公开(公告)号：CN102812581B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201180016199.1

申请日：2011-03-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵 ,  森若圭惠 ,  村上智史

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M4/667 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池，该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极，其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层；在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层；所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高；并且，所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。

公开(公告)号：CN102906907B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180026957.8

申请日：2011-05-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  栗城和贵 ,  汤川干央

IPC: H01M4/134 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01G11/24 ,  C23C16/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/48 ,  H01M4/52 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/49115

Abstract: 提供一种提高放电容量等能够提高性能（如更高放电容量）且不容易发生因活性物质层的剥落等导致的劣化的蓄电装置及其制造方法。蓄电装置包括：集电体；形成在集电体上的混合层；形成在混合层上且用作活性物质层的晶体硅层。晶体硅层包括晶体硅区域、具有突出在晶体硅区域上的多个突起物的须状的晶体硅区域。须状的晶体硅区域包括具有弯曲或分支的部分的突起物。

公开(公告)号：CN102549817B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080041544.2

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  川上贵洋

IPC: H01M4/1397 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/581 ,  H01M4/5815 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明的目的在于：增加能离开和进入活性材料的离子的数量，以增加蓄电池的容量。本发明涉及电力储存设备的制备方法，所述设备包含使用至少含有碱金属和过渡金属的复合氧化物形成的正极活性材料。所述方法包括以下步骤：在支持衬底上形成基底层，在基底层上形成磷酸铁锂层或磷酸铁钠层，以及通过热处理转化磷酸铁锂层或磷酸铁钠层，从而使用晶轴定向于 方向的具有橄榄石结构的单晶磷酸铁锂层或具有橄榄石结构的单晶磷酸铁钠层作为正极材料。

公开(公告)号：CN101673758B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910170467.X

申请日：2005-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  大谷久 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3295 ,  H01L27/3297 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明提供一种以高成品率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，在像素电极上形成间隔物，以当形成场致发光层时保护像素电极层不因掩模而损伤。此外，通过用密封材料将包含具有水渗透性的有机材料的层密封在显示器件中，并且使密封材料和含有有机材料的层不连接来防止由污染比如水分引起的发光元件的劣化。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此还可以实现显示器件的帧边框狭窄化。

公开(公告)号：CN102549817A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080041544.2

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  川上贵洋

IPC: H01M4/1397 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/581 ,  H01M4/5815 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明的目的在于：增加能离开和进入活性材料的离子的数量，以增加蓄电池的容量。本发明涉及电力储存设备的制备方法，所述设备包含使用至少含有碱金属和过渡金属的复合氧化物形成的正极活性材料。所述方法包括以下步骤：在支持衬底上形成基底层，在基底层上形成磷酸铁锂层或磷酸铁钠层，以及通过热处理转化磷酸铁锂层或磷酸铁钠层，从而使用晶轴定向于 方向的具有橄榄石结构的单晶磷酸铁锂层或具有橄榄石结构的单晶磷酸铁钠层作为正极材料。

公开(公告)号：CN101882668B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010224591.2

申请日：2003-12-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  福本良太 ,  村上智史 ,  乡户宏充

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一种显示装置，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN101017797B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200710078967.1

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  纳光明

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/32 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 含有有机化合物的发光元件的不足之处在于它易于受到各种因素的影响而退化，所以它的最大问题是增加它的可靠性(使它的使用寿命更长)。本发明提供一种有源矩阵型发光器件的制造方法，以及具有高可靠性的这种有源矩阵型发光器件的结构。在方法中，形成延伸到源区或漏区的接触孔，然后在层间绝缘膜上形成由光敏有机绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜的上端部具有弯曲表面。随后，用RF电源通过溅射的方法形成由氮化硅膜提供的膜的厚度为20到50nm的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1855399B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200610079300.9

申请日：2006-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  村上智史 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255

Abstract: 为了制造出高度可靠和小型的TFT，本发明的一个目的是提供一种制造形成具有高度可靠性的栅电极、源极布线和漏极布线的半导体器件的方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，在具有绝缘表面的基板上形成半导体膜，在半导体膜上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅电极，并通过使用高密度等离子体使栅电极表面氮化，在栅电极的表面上形成氮化膜。

公开(公告)号：CN1729719B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200380106718.9

申请日：2003-12-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  福本良太 ,  村上智史 ,  乡户宏充

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一种显示装置及其制作方法，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN100445812C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN03131288.8

申请日：2003-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  纳光明

IPC: G02F1/133 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 根据本发明的显示器件包括：用来在在晶体管的栅电极等与数据线、漏电极等之间形成隔离的整平层；以及形成在整平层的上表面或下表面上且同时用来抑制来自整平层的潮气或放气组分的扩散的势垒层。此显示器件采用了一种器件结构，此器件结构借助于在整平层与势垒层之间创造一种位置关系而能够有效降低对整平层的等离子体损伤。而且，与新颖结构组合作为象素电极的结构，还能够提供诸如提高亮度之类的效果。