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公开(公告)号：CN103794245A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410077445.X
申请日：2014-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法，包括：将读出时间延长半个至若干个时钟周期，所述方法通过SPI接口输出电路的调整配合以实现。所述SPI接口输出电路包括：寄存数据的数据输入/输出寄存器、内部时钟的产生电路、通过内部时钟控制锁存数据的输出锁存器、用于屏蔽第一个数据的第一数据锁存屏蔽电路以及用于输出数据的输出三态门。本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器的读控制电路及方法，给予读出电路合适的使能控制信号，延长半个至若干个时钟周期的读取时间，使SPI接口电路运行在较高的频率时能够提供足够的读出时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率。
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公开(公告)号：CN103794244A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410054763.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法，包括：地址寄存器逐位接收外部地址；当（LSB+A）位接收到地址时，预读2M+A位数据并锁存；当LSB位接收到地址时，从2M+A位预读数据中译码出2M位目标数据并锁存，同时输出地址自增信号；地址后移，若（LSB+A）位寄存器发生翻转，则读取下一组数据，反之，所述相变存储器内部不进行读取操作；输出数据，并输出下一个地址自增信号。本发明通过提前一个或者若干个时钟周期预先将可能需要进行读取操作的地址的数据全部读出，然后再通过对真实地址译码将对应目标地址的数据输出，可以增加相变存储器内部实际读取时间，从而提高基于SPI接口的相变存储器的数据传输速率，进而提高芯片的最终性能。
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公开(公告)号：CN103646668A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310729248.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法，所述一次性可编程存储器至少包括：相变存储单元，用于存储需要写入的数据；写入单元，用于将需要写入的数据写入到相变存储单元中；读取单元，用于读取存储在相变存储单元中的数据；读参考单元，用于提供读取单元读取数据时的比较对象；偏置单元，用于在读取单元读取时向所述相变存储单元提供钳位电压。本发明具有以下有益效果：本发明能够通过利用简单的外围电路实现对相变存储单元的一次性非可逆操作，从而实现其一次性可编程性能，可以最大限度地降低存储器的占用面积，进而降低其使用成本。
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公开(公告)号：CN101976578A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010501678.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。
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公开(公告)号：CN119543923A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411501508.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03L7/085 , H03L7/089 , H03L7/093 , H03L7/099 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种抗辐射加固的鉴频鉴相器电路，包括：第一D触发器电路、第二D触发器电路、C单元电路和频率锁定指示单元电路；第一D触发器电路和第二D触发器电路的结构相同，均包括依次连接的第一DICE锁存器电路和第二DICE锁存器电路，DICE锁存器电路由置零信号和时钟信号进行控制；C单元电路的两个输入端分别与第一D触发器电路和第二D触发器电路的输出端相连，其输出信号作为置零信号反馈回第一D触发器电路和第二D触发器电路；频率锁定指示单元电路的输入端分别与第一D触发器电路和第二D触发器电路的输出端相连，输出端输出频率锁定指示信号。本发明实现了鉴频鉴相器电路的抗辐射加固设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118588134A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410776753.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器高可靠操作方法，包括：使用预操作调整存储单元的写疲劳状态；每次重新调整单元写疲劳状态后，将待测单元分别操作到需要对应的初始态，然后对存储单元执行读循环操作，并获取对应的电阻值；将收集的电阻值与对应的写、读操作条件进行匹配分析，以筛选可使半导体存储器具有超长读耐久性的读操作电压，最后优化并验证筛选条件。通过本发明，半导体存储器在特定读操作电压下表现出超长的读耐久性，实现了高可靠操作，为面向存算一体的神经网络领域的应用提供了候选器件。
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公开(公告)号：CN108922574B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810637327.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C11/4091
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。
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公开(公告)号：CN110619908A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910806731.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法，通过控制突触模块中的一个开关管处于工作状态，另一个开关管处于非工作状态，进而调节突触模块中的一个忆阻器的电导，而不影响另一忆阻器的电导，实现快速调节突触权重的同时还可以减少操作过程中串扰。此外，还通过一忆阻器存储待存储数据包括的高位数据，另一忆阻器存储待存储数据包括的低位数据，扩展了忆阻器的突触分辨率。
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公开(公告)号：CN110098832A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910364378.2
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法，所述DCDC转换电路包括：双路输出模块，电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块，电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块，电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块，电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号：CN109903805A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910139097.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的一种存储器片内自测试方法、装置和存储器，通过获取自测试信号后令所述存储器进入自测试状态；在所述存储器中寻找由一或多个连续无故障的所述存储单元构成的满足预设大小的存储区域作为无故障区域；对所述存储器的各存储单元进行测试并将存在故障的存储单元的故障信息存储到所述无故障区域；在自测试结束后将所述无故障区域存储的首地址输出到外部端口以供读取。本发明能够降低了测试成本，而且可以对存储器进行全速测试，增加了测试的故障覆盖率和测试效率，减小了测试的面积开销，能够更加方便及时地发现存储器的问题所在。
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