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公开(公告)号：CN114580479A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210211410.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于STFT周期性能量峰的船舶螺旋桨转速预报方法，涉及船舶航速识别技术领域。本发明的步骤为：步骤一：将螺旋桨噪声信号进行STFT变换，通过比较分析时频谱图中特征量来确定窗函数和窗口长度；步骤二：利用步骤一的窗函数及其长度参数，对螺旋桨噪声信号进行STFT变换，获得时频谱图信息；步骤三：提取螺旋桨噪声信号的时频特征，并且统计时频图出现的周期性能量峰的时间节点；步骤四：根据所获得的能量峰时间节点，采用差值平均值法求得周期时间，并与螺旋桨转速进行相关性分析。本发明利用STFT谱图的能量峰特征来预报螺旋桨的转速，是研究螺旋桨噪声特征的一种新思路，对船舶航速识别技术有重要的指向性价值。
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公开(公告)号：CN113219989B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110613592.4
申请日：2021-06-02
Applicant: 安徽工业大学
IPC: G05D1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于改进的蝴蝶优化算法移动机器人路径规划方法，包括：利用栅格法对移动机器人工作空间进行建模；设置蝴蝶优化算法初始参数；设置算法的起始位置和目标位置；寻找最优路径，初始化禁忌表并将加入蝴蝶起始位置；计算每只蝴蝶当前位置产生的香味强度，并利用转移概率搜索后续转移动节点，直至蝴蝶到达目标位置时停止搜索；判断算法迭代次数是否到达最大值，若是，则保留最短路径，否则继续进行路径寻优，直至搜索到最优路径；对搜索到的路径进行平滑处理，并输出平滑路径；通过仿真实验，验证了本发明能够解决了移动机器人路径规划问题，是一种有效、可行的优化算法。
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公开(公告)号：CN113628178A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110872859.1
申请日：2021-07-30
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种速度与精度平衡的钢铁产品表面缺陷检测方法，属于钢材表面缺陷检测技术领域，包括以下步骤：S1：从数据库中获取热轧带钢表面缺陷典型图像样本，并对样本进行预处理；S2：基于CenterNet目标检测模型，设计包含跳层连接和金字塔特征融合模块的热轧带钢表面缺陷目标检测模型，并选择骨干网络作为目标检测模型的特征提取器；S3：对目标检测模型中骨干网络结构部分的参数采用在ImageNet数据集上训练好的参数进行初始化，并用训练样本训练目标检测模型；S4：用训练后的目标检测模型对测试样本进行测试，并输出检测结果。本发明检测热轧带钢表面缺陷目标位置的准确率高，检测速度快，能够有效地应用于现场实时检测热轧带钢的表面缺陷。
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公开(公告)号：CN112565374A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367321.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及智能交通技术领域，具体涉及基于V2X技术的车联网信号机，包括主控模块、车检通信模块、控制面板模块、黄闪模块、驱动模块、数据处理模块、DSRC通信模块、GNSS模块和交通管理平台，控制面板模块双向信号连接车检通信模块、控制面板模块、黄闪模块、驱动模块和数据处理模块，数据处理模块双向信号连接DSRC通信模块、GNSS模块和交通管理平台；本发明提出的基于V2X技术的车联网信号机，不仅实现了信号机与车辆的互联，而且实现了信号机与路侧设备的互联，同时实现了信号机与交通管理平台的互联。而且通过对获取数据的处理和分析提高了路口车辆通行的安全性和智慧性，大大提高了出行效率，有广泛的社会效益和工程实用价值。
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公开(公告)号：CN108417624B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810447589.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。通过减小IGBT寄生晶体管存在的区域，解决短路条件下常规IGBT寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高IGBT在短路状态下的鲁棒性，增强IGBT的短路抵御时间和临界短路能量，并适当提高IGBT的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108417623B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810447426.X
申请日：2018-05-11
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了含半绝缘区的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。含半绝缘区的IGBT，半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的发射区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。针对现有技术中IGBT短路时失效快的问题，本发明提出含半绝缘区的IGBT及其制备方法。它可以大幅提高IGBT的短路生存时间，大幅提高其鲁棒性，大幅提高IGBT变换器装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN107818915B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201711135993.3
申请日：2015-09-28
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。
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公开(公告)号：CN110265085A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910686641.X
申请日：2019-07-29
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种蛋白质相互作用位点识别方法，属于生物信息学分析领域。本发明的方法为：先采集蛋白质链数据并对蛋白质链数据进行预处理，再将预处理后的蛋白质链数据分为界面残基和非界面残基；而后从数据库中提取特征，并将提取的特征进行融合得到数据集，再对数据集的不平衡性进行处理，然后将处理后的数据集分为训练集和测试集，再利用训练集训练XGBoost模型，最后利用XGBoost模型得到蛋白质相互作用位点。本发明目的在于克服现有技术中，对蛋白质相互作用位点进行预测时持有不同程度的“假阳性”、“假阴性”特征，使得结果分析比较困难的不足，本发明可以克服以上不足，且可以提高蛋白质相互作用位点的识别精度。
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公开(公告)号：CN108417638A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810447368.0
申请日：2018-05-11
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0619 , H01L29/66712
Abstract: 本发明公开了含半绝缘区的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。半绝缘区位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区和第二导电类型半导体掺杂的源区的下方，半绝缘区的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层接触。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区域，浅基区是在半绝缘区域上方依靠离子注入第一导电类型的杂质形成。通过减小MOSFET寄生晶体管存在的区域，解决UIS条件下常规MOSFET寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高雪崩耐量、鲁棒性、抵御大电流能力、击穿电压和可靠性。
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公开(公告)号：CN108417624A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810447589.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 安徽工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/66333
Abstract: 本发明公开了一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的发射区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的发射区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二导电类型掺杂的发射区和半绝缘区一侧。半绝缘区是先采用离子注入第二导电类型的杂质实现反掺杂形成电中性层，然后依靠离子注入两性杂质元素形成半绝缘区。通过减小IGBT寄生晶体管存在的区域，解决短路条件下常规IGBT寄生晶体管开启所带来的电流失控而引起的“热奔”问题，能显著提高IGBT在短路状态下的鲁棒性，增强IGBT的短路抵御时间和临界短路能量，并适当提高IGBT的击穿电压。
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