公开(公告)号：CN1917218A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610114890.4

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1－6原子％的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。

公开(公告)号：CN1916234A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610115612.0

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  钉宫敏洋

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L23/49586 ,  C23C16/401 ,  H01L23/3142 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 电子元件用铜基片包括含有烃基和羟基至少之一的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜被设置在铜基片的表面上。另外，含硅反应气体通过产生等离子体而分解。使所得分解产物与所述铜基片接触以在所述铜基片表面上形成氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN1804110A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510138116.2

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00

Abstract: 一种由铝合金构成的溅射靶，其中：作为合金成分，包含0.1～6原子％的从由Ag、Zn、Cu、Ni构成的一组中选择的至少一种，并且包含0.1～6原子％的从由Nd、Y、Fe、Co构成的一组选择的至少一种。

公开(公告)号：CN1683980A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510064947.X

申请日：2005-04-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124

Abstract: 一种显示装置，它包括绝缘基材、安置在绝缘基材上的薄膜晶体管、包含透明电极的象素电极以及作为用于电连接薄膜晶体管和象素电极之间的连接线路部分的铝合金膜。所述铝合金膜是包括不含氮铝合金层以及安置在第一层上并含有氮的另一个铝合金层的多层铝合金层膜。所述含氮层保证了对碱溶液的耐腐蚀性。所述含氮铝合金层至少在与象素电极的连接区域中被去除，以使象素电极直接连接第一铝合金层。

公开(公告)号：CN1624176A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100020.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  富久胜文 ,  田内裕基 ,  钉宫敏洋

IPC: C22C5/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C5/06 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/12896

Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at％的Nd、和/或0.01～1.5at％的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at％的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。

公开(公告)号：CN104620365B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN109155264A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780026154.X

申请日：2017-04-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  越智元隆 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明是氧化物半导体薄膜的品质评价方法，选出在通过μ-PCD法测定出的激励光停止后的每个经过时间的各信号值以及该经过时间代入到下述式(1)而得到的各计算值当中，计算值最高的峰值以及上述峰值的时间常数(μ秒)，根据上述峰值以及上述时间常数推定存在于上述氧化物半导体薄膜中的缺陷能级的能量位置和缺陷密度。x＝信号值×信号值的经过时间…式(1)，式中，x：计算值，信号值：微波的反射率(mV)，信号值的经过时间：从激励光停止后到信号值为止的经过时间(μ秒)。

公开(公告)号：CN105026918B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201480004370.0

申请日：2014-01-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  林和志 ,  钉宫敏洋

IPC: G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/2608 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2642 ,  G01R31/2656 ,  G01R31/2894 ,  G01R31/308 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种非接触型，正确且简便地测量、评价(预测·推断)氧化物半导体薄膜的应力耐受性的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法，包括如下工序，第一工序，其是向形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激发光和微波，测量因所述激发光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激发光的照射，测量所述激发光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化的第一工序；第二工序，其是根据所述反射率的变化，计算在激发光的照射停止后1μs左右出现的慢衰减所对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的应力耐受性。

公开(公告)号：CN104756257B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。

公开(公告)号：CN104885229B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚‑第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。