公开(公告)号：CN110914954A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880030307.2

申请日：2018-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏宗辉 ,  V·普拉巴卡尔 ,  A·A·哈贾 ,  J·李

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。

公开(公告)号：CN110291408A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201880012154.9

申请日：2018-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·J·叶 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·A·哈贾

IPC: G01R15/18 ,  H01J37/32 ,  G01R35/04

Abstract: 一种电压-电流传感器，所述电压-电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所述电压拾取器设置在测量开口周围，并且所述电流拾取器设置在测量开口周围。由于传感器的平面配置和材料成分，传感器可设置在等离子体处理腔室的高温表面附近或与等离子体处理腔室的高温表面接触。

公开(公告)号：CN107466420A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201680021498.7

申请日：2016-03-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴蒂亚 ,  A·M·帕特尔 ,  A·A·哈贾

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所述的实施例涉及用于确定清洁终点的方法。可在清洁腔室环境中执行第一等离子体清洁工艺，以确定由第一斜率所限定的清洁时间函数。可在非清洁腔室环境中执行第二等离子体清洁工艺，以确定由第二斜率所限定的清洁时间函数。可比较第一及第二斜率以确定清洁终点时间。

公开(公告)号：CN210956592U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201922123241.6

申请日：2019-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  V·S·C·帕里米 ,  S·M·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  V·K·普拉巴卡尔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205657041U

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201620190681.7

申请日：2016-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  M·阿优伯 ,  R·博卡 ,  J·D·平森二世 ,  J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357

Abstract: 提供了一种耦接至工艺腔室的等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。耦接至工艺腔室的等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少部分地包围环形等离子体生成容积，所述环形等离子体生成容积围绕核芯元件的第二部分而设置。环形等离子体生成容积包括第一区域，所述第一区域关于多个垂直轴对称，所述多个垂直轴垂直于定位在第一轴上的第一点，所述第一区域具有在平行于所述第一轴的方向上的宽度以及在垂直于所述第一轴的方向上的深度。第一区域具有至少比第一区域的深度大三倍的宽度。

公开(公告)号：CN213242483U

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202021336306.1

申请日：2019-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·A·哈贾 ,  V·S·C·帕里米 ,  S·M·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  V·K·普拉巴卡尔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。