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公开(公告)号：CN109860349B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910137304.5
申请日：2019-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透明导电层进行刻蚀，对第一电极区的外延结构进行干法刻蚀；在透明导电层表面形成第二电极区镂空的第一光刻图形，对第二电极区的透明导电层进行刻蚀；在第二电极区或在第一电极区和第二电极区形成高阻介质层；在第一电极区形成第一电极，在第二电极区形成第二电极，从而可以采用高阻介质层代替电流阻挡层，进而可以避免电流阻挡层被击碎而导致电极脱落的问题。
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公开(公告)号：CN109860349A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910137304.5
申请日：2019-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透明导电层进行刻蚀，对第一电极区的外延结构进行干法刻蚀；在透明导电层表面形成第二电极区镂空的第一光刻图形，对第二电极区的透明导电层进行刻蚀；在第二电极区或在第一电极区和第二电极区形成高阻介质层；在第一电极区形成第一电极，在第二电极区形成第二电极，从而可以采用高阻介质层代替电流阻挡层，进而可以避免电流阻挡层被击碎而导致电极脱落的问题。
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公开(公告)号：CN105655458B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成，N‑GaN形成在衬底上；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN109192830A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810784329.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。
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公开(公告)号：CN109087975A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810884390.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878615A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810842674.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
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公开(公告)号：CN106129214B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
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公开(公告)号：CN107983665A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711144177.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种异常LED芯粒的挑除方法及挑除系统，其中，所述异常LED芯粒的挑除方法利用UV失粘膜的紫外曝光后失去粘性的特点实现对异常LED芯粒的挑除，并且无需额外开设机台，对原有的光电性能测试设备进行改进即可，无需使用红墨水对异常LED芯粒进行标记，不存在出现误标记正常LED芯粒的情况，并且相较于使用分选机对异常LED芯粒进行挑除的方法，具有挑除效率高，挑除成本低，且具有适用于各类尺寸和形状的LED芯粒的特点，适用性较好。
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公开(公告)号：CN107293623A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710565517.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/60
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在制备反射层之前，在所述外延结构表面形成了一层包括多个绝缘单元的绝缘层，每个所述绝缘单元覆盖一个所述外延结构的多量子阱的侧壁，避免了在制备反射层的过程中，反射层材料污染或渗透到多量子阱层中的情况出现，避免了多量子阱层因此而失效的情况出现，提升了倒装LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN106098893A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610461104.1
申请日：2016-06-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构反射镜的倒装LED中，引入金属Ag作为金属焊盘材料，通过Ag/TiW/Pt/Au或Ni/Ag/TiW/Pt/Au来构成金属焊盘，令带有Ag的金属焊盘和DBR结构形成ODR结构，令大部分芯片发光面均有ODR结构。采用Ag焊盘的ODR结构来提升对不同角度的入射光的反射率，可以将反射率均值提高至95%以上，预计可以提高LED的亮度约1%。
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