，根据拍摄装置3所取得的对准标记的检测输出，计算出彩色滤光基板6上的基准位置和预先设定在曝光光学系统2的光掩模17上的基准位置的偏差，并使拍摄装置3和曝光光学系统2一体地在与彩色滤光基板的承载面平行的面内移动，从而修正该偏差，将从曝光光源12发射的曝光用的光经由光掩模17照射到彩色滤光基板6上。
-
公开(公告)号：CN103907061A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280038389.8
申请日：2012-07-27
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , G02B5/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0056 , G03F7/70275 , G03F7/70308 , G03F9/70
Abstract: 在微透镜阵列中，其反转成像位置的六边视野光圈的配置，即，微透镜的配置，在垂直于扫描方向的方向上配置有多个而构成微透镜列。而且关于其3列的微透镜列，微透镜列以使六边视野光圈的三角形部分在扫描方向上重叠的方式分别在垂直于扫描方向的方向上偏移长度S的量进行配置。进而，关于由该3列的微透镜列构成的微透镜列组，微透镜列组例如在垂直于扫描方向的方向上偏移微小移位量F而配置，例如，偏移2μm。由此，在使用微透镜阵列的曝光装置中，即使对于垂直于扫描方向的方向也能防止产生曝光不均。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101258448A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032376.4
申请日：2006-09-25
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F9/7038 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种曝光装置，利用拍摄装置3在同一视场内分别捕捉并拍摄形成在滤色基板6上的基板侧对准标记和形成在光掩膜7上的掩膜侧对准标记，基于该拍摄到的基板侧和掩膜侧对准标记的各图像，相对移动载物台1和掩膜载物台2，对滤色基板6与光掩膜7进行对位后进行曝光，并且具有光学距离修正装置4，该光学距离修正装置4使拍摄装置3的线阵CCD22与滤色基板6之间的光学距离和拍摄装置3的线阵CCD22与光掩膜7之间的光学距离大致一致。由此，缩短基板和光掩膜的对位的处理时间。
-
公开(公告)号：CN101268420A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034934.0
申请日：2006-10-04
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335
CPC classification number: G03F7/7035 , G02F1/133516 , G03F7/70058
Abstract: 本发明提供一种曝光装置，包括：承载并搬运滤色基板1的载物台5；以与滤色基板1邻接相对置的方式保持光掩膜14的掩膜载物台6；在曝光过程中持续点亮并对光掩膜14照射曝光用光的光源7；使照射在光掩膜14上的曝光用光的亮度分布均匀的光积分仪8；使照射在光掩膜14上的曝光用光成为平行光的聚光透镜9；在聚光透镜9的靠前侧形成光积分仪8的端面像的成像透镜10；设置在成像透镜10的成像位置附近，并与多个曝光区域2随着滤色基板1的移动而依次通过光掩膜14的下侧同步，进行曝光用光的照射及遮断切换的光闸11。由此，能够防止在被曝光体上沿其搬运方向设定的多个曝光区域的外部彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。
-
公开(公告)号：CN102844839B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180020284.5
申请日：2011-04-11
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法、装置以及微透镜，能够以不同于非晶硅膜中的晶体管形成预定区域的间距的较大间距来构成微透镜阵列，又能够以小于微透镜阵列的排列间距的间距来形成通过对非晶硅膜进行激光退火而产生的微小多晶硅膜区域。第1组（11）、第2组（12）以及第3组（13）的微透镜在各组内3列以同一间距P排列，在各组间微透镜则以P＋P/3隔离。在第1工序中，从第1组的3列微透镜照射第一次激光，在第2工序中，在使衬底（20）移动了3P的时刻从2×3列微透镜（5）照射第二次激光，以后同样地以P/3间距形成激光退火区域。
-
公开(公告)号：CN102844839A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180020284.5
申请日：2011-04-11
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 本发明提供一种激光退火方法、装置以及微透镜，能够以不同于非晶硅膜中的晶体管形成预定区域的间距的较大间距来构成微透镜阵列，又能够以小于微透镜阵列的排列间距的间距来形成通过对非晶硅膜进行激光退火而产生的微小多晶硅膜区域。第1组（11）、第2组（12）以及第3组（13）的微透镜在各组内3列以同一间距P排列，在各组间微透镜则以P＋P/3隔离。在第1工序中，从第1组的3列微透镜照射第一次激光，在第2工序中，在使衬底（20）移动了3P的时刻从2×3列微透镜（5）照射第二次激光，以后同样地以P/3间距形成激光退火区域。
-
公开(公告)号：CN101258448B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680032376.4
申请日：2006-09-25
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G03F9/7038 , G03F9/7088
Abstract: 本发明提供一种曝光装置，利用拍摄装置3在同一视场内分别捕捉并拍摄形成在滤色基板6上的基板侧对准标记和形成在光掩膜7上的掩膜侧对准标记，基于该拍摄到的基板侧和掩膜侧对准标记的各图像，相对移动载物台1和掩膜载物台2，对滤色基板6与光掩膜7进行对位后进行曝光，并且具有光学距离修正装置4，该光学距离修正装置4使拍摄装置3的线阵CCD22与滤色基板6之间的光学距离和拍摄装置3的线阵CCD22与光掩膜7之间的光学距离大致一致。由此，缩短基板和光掩膜的对位的处理时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.018 seconds)
