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公开(公告)号：CN109638133A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811532311.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN109037408A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810927204.8
申请日：2018-08-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一粘结层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。
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公开(公告)号：CN109037407A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810874009.3
申请日：2018-08-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。
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公开(公告)号：CN108511569A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810282133.0
申请日：2018-03-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域，而周边区域为高反射区域，进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域，进而明显增大了微LED芯片的发光角，以此改善由单个微LED芯片拼接带来的拼接区域亮度偏低的问题。
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公开(公告)号：CN106025027B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105938864B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
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公开(公告)号：CN107808914A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711027079.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0075 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，本申请提供的发光二极管制作方法，一方面，钝化层位于第二金属电极与透明导电层之间，并采用钝化层上制作过孔，使得第二金属电极与透明导电层之间通过第二金属电极手指下方的钝化层上的过孔进行电性连接，使得电流进行扩展，从而起到现有技术中电流阻挡层的作用，进而可以将电流阻挡层去掉，节省了电流阻挡层的材料成本。另一方面，由于本申请中提供的发光二极管的制作方法，去除了电流阻挡层，能够至少减少一道电流阻挡层的光刻工艺，从而能够降低光刻工艺成本，并简化了工艺过程。
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公开(公告)号：CN107731973A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711038374.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底为双折射衬底，其中，第一方向平行于衬底的晶圆定位边，第二方向垂直于衬底的晶圆定位边，且第一方向的折射率大于第二方向的折射率；在衬底上形成外延层结构；将形成完外延层结构的衬底转移至有机质支撑膜上；采用切割的方式，形成单个LED芯片，且LED芯片的长边平行于第一方向；采用封装碗杯对LED芯片进行封装，且在封装碗杯与LED芯片之间填充环氧树脂，其中，第一方向的折射率大于第二方向的折射率大于环氧树脂的折射率，该LED芯片结构降低了光从芯片出射至外部的全反射，提高了LED芯片的外量子效率，解决了现有技术中存在的问题。
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公开(公告)号：CN107689407A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710719615.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽，通过原胞沟槽的底部露出衬底，所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流；设置在原胞沟槽内的绝缘层；覆盖绝缘层的连接电极，连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中，通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射，通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流，可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN105374914B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510751194.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及一种光电性好、结构简单、成本低的LED芯片及制备方法。本发明提供的一种LED芯片及LED芯片的制备方法，在现有电流阻挡层与P型层之间加入一第二电流扩散层，使一部分电流经第二电流扩散层至电流阻挡层正下方的有源层，使电流阻挡层下的有源层被充分利用，提高发光效率，增大有源层的利用区域同时减小电流密度，降低LED芯片的电压，同时该结构对光有反射效果，提高出光效率的同时，可对电极层进行简化，从而降低生产成本。
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