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公开(公告)号：CN114491519A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210337125.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明实施例提供一种检测信号的电路、方法及芯片，所述电路至少包括：延时单元及输出单元；所述延时单元包括第一链路和第二链路，所述第一链路的延时大于第二链路的延时，所述第一链路用于在待测信号经过时输出状态信号，所述第二链路用于在所述待测信号经过时输出采样脉冲；所述输出单元用于通过所述采样脉冲对所述状态信号进行采样得到采样信号。所述检测信号的电路成本低，无需时钟，能有效的感知外界环境变化，保证采集信号稳定有效。
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公开(公告)号：CN112909092A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110068578.0
申请日：2021-01-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。
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公开(公告)号：CN108966046B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810786750.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04Q1/02 , H04B1/40 , H04L12/851 , H04L12/863 , H04L12/911
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的两种通信接口融合MAC控制器，包括第一通信标准数据收发模块、第二通信标准数据收发模块以及管理模块；管理模块包括寄存器管理单元、信道接入机会管理单元、发送流控管理单元和接收流控管理单元，其中发送流控管理单元由发送仲裁子单元、发送队列、发送控制子单元和发送缓存组成，接收流控管理单元由接收控制子单元和接收缓存组成。该MAC控制器工作在两种通信标准中的一种模式，可以避免网络间干扰，具有基于优先级的发送和接收流控管理功能和基于优先级和信道状态的信道接入机会调整功能，适用于两种通信标准融合网络环境。
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公开(公告)号：CN110443345A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910699882.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能技术领域，涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构表面的吸附，改变多金属氧酸盐与半导体低维纳米材料间的电荷转移，从而改变多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构的电导，进而改变多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构单元之间的电荷势垒及对应的电荷传输机制，从而调控多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料神经网络的电脉冲发放行为，由此解决现有技术提出的分子神经网络中电脉冲行为不可控的技术问题。
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公开(公告)号：CN108966046A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810786750.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04Q1/02 , H04B1/40 , H04L12/851 , H04L12/863 , H04L12/911
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的两种通信接口融合MAC控制器，包括第一通信标准数据收发模块、第二通信标准数据收发模块以及管理模块；管理模块包括寄存器管理单元、信道接入机会管理单元、发送流控管理单元和接收流控管理单元，其中发送流控管理单元由发送仲裁子单元、发送队列、发送控制子单元和发送缓存组成，接收流控管理单元由接收控制子单元和接收缓存组成。该MAC控制器工作在两种通信标准中的一种模式，可以避免网络间干扰，具有基于优先级的发送和接收流控管理功能和基于优先级和信道状态的信道接入机会调整功能，适用于两种通信标准融合网络环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106683991A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611130639.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法，包括以下步骤：在衬底上设计并制备预图形化的金属薄膜电极；在图形化的金属薄膜电极之间装配碳纳米管；使与金属薄膜电极接触的碳纳米管两端被金属原子刻蚀，形成缺陷；使碳源分子被金属原子催化分解；使石墨烯与碳纳米管两端通过共价成键实现互连。本发明实现了石墨烯与指定碳纳米管特定位置，即对应电极之间的碳纳米管两端的共价连接，这不同于之前石墨烯与碳纳米管间随机的连接。载流子能够在石墨烯与碳纳米管之间良好地输运，降低了石墨烯与碳纳米管的接触电阻，降低了器件的功耗。同时，在预图形化的金属催化基底生长石墨烯，无需转移和刻蚀。
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公开(公告)号：CN104485177A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410733580.5
申请日：2014-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种摩擦制备柔性透明导电膜的方法，该方法将聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平铺在基板上，再将纳米石墨粉按0.005～0.02毫克/平方厘米均匀铺在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后将纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板进行摩擦，使纳米石墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微导电沟道，得到柔性、透明的导电膜。本发明具有工艺周期短，实施便捷的特点。产品与目前市场上的透明导电ITO玻璃相比，表现出良好的柔韧性以及较低的成本。
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公开(公告)号：CN103769025A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410017876.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: B01J19/08
Abstract: 本发明公开了一种微气泡发生器及其制备方法。微气泡发生器包括衬底、两个电极和碳纳米管；两个电极均包含石墨烯，碳纳米管通过石墨烯连接两个电极，碳纳米管用作加热组件。制备方法包括如下步骤：在生长有石墨烯的金属箔表面旋涂PMMA；除去金属箔，将PMMA保护的石墨烯转移至衬底上，热处理使石墨烯与衬底紧密结合；除去PMMA；通过光刻和反应离子刻蚀得到两个石墨烯电极；在衬底上覆盖Cu2O纳米粒子，用Cu2O纳米粒子作催化剂，碳氢化合物作碳源，采用低压CVD工艺，在800～950℃下，生长与石墨烯电极垂直的水平定向碳纳米管。本发明降低了微气泡发生器的功耗，有效延长了微气泡发生器的寿命，且器件结构简单，设计灵活，具有良好的高频响应和密集集成潜力。
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公开(公告)号：CN102946297A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210446605.4
申请日：2012-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04L1/00
CPC classification number: H04L1/0061 , H03M13/09 , H03M13/616
Abstract: 本发明公开了一种用于数据传输差错控制的嵌套CRC码生成方法，包括：对待计算数据进行分段，根据数据类型为各数据段分配所需CRC码计算通道，各计算通道进行CRC码计算，对计算得到的各CRC子码进行排序。根据实际需要，排序后的CRC子码可直接送入最终的CRC码计算通道，也可作为新的待计算数据，多次重复上述CRC子码计算再送入最终的CRC码计算通道生成嵌套CRC码。本发明还公开了一种嵌套CRC码生成装置，包括数据分段模块、计算通道选择模块、多通道CRC码计算模块、数据排序模块、寄存器、计数器、数据分配器、单通道CRC码计算模块。本发明的装置计算速度快，灵活性好，并且采用本发明的方法，因此所需存储容量小、纠错能力强，适用的范围广。
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公开(公告)号：CN102637641A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210074222.9
申请日：2012-03-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种相变随机存储器阵列与CMOS流片外围电路芯片的集成方法，包括：将外围电路芯片上顶层金属阵列或/和顶层钨塞阵列的钝化层去掉；保留顶层金属阵列，或去掉顶层金属阵列并保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列；外围电路芯片顶层表面待集成存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号；将存储器阵列的下电极层制作在顶层金属阵列或者顶层钨塞阵列上面，然后依次制作存储器阵列其他各层，实现外围电路芯片与存储器阵列的集成。这样可以进一步研究CMOS工艺与相变随机存储器的兼容性、CMOS寄生效应对相变随机存储器的影响等问题，对相变随机存储器走向实用化，商业化具有较大的意义。
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