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公开(公告)号：CN101313413B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680043181.X
申请日：2006-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L29/41 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/03762
Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
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公开(公告)号：CN101110437B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710142234.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
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公开(公告)号：CN100514604C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200580007958.2
申请日：2005-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/786 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01Q1/38 , H01Q7/00
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , G06K19/07775 , G06K19/07779 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q23/00
Abstract: 一种半导体器件，例如本发明的ID芯片，包括使用半导体元件的集成电路，和与集成电路相连的天线，其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起，因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意，本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。
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公开(公告)号：CN100485950C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610095692.8
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN100449779C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN03132658.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 荒尾达也
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78645 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是在同一衬底上形成：压缩截至电流的同时重视高耐压性能的TFT；增大导通电流的同时重视高耐压性能的TFT；重视短沟道结构以及因短沟道结构引起的门栏值降低的TFT。本发明的特征在于使栅绝缘膜具有多层结构的同时，在半导体膜上形成不同于栅电极的辅助电极从而在同一衬底上制作具有不同厚度栅绝缘膜的TFT。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101313413A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043181.X
申请日：2006-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L29/41 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/03762
Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
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公开(公告)号：CN100409409C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03102283.9
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN100397218C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410085055.3
申请日：2001-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN1598677A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410085055.3
申请日：2001-03-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN1444083A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120162.8
申请日：2003-03-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 荒尾达也
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/1396
Abstract: 在一对衬底间提供一个液晶层，该对衬底中的一个衬底配备有包含TFT和其中形成开口部分的光屏蔽层的像素区，构成TFT的半导体层与光屏蔽层重叠并沿开口部分的一侧被形成，并且液晶分子的排列被这样控制，使得穿透液晶层的光以垂直于开口部分的该侧的偏振光被入射。液晶层特别地由TN型液晶构成。
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