-
公开(公告)号：CN102177577B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
-
公开(公告)号：CN104818458A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510033778.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其具有能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。在处理室(11a、11b)内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶(31a～31l)，在各处理室内将基板传送到与各靶相对的位置并停止，层压薄膜。改变基板的停止位置，以使各处理室相互间在基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开。除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
-
公开(公告)号：CN102187010B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200980140705.0
申请日：2009-10-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
-
公开(公告)号：CN101978094B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
-
公开(公告)号：CN101622374B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880006087.6
申请日：2008-02-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/34
Abstract: 在利用反应性溅镀法形成规定的薄膜时，以能够在整个处理基板表面上形成大致均匀的膜厚分布以及大致均匀的比电阻值等膜质的形态构成溅镀装置。在等间隔并列设置了相同数量的阴极靶31a～31h的多个溅镀室11a、11b之间，将处理基板S传送到与各阴极靶相向的位置，通过给该处理基板所在的溅镀室内的各阴极靶提供电力，使各阴极靶发生溅射，在处理基板表面上层叠出相同或不同的薄膜。此时，在彼此连续的溅镀室之间以使处理基板表面与各阴极靶彼此间的区域相向的位置错位的形态改变处理基板的停止位置。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN102187008A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140711.6
申请日：2009-10-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32752 , H01J37/3408
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部，将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。
-
公开(公告)号：CN102177577A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
-
公开(公告)号：CN102033417A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010298454.3
申请日：2010-09-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14)，在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时，利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行，然后，利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24)，利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。
-
公开(公告)号：CN101370958A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002208.5
申请日：2007-01-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3408 , H01J37/3444
Abstract: 提供一种采用AC电源的溅射装置，该装置能够不依赖于溅射装置的设置场所与交流电源的设置场所之间的距离，高精度地供电。在真空腔(11)内设置一对靶(41a、41b)和按照规定的频率交替改变极性地给该对靶施加电压的AC电源(E)。该AC电源(E)的结构分为能供电的供电部(6)和振荡部(7)，振荡部(7)具有与从该供电部引出的电力线连接的振荡用开关电路(72)。该振荡部与各靶通过母线(8)连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.031 seconds)
