公开(公告)号：CN113284537B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202110123835.6

申请日：2021-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林钲峻 ,  曾佩玲 ,  邹宗成 ,  池育德

IPC: G11C16/30 ,  G11C13/00

Abstract: 提供一种自动跟踪参考电路，其补偿IR降且在写入操作之后在不同温度下实现目标电阻状态。所公开的自跟踪参考电路包含跟踪PVT变化以针对RRAM验证操作提供PVT跟踪电平的副本存取路径、可配置电阻器网络、副本选择器迷你阵列以及阶跃电流产生器。

公开(公告)号：CN118748034A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202311646797.8

申请日：2023-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹宗成 ,  池育德

IPC: G11C17/14 ,  G11C17/18 ,  G11C17/16 ,  G11C13/00

Abstract: 一种记忆体装置及操作记忆体装置的方法，记忆体装置包括一第一记忆体阵列，该第一记忆体阵列包括多个第一记忆体位元。所述多个第一记忆体位元中的每一者组态为一一次性可程序化(OTP)记忆体位元。一第二记忆体阵列包括多个第二记忆体位元，所述多个第二记忆体位元中的每一者组态为一多次可程序化(MTP)记忆体位元。一锁定位元电路操作性地耦接至该第一记忆体阵列且不耦接至该第二记忆体阵列。该锁定位元电路用以产生一锁定位元，该锁定位元指示所述多个第一记忆体位元中的至少一者是否已经程序化。

公开(公告)号：CN113539316B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110504049.0

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏晋毅 ,  邹宗成 ,  池育德 ,  林钲峻

IPC: G11C8/12 ,  G11C7/06 ,  G11C5/14 ,  G11C11/40

Abstract: 提供了一种存储器电路，包括第一驱动器电路、耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列、第一电流源、被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流的跟踪电路，以及耦合至第一存储器单元列、第一电流源和跟踪电路的脚部电路。本发明的实施例还提供了一种操作存储器电路的方法。

公开(公告)号：CN111489778B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202010076602.0

申请日：2020-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹宗成 ,  王典彥

IPC: G11C13/00

Abstract: 存储器器件包括存储器阵列，该存储器阵列包括以行和列布置的多个存储器单元。闭环偏置发生器配置为向存储器阵列输出列选择信号。限流器接收闭环偏置发生器的输出。限流器耦合至存储器阵列的多个列。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。

公开(公告)号：CN112578836A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011039671.0

申请日：2020-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林钲峻 ,  邹宗成 ,  池育德 ,  苏晋毅

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种电压调节器电路以及提供供电电压的方法。所述电压调节器电路包括电压调节器，电压调节器被配置成在输出端子处提供输出电压。多个宏可连接在与电压调节器的输出端子连接的连接件的多个连接节点处。反馈电路具有多个反馈环路，所述多个反馈环路可连接到所述多个连接节点。所述多个反馈环路中的反馈环路在连接到所述多个连接节点中的连接节点时被配置成将连接节点的瞬时电压作为反馈提供到电压调节器。电压调节器被配置成响应于瞬时电压而调节输出电压以使连接节点的瞬时电压维持近似等于参考电压。

公开(公告)号：CN104659206B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410385383.9

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈德瀚 ,  邹宗成 ,  李伯浩 ,  涂国基

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。

公开(公告)号：CN104835519A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201410154371.5

申请日：2014-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹宗成 ,  李伯浩 ,  陈德瀚

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C7/12 ,  G11C2013/005 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种装置，包括存储器位单元、第一电流源以及电连接到存储器位单元和第一电流源的电流比较器。第一晶体管具有电连接到第一电压供给节点的第一端、电连接到控制器的控制端、以及电连接到存储器位单元和电流比较器的第二端。读出放大器电连接到电流比较器和参考电流发生器。本发明提供了存储器电路及相关方法。

公开(公告)号：CN102969018A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210033287.9

申请日：2012-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓文 ,  谢维哲 ,  郑基廷 ,  邹宗成 ,  张琮永

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C11/413 ,  Y10T307/445

Abstract: 本发明公开一种具有沿着信号路径的连续负载设备的集成电路中的飞跨导体片段。通过隔离离信号源更远的负载设备的子集，并且通过旁路更接近信号源的子集的飞跨导体将更远子集连接至信号，改善通过沿着导体顺序连接的多个负载设备的信号的传播延迟。该技术可应用于连接至给定字线的随机存取存储器(SRAM)中的位单元的子集、或应用至顺序地连接至选通信号的字线解码器门、以及其他电路，该电路中，可选择为一组的负载设备可以通过到信号源的接近度被分为子集。在具有多级的SRAM布局中，不同金属沉积层承载与旁路较近子集的飞跨导体相对的负载设备之间的导体支路。

公开(公告)号：CN101753126B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200910162601.1

申请日：2009-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨秉霖 ,  柯欣欣 ,  邹宗成

IPC: H03K19/003 ,  G05F1/46

CPC classification number: H03K19/0013

Abstract: 一种电路，包括具有第一电源电压的第一电源节点；门控节点；以及连接在第一电源节点和门控节点之间的第一控制器件。第一控制器件被配置将第一电源电压传递到门控节点，或者将门控节点从第一电源电压上断开。第二控制器件连接在所述第一电源节点和所述门控节点之间，并被配置将门控电压传递到门控节点，或者将门控节点从门控电压上断开。压降器件连接在第一电源节点和门控节点之间，其中压降器件与第二控制器件串联连接。负反馈电流源与压降器件并联，并被配置提供用来跟踪门控节点处门控电压变化的电流。

公开(公告)号：CN101753126A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910162601.1

申请日：2009-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨秉霖 ,  柯欣欣 ,  邹宗成

IPC: H03K19/003 ,  G05F1/46

CPC classification number: H03K19/0013

Abstract: 一种电路，包括具有第一电源电压的第一电源节点；门控节点；以及连接在第一电源节点和门控节点之间的第一控制器件。第一控制器件被配置将第一电源电压传递到门控节点，或者将门控节点从第一电源电压上断开。第二控制器件连接在所述第一电源节点和所述门控节点之间，并被配置将门控电压传递到门控节点，或者将门控节点从门控电压上断开。压降器件连接在第一电源节点和门控节点之间，其中压降器件与第二控制器件串联连接。负反馈电流源与压降器件并联，并被配置提供用来跟踪门控节点处门控电压变化的电流。